MMSZ4678ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8 ×20
女士）
1
1
阴极
2
阳极
2
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注3 ）
结到环境
热阻（注3 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
W
XXX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备*
MMSZ4xxxET1
MMSZ4xxxET1G
MMSZ4xxxET3
MMSZ4xxxET3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到3.热电阻测量。
*在“T1”的后缀是指一个8毫米， 7英寸的卷轴。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 第3版
XXX M
出版订单号：
MMSZ4678ET1/D
MMSZ4678ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
V
Z
@ I
ZT
10
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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3
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