MMSZ4678ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8 ×20
女士）
1
1
阴极
2
阳极
2
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注3 ）
结到环境
热阻（注3 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
W
XXX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备*
MMSZ4xxxET1
MMSZ4xxxET1G
MMSZ4xxxET3
MMSZ4xxxET3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到3.热电阻测量。
*在“T1”的后缀是指一个8毫米， 7英寸的卷轴。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 第3版
XXX M
出版订单号：
MMSZ4678ET1/D
MMSZ4678ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
V
Z
@ I
ZT
10
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
3
MMSZ4678ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 1.8 V至43 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8 ×20
女士）
无铅包可用
1
1
阴极
2
阳极
2
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注3 ）
结到环境
热阻（注3 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
W
1
XXX M
G
G
XXX =设备代码（参见第2页）
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMSZ4xxxET1
MMSZ4xxxET1G
MMSZ4xxxET3
MMSZ4xxxET3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到3.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第4版
出版订单号：
MMSZ4678ET1/D
MMSZ4678ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
典型的牛逼
C
值
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
V
Z
@ I
ZT
10
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
3
MMSZ4678ET1系列
包装尺寸
SOD123
案例425-04
问题E
D
A
A1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.94
1.17
1.35
0.00
0.05
0.10
0.51
0.61
0.71
0.15
1.40
1.60
1.80
2.54
2.69
2.84
3.56
3.68
3.86
0.25
民
0.037
0.000
0.020
0.055
0.100
0.140
0.010
英寸
喃
0.046
0.002
0.024
0.063
0.106
0.145
最大
0.053
0.004
0.028
0.006
0.071
0.112
0.152
H
E
2.36
0.093
4.19
0.165
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
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5
2
1
E
L
C
风格1 ：
PIN 1阴极
2.阳极
b
焊接足迹*
0.91
0.036
1.22
0.048
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
MMSZ4678ET1/D
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