MMSZ2V4ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
规格特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8
X
20
女士）
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注3 ）
热电阻 -
结到铅（注3 ）
结存储
温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
瓦
标记图
xx
M
订购信息
设备
MMSZxxxET1
MMSZxxxET3
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用最小推荐足迹
在图12中所示。
通过红外线扫描方法得到3热阻测量
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第1版
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4ET1/D
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CL1
CL2
CL3
CL4
CL5
CL6
CL7
CL8
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
漏电流
I
R
@ V
R
W
600
600
600
600
600
600
600
500
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
V
1
1
1
1
1
1
1
2
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
设备
MMSZ2V4ET1
MMSZ2V7ET1
MMSZ3V0ET1
MMSZ3V3ET1
MMSZ3V6ET1
MMSZ3V9ET1
MMSZ4V3ET1
MMSZ4V7ET1
MMSZ5V1ET1
MMSZ5V6ET1
MMSZ6V2ET1
MMSZ6V8ET1
MMSZ7V5ET1
MMSZ8V2ET1
MMSZ9V1ET1
MMSZ10ET1
MMSZ11ET1
MMSZ12ET1
MMSZ13ET1
MMSZ15ET1
MMSZ16ET1
CL9
CM1
CM2
CM3
CM4
CM5
CM6
CM7
CM8
CM9
CN1
CN2
CN3
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18ET1
CN4
17.10
18
18.90
45
16.7
19.0
225
0.05
12.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
http://onsemi.com
2
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CN5
CN6
CN7
CN8
CN9
CP1
CP2
@ I
ZT1
= 5毫安
民
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
喃
20
22
24
27
30
33
36
最大
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
W
55
55
70
80
80
80
90
民
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
漏电流
I
R
@ V
R
W
225
250
250
300
300
325
350
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
设备
MMSZ20ET1
MMSZ22ET1
MMSZ24ET1
MMSZ27ET1
MMSZ30ET1
MMSZ33ET1
MMSZ36ET1
MMSZ39ET1
MMSZ43ET1
MMSZ47ET1
MMSZ51ET1
MMSZ56ET1
CP3
CP4
CP5
CP6
CP7
37.05
40.85
39
43
40.95
45.15
130
150
36.7
39.7
41
46
350
375
0.05
0.05
27.3
30.1
48.45
53.20
51
56
53.55
58.80
180
200
47.6
51.5
54
60
400
425
0.05
0.05
35.7
39.2
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
V
Z
@ I
ZT
10
2
13
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
P D，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150°C
1
0.4
25°C
0°C
75°C
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.1
1.2
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.5
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
规格特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8
X
20
女士）
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注3）
热阻，结到铅
（注3）
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
最大
225
单位
W
标记图
XXX =设备代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
°C
设备
MMSZxxxET1
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用最小推荐的足迹
通过红外线扫描方法得到3热阻测量
MMSZxxxET3
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版5
XXX M
G
G
万/磁带&卷轴
出版订单号：
MMSZ2V4ET1/D
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CL1
CL2
CL3
CL4
CL5
CL6
CL7
CL8
CL9
CM1
CM2
CM3
CM4
CM5
CM6
CM7
CM8
CM9
CN1
CN2
CN3
CN4
CN5
CN6
CN7
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
设备
MMSZ2V4ET1 ，G
MMSZ2V7ET1 ，G
MMSZ3V0ET1
MMSZ3V3ET1 ，G
MMSZ3V6ET1 ，G
MMSZ3V9ET1 ，G
MMSZ4V3ET1
MMSZ4V7ET1
MMSZ5V1ET1 ，G
MMSZ5V6ET1
MMSZ6V2ET1
MMSZ6V8ET1
MMSZ7V5ET1
MMSZ8V2ET1
MMSZ9V1ET1
MMSZ10ET1 ，G
MMSZ11ET1
MMSZ12ET1 ，G
MMSZ13ET1
MMSZ15ET1 ，G
MMSZ16ET1 ，G
MMSZ18ET1 ，G
MMSZ20ET1 ，G
MMSZ22ET1 ，G
MMSZ24ET1
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注7,8）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注9 ）
V
Z2
(V)
（注7,8）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注9 ）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备
MMSZ27ET1 ，G
MMSZ30ET1
MMSZ33ET1
MMSZ36ET1
MMSZ39ET1
MMSZ43ET1 ，G
MMSZ47ET1
MMSZ51ET1
MMSZ56ET1
设备
记号
CN8
CN9
CP1
CP2
CP3
CP4
CP5
CP6
CP7
7中所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
8.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
9. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
4
MMSZ2V4ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
V
Z
@ I
ZT
10
2
13
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
P D，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150°C
1
0.4
25°C
0°C
75°C
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.1
1.2
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.5
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
5
MMSZ2V4ET1系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
规格特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8
X
20
女士）
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热电阻 -
结到环境（注3 ）
热电阻 -
结到铅（注3 ）
结存储
温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
瓦
标记图
xx
M
订购信息
设备
MMSZxxxET1
MMSZxxxET3
包
SOD123
SOD123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，使用最小推荐足迹
在图12中所示。
通过红外线扫描方法得到3热阻测量
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第1版
XX M
=具体设备守则
=日期代码
出版订单号：
MMSZ2V4ET1/D
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CL1
CL2
CL3
CL4
CL5
CL6
CL7
CL8
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
W
100
100
95
95
90
90
90
80
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
漏电流
I
R
@ V
R
W
600
600
600
600
600
600
600
500
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
V
1
1
1
1
1
1
1
2
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
设备
MMSZ2V4ET1
MMSZ2V7ET1
MMSZ3V0ET1
MMSZ3V3ET1
MMSZ3V6ET1
MMSZ3V9ET1
MMSZ4V3ET1
MMSZ4V7ET1
MMSZ5V1ET1
MMSZ5V6ET1
MMSZ6V2ET1
MMSZ6V8ET1
MMSZ7V5ET1
MMSZ8V2ET1
MMSZ9V1ET1
MMSZ10ET1
MMSZ11ET1
MMSZ12ET1
MMSZ13ET1
MMSZ15ET1
MMSZ16ET1
CL9
CM1
CM2
CM3
CM4
CM5
CM6
CM7
CM8
CM9
CN1
CN2
CN3
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
MMSZ18ET1
CN4
17.10
18
18.90
45
16.7
19.0
225
0.05
12.6
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
http://onsemi.com
2
MMSZ2V4ET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
(V)
（注4和5）
设备
记号
CN5
CN6
CN7
CN8
CN9
CP1
CP2
@ I
ZT1
= 5毫安
民
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
喃
20
22
24
27
30
33
36
最大
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
W
55
55
70
80
80
80
90
民
18.7
20.7
22.7
25
27.8
30.8
33.8
Z
ZT1
（注6 ）
V
Z2
(V)
（注4和5）
Z
ZT2
（注6 ）
漏电流
I
R
@ V
R
W
225
250
250
300
300
325
350
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
21.1
23.2
25.5
28.9
32
35
38
设备
MMSZ20ET1
MMSZ22ET1
MMSZ24ET1
MMSZ27ET1
MMSZ30ET1
MMSZ33ET1
MMSZ36ET1
MMSZ39ET1
MMSZ43ET1
MMSZ47ET1
MMSZ51ET1
MMSZ56ET1
CP3
CP4
CP5
CP6
CP7
37.05
40.85
39
43
40.95
45.15
130
150
36.7
39.7
41
46
350
375
0.05
0.05
27.3
30.1
48.45
53.20
51
56
53.55
58.80
180
200
47.6
51.5
54
60
400
425
0.05
0.05
35.7
39.2
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.宽容和电压型号：齐纳电压（ VZ ）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
http://onsemi.com
3
MMSZ2V4ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ2V4T1系列
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
V
Z
@ I
ZT
10
2
13
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
P D，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
100
100
10
150°C
1
0.4
25°C
0°C
75°C
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.1
1.2
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.5
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
