MMSZxxxET1G系列，
SZMMSZxxxET1G系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
规格特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围
2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
峰值功率
225 W (8
X
20
女士）
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
1
阴极
2
阳极
标记图
1
XXX MG
G
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
25C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注3）
热阻，结到铅
（注3）
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
最大
225
500
6.7
340
150
55
+150
单位
W
XXX =设备代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZxxxET1G
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
C
SZMMSZxxxET1G
MMSZxxxET3G
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图11 1.非重复性电流脉冲
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用最小推荐的足迹
通过红外线扫描方法得到3热阻测量
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
2012年1月
启示录7
1
出版订单号：
MMSZ2V4ET1/D
MMSZxxxET1G系列， SZMMSZxxxET1G系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CL1
CL2
CL3
CL4
CL5
CL6
CL7
CL8
CL9
CM1
CM2
CM3
CM4
CM5
CM6
CM7
CM8
CM9
CN1
CN2
CN3
CN4
CN5
CN6
CN7
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
设备*
MMSZ2V4ET1G
MMSZ2V7ET1G
MMSZ3V0ET1G
MMSZ3V3ET1G
MMSZ3V6ET1G
MMSZ3V9ET1G
MMSZ4V3ET1G
MMSZ4V7ET1G
MMSZ5V1ET1G
MMSZ5V6ET1G
MMSZ6V2ET1G
MMSZ6V8ET1G
MMSZ7V5ET1G
MMSZ8V2ET1G
MMSZ9V1ET1G
MMSZ10ET1G
MMSZ11ET1G
MMSZ12ET1G
MMSZ13ET1G
MMSZ15ET1G
MMSZ16ET1G
MMSZ18ET1G
MMSZ20ET1G
MMSZ22ET1G
MMSZ24ET1G
4所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
2
MMSZxxxET1G系列， SZMMSZxxxET1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注7,8）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注9 ）
V
Z2
(V)
（注7,8）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注9 ）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备*
MMSZ27ET1G
MMSZ30ET1G
MMSZ33ET1G
MMSZ36ET1G
MMSZ39ET1G
MMSZ43ET1G
MMSZ47ET1G
MMSZ51ET1G
MMSZ56ET1G
设备
记号
CN8
CN9
CP1
CP2
CP3
CP4
CP5
CP6
CP7
7中所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
8.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
9. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
MMSZxxxET1G系列， SZMMSZxxxET1G系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
1
3
2
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
10
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1.2
P D，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25C
100
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1G ）
91 V（ MMSZ5270BT1G ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150C
1
0.4
25C
0C
75C
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.1
1.2
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.5
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZxxxET1G系列， SZMMSZxxxET1G系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
T
A
= 25C
1000
I R ，漏电流（
A)
100
10
1
0.1
0.01
+ 25C
55C
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
+150C
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
0.00001
0
图7.典型电容
100
100
图8.典型漏电流
T
A
= 25C
T
A
= 25C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
吨，时间（ ms）的
t
P
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
图11. 8
20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
