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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1120页 > MMSZ2V4BW
德昌
半导体
500mW的SOD- 123表面贴装
扁平引脚表面贴装塑料封装
齐纳稳压器
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
OPR
功耗
存储温度范围
工作温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+150
-65到+150
单位
mW
°C
°C
绿色产品
参数
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
SOD- 123扁平引脚
规格特点:
广齐纳电压范围选择, 2.4V至75V
±2% VZ公差选择(B系列)
扁平引线SOD- 123塑料包装
面器类型安装
符合RoHS
绿色EMC
雾锡( Sn)的无铅封装
乐队表示阴极
阴极
电气符号
阳极
电气特性
设备
TYPE
MMSZ2V4BW
MMSZ2V7BW
MMSZ3V0BW
MMSZ3V3BW
MMSZ3V6BW
MMSZ3V9BW
MMSZ4V3BW
MMSZ4V7BW
MMSZ5V1BW
MMSZ5V6BW
MMSZ6V2BW
MMSZ6V8BW
MMSZ7V5BW
MMSZ8V2BW
MMSZ9V1BW
MMSZ10VBW
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MMSZ12VBW
MMSZ13VBW
MMSZ15VBW
MMSZ16VBW
MMSZ18VBW
设备
记号
2V4B
2V7B
3V0B
3V3B
3V6B
3V9B
4V3B
4V7B
5V1B
5V6B
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8V2B
9V1B
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11VB
12VB
13VB
15VB
16VB
18VB
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
15.68
17.64
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
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7.5
8.2
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11
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13
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16
18
最大
2.45
2.75
3.06
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3.67
3.98
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5.20
5.71
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8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
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5
5
5
5
5
5
5
5
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(MA )
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(Ω)
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141
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188
188
212
I
R
@ V
R
(μA)
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18
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4.5
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2.7
2.7
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R
(伏)
1
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10.5
11.2
12.6
2008年10月发布,版本C
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MMSZ2V4BW通过MMSZ75VBW
德昌
半导体
电气特性
设备
TYPE
MMSZ20VBW
MMSZ22VBW
MMSZ24VBW
MMSZ27VBW
MMSZ30VBW
MMSZ33VBW
MMSZ36VBW
MMSZ39VBW
MMSZ43VBW
MMSZ47VBW
MMSZ51VBW
MMSZ56VBW
MMSZ62VBW
MMSZ68VBW
MMSZ75VBW
设备
记号
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22VB
24VB
27VB
30VB
33VB
36VB
39VB
43VB
47VB
51VB
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= 25 ° C除非另有说明
V
Z
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(伏)
20
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24
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36
39
43
47
51
56
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(MA )
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0.5
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0.5
0.5
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235
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282
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329
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353
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R
(μA)
最大
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0.045
0.045
0.045
0.045
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0.045
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0.045
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15.4
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33.0
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
V
F
正向电压= 900mV最大@
I
F
= 10 mA,对于所有类型
注意事项:
1.
2.
3.
4.
齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试。
列出的设备号对的±2%的额定齐纳电压的标准容差。
关于价格,可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示和更严格的电压
电压容差,请联系距离您最近的德昌电子代表。
齐纳阻抗从60周的交流电压,交流电流具有一个均方根值等于当其导致来自
直流稳压电流的10% (我
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK 。
2008年10月发布,版本C
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德昌
半导体
额定值和特性曲线
图1典型正向电压为
Fig.2
齐纳电压的齐纳阻抗效应
Fig.3
最大非重复浪涌
Fig.4
典型电容
图5齐纳击穿特性
图6齐纳击穿特性
2008年10月发布,版本C
第3页
德昌
半导体
图7典型LEAKGE CURRENT
2008年10月发布,版本C
第4页
德昌
半导体
扁平引线SOD- 123封装外形
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全,适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息,请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对,对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,进一步提高可靠性的权利,
功能和设计方面,成本和生产率。
德昌
注册德昌电子(集团)有限公司的商标。
2008年10月发布,版本C
第5页
德昌
半导体
500mW的SOD- 123表面贴装
扁平引脚表面贴装塑料封装
齐纳稳压器
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
OPR
功耗
存储温度范围
工作温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+150
-65到+150
单位
mW
°C
°C
绿色产品
参数
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
SOD- 123扁平引脚
规格特点:
广齐纳电压范围选择, 2.4V至75V
±2% VZ公差选择(B系列)
扁平引线SOD- 123塑料包装
面器类型安装
符合RoHS
绿色EMC
雾锡( Sn)的无铅封装
乐队表示阴极
阴极
电气符号
阳极
电气特性
设备
TYPE
MMSZ2V4BW
MMSZ2V7BW
MMSZ3V0BW
MMSZ3V3BW
MMSZ3V6BW
MMSZ3V9BW
MMSZ4V3BW
MMSZ4V7BW
MMSZ5V1BW
MMSZ5V6BW
MMSZ6V2BW
MMSZ6V8BW
MMSZ7V5BW
MMSZ8V2BW
MMSZ9V1BW
MMSZ10VBW
MMSZ11VBW
MMSZ12VBW
MMSZ13VBW
MMSZ15VBW
MMSZ16VBW
MMSZ18VBW
设备
记号
2V4B
2V7B
3V0B
3V3B
3V6B
3V9B
4V3B
4V7B
5V1B
5V6B
6V2B
6V8B
7V5B
8V2B
9V1B
10VB
11VB
12VB
13VB
15VB
16VB
18VB
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2.65
2.94
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3.53
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5.00
5.49
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8.04
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9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
15.68
17.64
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
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8.2
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12
13
15
16
18
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
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5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
16.32
18.36
5
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(MA )
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1
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@ I
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最大
564
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188
188
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I
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@ V
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(μA)
最大
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18
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4.5
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2.7
2.7
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1.8
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V
R
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1
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5
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8
8
8
10.5
11.2
12.6
编号: DB- 086
2009年5月,修订版D
第1页
MMSZ2V4BW通过MMSZ75VBW
德昌
半导体
电气特性
设备
TYPE
MMSZ20VBW
MMSZ22VBW
MMSZ24VBW
MMSZ27VBW
MMSZ30VBW
MMSZ33VBW
MMSZ36VBW
MMSZ39VBW
MMSZ43VBW
MMSZ47VBW
MMSZ51VBW
MMSZ56VBW
MMSZ62VBW
MMSZ68VBW
MMSZ75VBW
设备
记号
20VB
22VB
24VB
27VB
30VB
33VB
36VB
39VB
43VB
47VB
51VB
56VB
62VB
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T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
20
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24
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56
62
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最大
20.40
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I
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(MA )
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(Ω)
最大
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80
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(MA )
1
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@ I
ZK
(Ω)
最大
212
235
235
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282
306
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329
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353
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423
447
470
I
R
@ V
R
(μA)
最大
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
V
R
(伏)
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.0
25.2
27.3
30.1
33.0
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
V
F
正向电压= 900mV最大@
I
F
= 10 mA,对于所有类型
注意事项:
1.
2.
3.
4.
齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试。
列出的设备号对的±2%的额定齐纳电压的标准容差。
关于价格,可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示和更严格的电压
电压容差,请联系距离您最近的德昌电子代表。
齐纳阻抗从60周的交流电压,交流电流具有一个均方根值等于当其导致来自
直流稳压电流的10% (我
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK 。
编号: DB- 086
2009年5月,修订版D
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德昌
半导体
额定值和特性曲线
图1典型正向电压为
Fig.2
齐纳电压的齐纳阻抗效应
600
电源PASSIPATION ,MW
500
400
300
200
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0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度
]
图3功耗VS.环境温度。
Fig.4
典型电容
图5齐纳击穿特性
编号: DB- 086
2009年5月,修订版D
图6齐纳击穿特性
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德昌
半导体
图7典型LEAKGE CURRENT
扁平引线SOD- 123封装外形
注意:
尺寸不包括毛刺,毛边&拉杆型材。
编号: DB- 086
2009年5月,修订版D
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德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
通告
本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的
更改,恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置,并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命(如医疗器械,交通运输设备,航空航天
机械,核反应控制器,燃料控制器等安全装置) ,德昌半导体
有限责任公司,或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息,请访问:
我们的网站
http://www.takcheong.com ,
或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号: DB- 100
2008年4月14日/ A
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数量
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单价/备注
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMSZ2V4BW
    -
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    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
MMSZ2V4BW
TAK
18+
39000
SOD123
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
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