【MMSD301T1G,MMSD701T1GSOD--123肖特基垒二极管该MMSD301T1和MMS】,IC型号MMSD301T1G,MMSD301T1G PDF资料,MMSD301T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMSD301T1G,

MMSD701T1G

SOD-

-123肖特基

垒二极管

该MMSD301T1和MMSD701T1设备旋

的-offs我们

流行MMBD301LT1和MMBD701LT1 SOT-设备。他们

-23

被设计用于高

-efficiency UHF和VHF检测器的应用程序。

随时提供给其他很多快速切换的RF和数字

应用程序。

特点

http://onsemi.com

阴极

阳极

极低的少数载流子寿命

非常低电容

低反向漏

这些设备是有铅

- 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

SOD-

-123

CASE 425

风格1

最大额定值

等级

反向电压

MMSD301T1

MMSD701T1

符号

英镑

价值

200

225

- 55 + 125

- 55 + 150

单位

VDC

XXX MG

标记图

正向电流（ DC ）连续

前向功率耗散

= 25C

结温

存储温度范围

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

=具体设备守则

XT = MMSD301T1

XH = MMSD701T1

=日期代码

=铅 - 免费套餐

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MMSD301T1G

MMSD701T1G

包

SOD--123

（铅 - 免费）

SOD--123

（铅 - 免费）

航运

3000磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年10月 - 修订版5

出版订单号：

MMSD301T1/D

MMSD301T1G ， MMSD701T1G

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

反向击穿电压

= 10

毫安）

二极管电容

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

总电容

= 15 V ， F = 1.0兆赫）

= 20 V ， F = 1.0 MHZ ）

反向漏

= 25 V)

= 35 V)

正向电压

= 1.0 MADC ）

= 10 mA）的

= 1.0 MADC ）

= 10 mA）的

MMSD301T1

MMSD701T1

MMSD301T1

MMSD701T1

MMSD301T1

MMSD701T1

MMSD301T1

MMSD701T1

MMSD301T1

MMSD701T1

符号

（ BR ）R

民

典型值

0.9

0.5

0.9

0.5

9.0

0.38

0.52

0.42

0.7

最大

1.5

1.0

1.5

1.0

200

0.45

0.6

0.5

1.0

NADC

VDC

单位

http://onsemi.com

MMSD301T1G ， MMSD701T1G

典型特征

MMSD301T1

2.8

CT ，总电容（PF ）

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

3.0

6.0

9.0

，反向电压（伏）

F = 1.0 MHz的

，少数载流子寿命（ PS ）

MMSD301T1

500

MMSD301T1

400

克拉考尔法

300

200

100

，正向电流（mA ）

100

图1.总电容

图2.少子寿命

MMSD301T1

IR ，反向漏电流（

1.0

= 100C

= 75C

100

IF ，正向电流（mA ）

MMSD301T1

= -- 40C

= 85C

0.1

0.01

= 25C

1.0

= 25C

0.001

6.0

，反向电压（伏）

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

，正向电压（伏）

1.0

1.2

图3.反向泄漏

图4.正向电压

http://onsemi.com

MMSD301T1G ， MMSD701T1G

典型特征

MMSD701T1

2.0

CT ，总电容（PF ）

1.6

1.2

0.8

0.4

F = 1.0 MHz的

，少数载流子寿命（ PS ）

MMSD701T1

500

MMSD701T1

400

克拉考尔法

300

200

100

5.0

，反向电压（伏）

，正向电流（mA ）

100

图5.总电容

图6.少子寿命

MMSD701T1

IR ，反向漏电流（

1.0

= 100C

= 75C

100

IF ，正向电流（mA ）

MMSD701T1

= 85C

= -- 40C

0.1

1.0

= 25C

0.01

= 25C

0.001

，反向电压（伏）

0.1

0.2

0.4

0.8

1.2

，正向电压（伏）

1.6

2.0

图7.反向漏

图8.正向电压

http://onsemi.com

MMSD301T1G ， MMSD701T1G

包装尺寸

SOD-

-123

CASE 425--04

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

MILLIMETERS

DIM MIN

喃

最大

0.94

1.17

1.35

0.00

0.05

0.10

0.51

0.61

0.71

------

0.15

1.40

1.60

1.80

2.54

2.69

2.84

3.56

3.68

3.86

------

0.25

------

风格1 ：

PIN 1阴极

2.阳极

民

0.037

0.000

0.020

------

0.055

0.100

0.140

0.010

英寸

喃

0.046

0.002

0.024

------

0.063

0.106

0.145

------

最大

0.053

0.004

0.028

0.006

0.071

0.112

0.152

------

焊接足迹*

0.91

0.036

1.22

0.048

2.36

0.093

4.19

0.165

SCALE 10 ： 1

英寸

*关于我们铅的更多信息 - 免费策略和焊接

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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