MMSZ4688
5 ％的容差
概述：
半瓦，通用型，中等电流表面贴装
齐纳二极管的SOD- 123封装。的SOD -123封装具有
同样足迹的玻璃微型MELF （ LL - 34 ）封装&
提供了一个方便的替代无铅封装。
产品特点：
用相同的足迹，微型MELF紧凑型表面贴装
500毫瓦等级的FR- 4和FR- 5板。
3级ESD额定值（ >16千伏）每人体模型
排序：
7英寸卷轴（178 MM） ; 8mm带; 3000单位每卷。
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
T
英镑
- 存储温度
T
J
P
D
- 最高结温
- 总功耗为25
O
C
减免上述25
O
C
TA = 25
O
C除非另有说明
价值
-55到+150
-55到+150
500
6.7
340
150
990
260
4.7
单位
O
O
C
C
mW
毫瓦/
O
C
O
O
R
θJA
- 热阻结到环境
R
θJL
- 热阻结到铅
V
Z
- 最大电压变化（注2 ）
无铅焊锡温度（最长10秒的持续时间）
额定齐纳电压（V
Z
）在50微安
注2 ：电压变化等于V之间的差
Z
在100微安和V
Z
在10微安。
C / W
C / W
C
V
mV
O
注1：这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
顶标：
CT
1 ：阴极
2 ：阳极
1
2
电气特性
符号
V
Z
I
R
V
F
V
Z
TA = 25
O
C除非另有说明
特征
齐纳电压
反向漏
正向电压
达齐纳电压
民
4.47
最大
4.94
10
900
990
单位
V
uA
mV
mV
测试条件
I
ZT
= 50.0微安
D.C
V
R
=
I
F
=
3.0 V
10毫安
I
F
= 100微安到10微安
1997仙童半导体公司
SOD- 123磁带和卷轴数据和封装尺寸，继续
SOD123压纹载带
CON组fi guration ：
图3.0
T
E1
P0
D0
F
K0
Wc
B0
E2
W
Tc
A0
P1
D1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOD123
(8mm)
A0
1.85
+/-0.10
B0
3.94
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.50
+/-0.10
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
民
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.50
+/-0.10
T
0.200
+/-0.020
Wc
5.2
+/-0.2
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOD123卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年7月，修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
英文内容
MMSZ4688
5 ％的容差
概述：
半瓦，通用型，中等电流表面贴装
齐纳二极管的SOD- 123封装。的SOD -123封装具有
同样足迹的玻璃微型MELF （ LL - 34 ）封装&
提供了一个方便的替代无铅封装。
产品特点：
用相同的足迹，微型MELF紧凑型表面贴装
500毫瓦等级的FR- 4和FR- 5板。
3级ESD额定值（ >16千伏）每人体模型
排序：
7英寸卷轴（178 MM） ; 8mm带; 3000单位每卷。
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
T
英镑
- 存储温度
T
J
P
D
- 最高结温
- 总功耗为25
O
C
减免上述25
O
C
TA = 25
O
C除非另有说明
价值
-55到+150
-55到+150
500
6.7
340
150
990
260
4.7
单位
O
O
C
C
mW
毫瓦/
O
C
O
O
R
θJA
- 热阻结到环境
R
θJL
- 热阻结到铅
V
Z
- 最大电压变化（注2 ）
无铅焊锡温度（最长10秒的持续时间）
额定齐纳电压（V
Z
）在50微安
注2 ：电压变化等于V之间的差
Z
在100微安和V
Z
在10微安。
C / W
C / W
C
V
mV
O
注1：这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
顶标：
CT
1 ：阴极
2 ：阳极
1
2
电气特性
符号
V
Z
I
R
V
F
V
Z
TA = 25
O
C除非另有说明
特征
齐纳电压
反向漏
正向电压
达齐纳电压
民
4.47
最大
4.94
10
900
990
单位
V
uA
mV
mV
测试条件
I
ZT
= 50.0微安
D.C
V
R
=
I
F
=
3.0 V
10毫安
I
F
= 100微安到10微安
1997仙童半导体公司
SOD- 123磁带和卷轴数据和封装尺寸，继续
SOD123压纹载带
CON组fi guration ：
图3.0
T
E1
P0
D0
F
K0
Wc
B0
E2
W
Tc
A0
P1
D1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOD123
(8mm)
A0
1.85
+/-0.10
B0
3.94
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.50
+/-0.10
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
民
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.50
+/-0.10
T
0.200
+/-0.020
Wc
5.2
+/-0.2
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOD123卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年7月，修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
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