摩托罗拉
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通过MMSF3305 / D
产品预览
中功率表面贴装产品
MMSF3305
摩托罗拉的首选设备
TMOS单P沟道
场效应晶体管
WaveFET 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的高密度HDTMOS过程。这些
微型表面贴装MOSFET具有极低的RDS（on ）和真
逻辑电平的性能。它们能够在经受高能量的
雪崩和换向模式和漏极 - 源极二极管
具有非常低的反向恢复时间。 WaveFET 设备的设计
在低电压，高速开关应用中的功率
效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流转换器，并
电源管理在便携式电池供电的产品如
计算机，打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以是
用于在大容量存储的产品，例如低电压电机控制
磁盘驱动器和磁带驱动器。雪崩能量指定
消除设计中的猜测，其中感性负载切换
G
并提供对突发电压瞬变额外的安全裕度。
超低的RDS（on ） ，从而提高效率并延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
单TMOS
功率MOSFET
9.1安培
30伏特
RDS （ ON）= 0.02 OHM
D
CASE 751-05 ，风格13
SO–8
S
来源
来源
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
器件标识
S3305
设备
MMSF3305R2
订购信息
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
4000台
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
HDTMOS和WaveFET是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉1997年公司
1
MMSF3305
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
负号为P沟道器件为清楚起见省略
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
1英寸SQ 。
FR-4或G- 10的PCB
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
热阻 - 结到环境
总功率耗散@ TA = 25℃
线性降额因子
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
连续@ TA = 70℃
漏电流脉冲（ 1 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
RthJA
PD
ID
ID
IDM
RthJA
PD
ID
ID
IDM
TJ ， TSTG
EAS
待定
最大
30
20
±
20
50
2.5
20
9.1
7.3
50
80
1.56
12.5
7.2
5.8
40
- 55 150
单位
V
V
V
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
°C
mJ
10秒
最低
FR-4或G- 10的PCB
10秒
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 30 V直流， VGS = 10伏，峰值IL = 9.1 APK， L =待定毫亨， RG = 25
W
)
（ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMSF3305
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0伏， TJ = 70 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 0.25 MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 9.1 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 7.3 ADC ）
通态漏电流
（ VDS
≤
5.0 V ， VGS = 10V）
（ VDS
≤
5.0 V ， VGS = 4.5 V ）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 8.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
参见图8
(
（VDS = 15 Vd的， n = 46的广告，
VDC ，
4.6 ADC ，
VGS = 10伏）（1）
VDC ，
1.0 ADC ，
（ VDD = 15 Vd的ID = 1 0广告
VGS = 10伏直流
VDC ，
RG = 6.0
)
(1)
)( )
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（IS = 2.1 ADC ，V GS = 0伏）（1）
（ IS = 2.1 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
反向恢复时间
参见图15
(
（ IS = 2 1广告， VGS = 0伏，
2.1 ADC ，
VD，
DIS / DT = 100 A / μs）内（ 1 ）
反向恢复电荷存储
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3 ）反映的典型值。
最大极限 - 典型值
CPK =
3× SIGMA
（ 4 ）重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
待定
待定
待定
待定
待定
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
—
—
—
待定
待定
待定
pF
(1)
(1) (3)
VGS （ TH）
0.7
—
(1) (3)
RDS （ ON）
—
—
ID （上）
40
10
政府飞行服务队
—
—
—
—
—
—
—
姆欧
—
—
20
30
A
—
—
1.4
—
VDC
毫伏/°C的
m
(1) (3)
V（ BR ） DSS
30
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
5.0
100
NADC
—
—
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
VSD
—
—
TRR
ta
tb
QRR
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
待定
—
—
—
VDC
ns
C
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MMSF3305
包装尺寸
–A–
B
M
8
5
X 45
_
J
1
4
4X
–B–
M
_
G
F
注意事项：
1.尺寸A和B是基准，T为
基准面。
2.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
3.尺寸为毫米。
4.尺寸A和B不包括塑模
前伸。
5.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
6.尺寸D不包括模型
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE D尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.18
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
P
0.25 (0.010)
M
–T–
8X
C
座位
飞机
D
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
A
S
R
CASE 751-05
SO–8
ISSUE P
风格13 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
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摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
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美国/欧洲/点未列出：
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日本：
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3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 81-3-3521-8315
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4
MMSF3305/D
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
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