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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第255页 > MMSZ39T1G
MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围
2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
1
阴极
2
阳极
标记图
1
XX M
G
G
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
500
6.7
340
150
55
+150
单位
xx
M
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
C
设备
MMSZxxxT1G
SZMMSZxxxT1G
MMSZxxxT3G
SZMMSZxxxT3G
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录11
1
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
X2
X3
X4
X5
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
（注5 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
设备*
MMSZ2V4T1G
MMSZ2V7T1G
MMSZ3V0T1G
MMSZ3V3T1G
MMSZ3V6T1G
MMSZ3V9T1G
MMSZ4V3T1G
MMSZ4V7T1G
MMSZ5V1T1G
MMSZ5V6T1G/T3G
MMSZ6V2T1G
MMSZ6V8T1G
MMSZ7V5T1G
MMSZ8V2T1G
MMSZ9V1T1G
MMSZ10T1G
MMSZ11T1G
MMSZ12T1G
MMSZ13T1G
MMSZ15T1G
MMSZ16T1G
MMSZ18T1G/T3G
MMSZ20T1G
MMSZ22T1G
MMSZ24T1G
3所示类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
2
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注8）
V
Z2
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注8）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备*
MMSZ27T1G/T3G
MMSZ30T1G
MMSZ33T1G
MMSZ36T1G
MMSZ39T1G
MMSZ43T1G
MMSZ47T1G
MMSZ51T1G
MMSZ56T1G
设备
记号
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Z1
Z2
Z3
Z4
6中所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
7.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
http://onsemi.com
3
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
典型特征
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
1000
75 V （ MMSZ5267BT1G ）
91 V（ MMSZ5270BT1G ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
10
150C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75C
0.6
25C
0.7
0C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
4
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
典型特征
1000
1000
I R ，漏电流（
A)
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25C
100
10
1
0.1
0.01
+ 25C
55C
+150C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
0.00001
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25C
100
T
A
= 25C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
V
Z
齐纳电压（V）
V
Z
齐纳电压（V）
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
http://onsemi.com
5
MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围
2.4 V至56 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
SOD123
CASE 425
风格1
1
阴极
2
阳极
标记图
1
XX M
G
G
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
L
= 75C
75°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
热阻，结到铅
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
500
6.7
340
150
55
+150
单位
xx
M
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
C
设备
MMSZxxxT1G
SZMMSZxxxT1G
MMSZxxxT3G
SZMMSZxxxT3G
包
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
SOD123
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR- 5 = 3.5× 1.5英寸。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录11
1
出版订单号：
MMSZ2V4T1/D
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注3和4）
设备
记号
T1
T2
T3
T4
T5
U1
U2
U3
U4
U5
V1
V2
V3
V4
V5
A1
A2
A3
A4
A5
X1
X2
X3
X4
X5
@ I
ZT1
= 5毫安
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
W
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
Z
ZT1
（注5 ）
V
Z2
（伏）
（注3和4）
@ I
ZT2
= 1毫安
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
W
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
（注5 ）
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
设备*
MMSZ2V4T1G
MMSZ2V7T1G
MMSZ3V0T1G
MMSZ3V3T1G
MMSZ3V6T1G
MMSZ3V9T1G
MMSZ4V3T1G
MMSZ4V7T1G
MMSZ5V1T1G
MMSZ5V6T1G/T3G
MMSZ6V2T1G
MMSZ6V8T1G
MMSZ7V5T1G
MMSZ8V2T1G
MMSZ9V1T1G
MMSZ10T1G
MMSZ11T1G
MMSZ12T1G
MMSZ13T1G
MMSZ15T1G
MMSZ16T1G
MMSZ18T1G/T3G
MMSZ20T1G
MMSZ22T1G
MMSZ24T1G
3所示类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
4.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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2
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注8）
V
Z2
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注8）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备*
MMSZ27T1G/T3G
MMSZ30T1G
MMSZ33T1G
MMSZ36T1G
MMSZ39T1G
MMSZ43T1G
MMSZ47T1G
MMSZ51T1G
MMSZ56T1G
设备
记号
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Z1
Z2
Z3
Z4
6中所示的类型的数字有一个标准的公差
5%
在额定齐纳电压。
7.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
典型特征
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZxxxT1G系列，
SZMMSZxxxT1G系列
V
Z
@ I
ZT
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1.2
1000
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1.0
矩形
波形，T
A
= 25C
100
0.8
P
D
与牛逼
L
0.6
P
D
与牛逼
A
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
1
10
100
1000
T，温度（ ° C）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
T
J
= 25C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
1000
75 V （ MMSZ5267BT1G ）
91 V（ MMSZ5270BT1G ）
ZT ，动态阻抗（
)
IF ，正向电流（mA ）
100
10
150C
1
1
10
100
1
0.4
0.5
75C
0.6
25C
0.7
0C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
Z
，额定齐纳电压
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZxxxT1G系列， SZMMSZxxxT1G系列
典型特征
1000
1000
I R ，漏电流（
A)
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25C
100
10
1
0.1
0.01
+ 25C
55C
+150C
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
0.001
0.0001
1
0.00001
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25C
100
T
A
= 25C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
V
Z
齐纳电压（V）
V
Z
齐纳电压（V）
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图10.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
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