MMSZ4678T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
对于其他无铅选项，请咨询厂家
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
订购信息
设备**
MMSZ4xxxT1
MMSZ4xxxT1G
MMSZ4xxxT3
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
MMSZ4xxxT3G * SOD- 123
（无铅）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
* MMSZ4703T1和MMSZ4711T1不可用
万/磁带&卷轴
**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第4版
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ4678T1/D
MMSZ4678T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T，温度（ 5℃ ）
125
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
10
150
1
0.1
1
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
1000
I
Z
= 1毫安
IF ，正向电流（mA ）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
ZT ，动态阻抗（
)
100
5毫安
20毫安
10
10
1505C
1
755C 255C
0.6
05C
1.1
1.2
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ4678T1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
对于其他无铅选项，请咨询厂家
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
xx
M
订购信息
设备**
MMSZ4xxxT1
MMSZ4xxxT1G
MMSZ4xxxT3
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
MMSZ4xxxT3G * SOD- 123
（无铅）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
* MMSZ4703T1和MMSZ4711T1不可用
万/磁带&卷轴
**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第4版
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ4678T1/D
MMSZ4678T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T，温度（ 5℃ ）
125
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
10
150
1
0.1
1
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
1000
I
Z
= 1毫安
IF ，正向电流（mA ）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
ZT ，动态阻抗（
)
100
5毫安
20毫安
10
10
1505C
1
755C 255C
0.6
05C
1.1
1.2
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ4678T1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
1
阴极
2
阳极
2
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注2 ）
结到环境
热阻（注2 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
单位
标记图
1
XX M
G
G
XX =设备代码（参见第3页）
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZ4xxxT1
MMSZ4xxxT1G
MMSZ4xxxT3
MMSZ4xxxT3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表中的这个第3页列
数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 启示录7
出版订单号：
MMSZ4678T1/D
MMSZ4678T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注3）
设备
记号
CC
CD
CE
CF
CH
CJ
CK
CM
CN
CP
CT
CU
CV
CA
CX
CY
CZ
DC
DD
DE
DF
DH
DJ
DK
DM
DN
DP
DT
DU
DV
DA
DX
DY
EA
EC
ED
EE
EF
EH
EJ
V
Z
（伏）
民
1.71
1.90
2.09
2.28
2.565
2.85
3.13
3.42
3.70
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
喃
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
最大
1.89
2.10
2.31
2.52
2.835
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
@ I
ZT
mA
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
mA
7.5
5
4
2
1
0.8
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
设备*
MMSZ4678T1 ，G
MMSZ4679T1 ，G
MMSZ4680T1 ，G
MMSZ4681T1 ，G
MMSZ4682T1 ，G
MMSZ4683T1 ，G
MMSZ4684T1 ，G
MMSZ4685T1 ，G
MMSZ4686T1 ，G
MMSZ4687T1 ，G
MMSZ4688T1 ，G
MMSZ4689T1 ，G
MMSZ4690T1 ，G
MMSZ4691T1 ，G
MMSZ4692T1 ，G
MMSZ4693T1 ，G
MMSZ4694T1 ，G
MMSZ4695T1 ，G
MMSZ4696T1 ，G
MMSZ4697T1 ，G
MMSZ4698T1 ，G
MMSZ4699T1 ，G
MMSZ4700T1 ，G
MMSZ4701T1 ，G
MMSZ4702T1 ，G
MMSZ4703T1 ，G
MMSZ4704T1 ，G
MMSZ4705T1 ，G
MMSZ4706T1 ，G
MMSZ4707T1 ，G
MMSZ4708T1 ，G
MMSZ4709T1 ，G
MMSZ4710T1 ，G
MMSZ4711T1 ，G
MMSZ4712T1
MMSZ4713T1 ，G
MMSZ4714T1 ，G
MMSZ4715T1 ，G
MMSZ4716T1 ，G
MMSZ4717T1 ，G
3.额定齐纳电压测量在T的热平衡器件的结
L
= 30°C
±1°C.
*在“G ”后缀表示无铅封装。
MMSZ4703和MMSZ4711不可用10,000 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
3
MMSZ4678T1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T，温度（ 5℃ ）
125
P
D
与牛逼
A
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
10
150
1
0.1
1
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
1000
I
Z
= 1毫安
IF ，正向电流（mA ）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
100
5毫安
20毫安
10
10
150°C
1
75°C 25°C
0.6
0°C
1.1
1.2
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
