【MMQA四路通用阳极系列首选设备SC- 74四核独石共阳极瞬态电压抑制器对于ESD保护这四单片硅电压】,IC型号MMQA30VT1,MMQA30VT1 PDF资料,MMQA30VT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMQA四路通用

阳极系列

首选设备

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器

对于ESD保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

特点

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6 - 33伏

引脚分配

1

2

6

1

SC74

塑料

CASE 318F

3

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

6

5

4

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率 - 最小。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率 - 最小。 150瓦@ 20

ms

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

mA

ESD额定值N类（超过16千伏）按照人体模型

无铅包可用

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

A

≤

25°C

峰值功耗@ 20

ms

（注2 ）

@ T

A

≤

25°C

在FR - 5局总功耗

（注3 ） @ T

A

= 25°C

从热阻

结到环境

对氧化铝的总功耗

基板（注4 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

从热阻

结到环境

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大

（持续10秒）

符号

P

pk

P

pk

°P

D

°

价值

24

150

°225

1.8

556

°300

2.4

417

°

55

+150°

260

单位

W

mW

毫瓦/°C的

°

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

标记图

XXX M

G

R

qJA

°P

D

°

xxx

=器件代码

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

R

qJA

T

J

, T

英镑

T

L

器件标识信息

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第5页。

订购信息

°C

查看详细的订购和发货信息在桌子上

第5页本数据表。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年8月 - 修订版6

出版订单号：

MMQA / D

MMQA四路共阳极系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

Z

ZT

@ I

ZT

（ W）（MA ）

400

300

80

100

125

150

200

最大

反向

电压@

I

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

V

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

26

28.6

30.3

31.7

34.6

39

43.3

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

V

ZT

（注5 ）

(V)

设备

MMQA5V6T1,T3

MMQA6V2T1,T3

MMQA6V8T1,T3

MMQA12VT1,T3

MMQA13VT1

MMQA15VT1,T3

MMQA18VT1,T3

MMQA20VT1,T3

MMQA21VT1,T3

MMQA22VT1,T3

MMQA24VT1,T3

MMQA27VT1,T3

MMQA30VT1,T3

MMQA33VT1,T3

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

19

20

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

12

13

15

18

20

21

22

24

27

30

33

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

21

22.1

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

@ I

ZT

（MA ）

1.0

I

R

（ nA的）

2000

700

500

75

V

R

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

11

14

15

16

17

18

21

23

25

最大

反向

浪涌

当前

I

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.554

0.504

最大

温度

系数

V的

Z

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

14

15

16

19

20.1

21

22

25

28

32

37

（PF ）

民

100

最大

250

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

V

Z

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度下进行。

浪涌电流波形每图5和图每4减免。

Z

ZT

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

,

交流频率= 1千赫。

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

5.6

0

5.6

6.8

20

27

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

Z

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

+25°C

10

40°C

100

6.8

12

20

27

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

33

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

http://onsemi.com

2

MMQA四路共阳极系列

典型特征

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

°

C

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

氧化铝基板

FR- 5局

T

A

，环境温度（ ° C）

T

A

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

％的峰值脉冲电流

t

r

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

.

t

r

≤

10

ms

I

RSM

2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

t

r

高峰值I

RSM

@ 8

ms

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

ms

半值我

RSM

/2 @ 20

ms

半值 -

50

t

P

0

t

P

0

1

2

3

吨，时间（ ms）的

4

0

20

40

吨，时间（ ms）的

60

80

图5. 10

×

1000

ms

脉冲波形

图6： 8

×

20

ms

脉冲波形

100

PPK峰值浪涌功率（ W）

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

×

100波形按照图5

8

×

20波形按照图6

10

单向

1.0

0.1

1.0

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

12

20

标称V

Z

27

33

图7.最大不重复浪涌

动力方面， Ppk的与PW

电源被定义为V

RSM

X我

Z

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

Z

（ PK）。

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3

图8.典型的最大非重复性

澎湃动力， Ppk的与V

BR

MMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA系列设备应用如下图所示。

电脑接口保护

A

键盘

终奌站

打印机

等等

B

I / O

C

D

实用

解码器

GND

MMQA系列设备

微机保护

V

DD

V

GG

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA系列设备

http://onsemi.com

4

MMQA四路共阳极系列

设备标记和订购信息

设备*

MMQA5V6T1*

MMQA6V2T1*

MMQA6V2T3*

MMQA6V8T1*

MMQA12VT1*

MMQA13VT1*

MMQA15VT1*

MMQA18VT1*

MMQA20VT1*

MMQA20VT3*

MMQA21VT1*

MMQA22VT1*

MMQA24VT1*

MMQA27VT1*

MMQA27VT3*

MMQA30VT1*

MMQA33VT1*

器件标识

5A6

6A2

6A8

12A

13A

15A

18A

20A

21A

22A

24A

27A

30A

33A

包

SC74

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

*在“G ”后缀表示无铅封装。

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳。

表面处理：

耐腐蚀面漆，容易焊。

包装设计可实现最佳的自动化电路板装配。

小封装尺寸为高密度应用。

可在8毫米磁带和卷轴。

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

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5

MMQA四路通用

阳极系列

首选设备

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器

对于ESD保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

规格特点：

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6 - 33伏

引脚分配

1

2

6

1

SC74

塑料

CASE 318F

3

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

6

5

4

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率 - 最小。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率 - 最小。 150瓦@ 20

ms

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

mA

ESD额定值N类（超过16千伏）每

人体模型

无铅包可用

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

A

≤

25°C

峰值功耗@ 20

ms

（注2 ） @

T

A

≤

25°C

在FR - 5局总功耗

（注3 ） @ T

A

= 25°C

热阻结到雄心

耳鼻喉科

在氧化铝子总功率耗散

施特拉特（注4 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到雄心

耳鼻喉科

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10

第二个持续时间）

符号

P

pk

P

pk

°P

D

°

R

qJA

°P

D

°

价值

24

150

°225

1.8

556

°300

2.4

417

°

55

+150°

260

单位

W

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

xxx

M

=器件代码

=日期代码

标记图

xxx

订购信息

R

qJA

T

J

, T

英镑

T

L

° C / W

°C

查看详细的订购和发货信息在桌子上

第5页本数据表。

器件标识信息

°C

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第5页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年4月 - 第4版

出版订单号：

MMQA / D

M

MMQA四路共阳极系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

Z

ZT

@ I

ZT

（ W）（MA ）

400

300

80

100

125

150

200

最大

反向

电压@

I

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

V

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

26

28.6

30.3

31.7

34.6

39

43.3

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

V

ZT

（注5 ）

(V)

设备

MMQA5V6T1,T3

MMQA6V2T1,T3

MMQA6V8T1,T3

MMQA12VT1,T3

MMQA13VT1

MMQA15VT1,T3

MMQA18VT1,T3

MMQA20VT1,T3

MMQA21VT1,T3

MMQA22VT1,T3

MMQA24VT1,T3

MMQA27VT1,T3

MMQA30VT1,T3

MMQA33VT1,T3

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

19

20

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

12

13

15

18

20

21

22

24

27

30

33

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

21

22.1

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

@ I

ZT

（MA ）

1.0

I

R

（ nA的）

2000

700

500

75

V

R

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

11

14

15

16

17

18

21

23

25

最大

反向

浪涌

当前

I

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.554

0.504

最大

温度

系数

V的

Z

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

14

15

16

19

20.1

21

22

25

28

32

37

（PF ）

民

100

最大

250

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

V

Z

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度下进行。

浪涌电流波形每图5和图每4减免。

Z

ZT

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

,

交流频率= 1千赫。

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

5.6

0

5.6

6.8

20

27

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

Z

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

+25°C

10

40°C

100

6.8

12

20

27

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

33

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

http://onsemi.com

2

MMQA四路共阳极系列

典型特征

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

°

C

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

氧化铝基板

FR- 5局

T

A

，环境温度（ ° C）

T

A

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

％的峰值脉冲电流

t

r

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

.

t

r

≤

10

ms

I

RSM

2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

t

r

高峰值I

RSM

@ 8

ms

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

ms

半值我

RSM

/2 @ 20

ms

半值 -

50

t

P

0

t

P

0

1

2

3

吨，时间（ ms）的

4

0

20

40

吨，时间（ ms）的

60

80

图5. 10

×

1000

ms

脉冲波形

图6： 8

×

20

ms

脉冲波形

100

PPK峰值浪涌功率（ W）

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

×

100波形按照图5

8

×

20波形按照图6

10

单向

1.0

0.1

1.0

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

12

20

标称V

Z

27

33

图7.最大不重复浪涌

动力方面， Ppk的与PW

电源被定义为V

RSM

X我

Z

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

Z

（ PK）。

http://onsemi.com

3

图8.典型的最大非重复性

澎湃动力， Ppk的与V

BR

MMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA系列设备应用如下图所示。

电脑接口保护

A

键盘

终奌站

打印机

等等

B

I / O

C

D

实用

解码器

GND

MMQA系列设备

微机保护

V

DD

V

GG

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA系列设备

http://onsemi.com

4

MMQA四路共阳极系列

设备标记和订购信息

设备

MMQA5V6T1

MMQA5V6T3

MMQA6V2T1

MMQA6V2T1G

MMQA6V2T3

MMQA6V8T1

MMQA6V8T3

MMQA12VT1

MMQA12VT1G

MMQA12VT3

MMQA13VT1

MMQA15VT1

MMQA15VT3

MMQA18VT1

MMQA18VT3

MMQA20VT1

MMQA20VT3

MMQA20VT3G

MMQA21VT1

MMQA21VT3

MMQA22VT1

MMQA22VT3

MMQA24VT1

MMQA24VT3

MMQA27VT1

MMQA27VT3

MMQA30VT1

MMQA30VT3

MMQA33VT1

MMQA33VT3

器件标识

5A6

6A2

6A8

12A

13A

15A

18A

20A

21A

22A

24A

27A

30A

33A

包

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳。

表面处理：

耐腐蚀面漆，容易焊。

包装设计可实现最佳的自动化电路板装配。

小封装尺寸为高密度应用。

可在8毫米磁带和卷轴。

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

http://onsemi.com

5

MMQA四路通用

阳极系列

首选设备

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器

对于ESD保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

规格特点：

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6 - 33伏

引脚分配

1

2

6

1

SC74

塑料

CASE 318F

3

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

6

5

4

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率 - 最小。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率 - 最小。 150瓦@ 20

ms

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

mA

ESD额定值N类（超过16千伏）每

人体模型

无铅包可用

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

A

≤

25°C

峰值功耗@ 20

ms

（注2 ） @

T

A

≤

25°C

在FR - 5局总功耗

（注3 ） @ T

A

= 25°C

热阻结到雄心

耳鼻喉科

在氧化铝子总功率耗散

施特拉特（注4 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到雄心

耳鼻喉科

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10

第二个持续时间）

符号

P

pk

P

pk

°P

D

°

R

qJA

°P

D

°

价值

24

150

°225

1.8

556

°300

2.4

417

°

55

+150°

260

单位

W

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

xxx

M

=器件代码

=日期代码

标记图

xxx

订购信息

R

qJA

T

J

, T

英镑

T

L

° C / W

°C

查看详细的订购和发货信息在桌子上

第5页本数据表。

器件标识信息

°C

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第5页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年4月 - 第4版

出版订单号：

MMQA / D

M

MMQA四路共阳极系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

Z

ZT

@ I

ZT

（ W）（MA ）

400

300

80

100

125

150

200

最大

反向

电压@

I

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

V

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

26

28.6

30.3

31.7

34.6

39

43.3

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

V

ZT

（注5 ）

(V)

设备

MMQA5V6T1,T3

MMQA6V2T1,T3

MMQA6V8T1,T3

MMQA12VT1,T3

MMQA13VT1

MMQA15VT1,T3

MMQA18VT1,T3

MMQA20VT1,T3

MMQA21VT1,T3

MMQA22VT1,T3

MMQA24VT1,T3

MMQA27VT1,T3

MMQA30VT1,T3

MMQA33VT1,T3

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

19

20

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

12

13

15

18

20

21

22

24

27

30

33

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

21

22.1

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

@ I

ZT

（MA ）

1.0

I

R

（ nA的）

2000

700

500

75

V

R

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

11

14

15

16

17

18

21

23

25

最大

反向

浪涌

当前

I

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.554

0.504

最大

温度

系数

V的

Z

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

14

15

16

19

20.1

21

22

25

28

32

37

（PF ）

民

100

最大

250

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

V

Z

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度下进行。

浪涌电流波形每图5和图每4减免。

Z

ZT

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

,

交流频率= 1千赫。

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

5.6

0

5.6

6.8

20

27

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

Z

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

+25°C

10

40°C

100

6.8

12

20

27

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

33

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

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2

MMQA四路共阳极系列

典型特征

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

°

C

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

氧化铝基板

FR- 5局

T

A

，环境温度（ ° C）

T

A

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

％的峰值脉冲电流

t

r

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

.

t

r

≤

10

ms

I

RSM

2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

t

r

高峰值I

RSM

@ 8

ms

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

ms

半值我

RSM

/2 @ 20

ms

半值 -

50

t

P

0

t

P

0

1

2

3

吨，时间（ ms）的

4

0

20

40

吨，时间（ ms）的

60

80

图5. 10

×

1000

ms

脉冲波形

图6： 8

×

20

ms

脉冲波形

100

PPK峰值浪涌功率（ W）

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

×

100波形按照图5

8

×

20波形按照图6

10

单向

1.0

0.1

1.0

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

12

20

标称V

Z

27

33

图7.最大不重复浪涌

动力方面， Ppk的与PW

电源被定义为V

RSM

X我

Z

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

Z

（ PK）。

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3

图8.典型的最大非重复性

澎湃动力， Ppk的与V

BR

MMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA系列设备应用如下图所示。

电脑接口保护

A

键盘

终奌站

打印机

等等

B

I / O

C

D

实用

解码器

GND

MMQA系列设备

微机保护

V

DD

V

GG

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA系列设备

http://onsemi.com

4

MMQA四路共阳极系列

设备标记和订购信息

设备

MMQA5V6T1

MMQA5V6T3

MMQA6V2T1

MMQA6V2T1G

MMQA6V2T3

MMQA6V8T1

MMQA6V8T3

MMQA12VT1

MMQA12VT1G

MMQA12VT3

MMQA13VT1

MMQA15VT1

MMQA15VT3

MMQA18VT1

MMQA18VT3

MMQA20VT1

MMQA20VT3

MMQA20VT3G

MMQA21VT1

MMQA21VT3

MMQA22VT1

MMQA22VT3

MMQA24VT1

MMQA24VT3

MMQA27VT1

MMQA27VT3

MMQA30VT1

MMQA30VT3

MMQA33VT1

MMQA33VT3

器件标识

5A6

6A2

6A8

12A

13A

15A

18A

20A

21A

22A

24A

27A

30A

33A

包

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳。

表面处理：

耐腐蚀面漆，容易焊。

包装设计可实现最佳的自动化电路板装配。

小封装尺寸为高密度应用。

可在8毫米磁带和卷轴。

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

http://onsemi.com

5

MMQA四路通用

阳极系列

首选设备

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器

对于ESD保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

规格特点：

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6 - 33伏

引脚分配

1

2

6

1

SC74

塑料

CASE 318F

3

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

6

5

4

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率 - 最小。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率 - 最小。 150瓦@ 20

ms

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

mA

ESD额定值N类（超过16千伏）每

人体模型

无铅包可用

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

A

≤

25°C

峰值功耗@ 20

ms

（注2 ） @

T

A

≤

25°C

在FR - 5局总功耗

（注3 ） @ T

A

= 25°C

热阻结到雄心

耳鼻喉科

在氧化铝子总功率耗散

施特拉特（注4 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到雄心

耳鼻喉科

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10

第二个持续时间）

符号

P

pk

P

pk

°P

D

°

R

qJA

°P

D

°

价值

24

150

°225

1.8

556

°300

2.4

417

°

55

+150°

260

单位

W

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

xxx

M

=器件代码

=日期代码

标记图

xxx

订购信息

R

qJA

T

J

, T

英镑

T

L

° C / W

°C

查看详细的订购和发货信息在桌子上

第5页本数据表。

器件标识信息

°C

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第5页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年4月 - 第4版

出版订单号：

MMQA / D

M

MMQA四路共阳极系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

Z

ZT

@ I

ZT

（ W）（MA ）

400

300

80

100

125

150

200

最大

反向

电压@

I

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

V

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

26

28.6

30.3

31.7

34.6

39

43.3

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

V

ZT

（注5 ）

(V)

设备

MMQA5V6T1,T3

MMQA6V2T1,T3

MMQA6V8T1,T3

MMQA12VT1,T3

MMQA13VT1

MMQA15VT1,T3

MMQA18VT1,T3

MMQA20VT1,T3

MMQA21VT1,T3

MMQA22VT1,T3

MMQA24VT1,T3

MMQA27VT1,T3

MMQA30VT1,T3

MMQA33VT1,T3

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

19

20

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

12

13

15

18

20

21

22

24

27

30

33

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

21

22.1

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

@ I

ZT

（MA ）

1.0

I

R

（ nA的）

2000

700

500

75

V

R

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

11

14

15

16

17

18

21

23

25

最大

反向

浪涌

当前

I

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.554

0.504

最大

温度

系数

V的

Z

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

14

15

16

19

20.1

21

22

25

28

32

37

（PF ）

民

100

最大

250

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

V

Z

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度下进行。

浪涌电流波形每图5和图每4减免。

Z

ZT

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

,

交流频率= 1千赫。

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

5.6

0

5.6

6.8

20

27

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

Z

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

+25°C

10

40°C

100

6.8

12

20

27

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

33

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

http://onsemi.com

2

MMQA四路共阳极系列

典型特征

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

°

C

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

氧化铝基板

FR- 5局

T

A

，环境温度（ ° C）

T

A

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

％的峰值脉冲电流

t

r

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

.

t

r

≤

10

ms

I

RSM

2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

t

r

高峰值I

RSM

@ 8

ms

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

ms

半值我

RSM

/2 @ 20

ms

半值 -

50

t

P

0

t

P

0

1

2

3

吨，时间（ ms）的

4

0

20

40

吨，时间（ ms）的

60

80

图5. 10

×

1000

ms

脉冲波形

图6： 8

×

20

ms

脉冲波形

100

PPK峰值浪涌功率（ W）

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

×

100波形按照图5

8

×

20波形按照图6

10

单向

1.0

0.1

1.0

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

12

20

标称V

Z

27

33

图7.最大不重复浪涌

动力方面， Ppk的与PW

电源被定义为V

RSM

X我

Z

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

Z

（ PK）。

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3

图8.典型的最大非重复性

澎湃动力， Ppk的与V

BR

MMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA系列设备应用如下图所示。

电脑接口保护

A

键盘

终奌站

打印机

等等

B

I / O

C

D

实用

解码器

GND

MMQA系列设备

微机保护

V

DD

V

GG

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA系列设备

http://onsemi.com

4

MMQA四路共阳极系列

设备标记和订购信息

设备

MMQA5V6T1

MMQA5V6T3

MMQA6V2T1

MMQA6V2T1G

MMQA6V2T3

MMQA6V8T1

MMQA6V8T3

MMQA12VT1

MMQA12VT1G

MMQA12VT3

MMQA13VT1

MMQA15VT1

MMQA15VT3

MMQA18VT1

MMQA18VT3

MMQA20VT1

MMQA20VT3

MMQA20VT3G

MMQA21VT1

MMQA21VT3

MMQA22VT1

MMQA22VT3

MMQA24VT1

MMQA24VT3

MMQA27VT1

MMQA27VT3

MMQA30VT1

MMQA30VT3

MMQA33VT1

MMQA33VT3

器件标识

5A6

6A2

6A8

12A

13A

15A

18A

20A

21A

22A

24A

27A

30A

33A

包

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳。

表面处理：

耐腐蚀面漆，容易焊。

包装设计可实现最佳的自动化电路板装配。

小封装尺寸为高密度应用。

可在8毫米磁带和卷轴。

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

http://onsemi.com

5

MMQA四路通用

阳极系列

首选设备

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器

对于ESD保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

规格特点：

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6 - 33伏

引脚分配

1

2

6

1

SC74

塑料

CASE 318F

3

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

6

5

4

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率 - 最小。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率 - 最小。 150瓦@ 20

ms

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

mA

ESD额定值N类（超过16千伏）每

人体模型

无铅包可用

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

A

≤

25°C

峰值功耗@ 20

ms

（注2 ） @

T

A

≤

25°C

在FR - 5局总功耗

（注3 ） @ T

A

= 25°C

热阻结到雄心

耳鼻喉科

在氧化铝子总功率耗散

施特拉特（注4 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到雄心

耳鼻喉科

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（ 10

第二个持续时间）

符号

P

pk

P

pk

°P

D

°

R

qJA

°P

D

°

价值

24

150

°225

1.8

556

°300

2.4

417

°

55

+150°

260

单位

W

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

xxx

M

=器件代码

=日期代码

标记图

xxx

订购信息

R

qJA

T

J

, T

英镑

T

L

° C / W

°C

查看详细的订购和发货信息在桌子上

第5页本数据表。

器件标识信息

°C

具体见标识信息的器件标识表

在本数据手册的第5页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年4月 - 第4版

出版订单号：

MMQA / D

M

MMQA四路共阳极系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

Z

ZT

@ I

ZT

（ W）（MA ）

400

300

80

100

125

150

200

最大

反向

电压@

I

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

V

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

26

28.6

30.3

31.7

34.6

39

43.3

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

V

ZT

（注5 ）

(V)

设备

MMQA5V6T1,T3

MMQA6V2T1,T3

MMQA6V8T1,T3

MMQA12VT1,T3

MMQA13VT1

MMQA15VT1,T3

MMQA18VT1,T3

MMQA20VT1,T3

MMQA21VT1,T3

MMQA22VT1,T3

MMQA24VT1,T3

MMQA27VT1,T3

MMQA30VT1,T3

MMQA33VT1,T3

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

19

20

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

12

13

15

18

20

21

22

24

27

30

33

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

21

22.1

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

@ I

ZT

（MA ）

1.0

I

R

（ nA的）

2000

700

500

75

V

R

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

11

14

15

16

17

18

21

23

25

最大

反向

浪涌

当前

I

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.554

0.504

最大

温度

系数

V的

Z

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

14

15

16

19

20.1

21

22

25

28

32

37

（PF ）

民

100

最大

250

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

A

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

V

Z

在脉冲测试电流I测量

T

在25 ℃的环境温度下进行。

浪涌电流波形每图5和图每4减免。

Z

ZT

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

,

交流频率= 1千赫。

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

50

0

5.6

0

5.6

6.8

20

27

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

Z

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

+25°C

10

40°C

100

6.8

12

20

27

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

33

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

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2

MMQA四路共阳极系列

典型特征

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

°

C

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

氧化铝基板

FR- 5局

T

A

，环境温度（ ° C）

T

A

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

％的峰值脉冲电流

t

r

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

.

t

r

≤

10

ms

I

RSM

2

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

t

r

高峰值I

RSM

@ 8

ms

脉冲宽度（T

P

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

ms

半值我

RSM

/2 @ 20

ms

半值 -

50

t

P

0

t

P

0

1

2

3

吨，时间（ ms）的

4

0

20

40

吨，时间（ ms）的

60

80

图5. 10

×

1000

ms

脉冲波形

图6： 8

×

20

ms

脉冲波形

100

PPK峰值浪涌功率（ W）

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

×

100波形按照图5

8

×

20波形按照图6

10

单向

1.0

0.1

1.0

10

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

12

20

标称V

Z

27

33

图7.最大不重复浪涌

动力方面， Ppk的与PW

电源被定义为V

RSM

X我

Z

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

Z

（ PK）。

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3

图8.典型的最大非重复性

澎湃动力， Ppk的与V

BR

MMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA系列设备应用如下图所示。

电脑接口保护

A

键盘

终奌站

打印机

等等

B

I / O

C

D

实用

解码器

GND

MMQA系列设备

微机保护

V

DD

V

GG

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA系列设备

http://onsemi.com

4

MMQA四路共阳极系列

设备标记和订购信息

设备

MMQA5V6T1

MMQA5V6T3

MMQA6V2T1

MMQA6V2T1G

MMQA6V2T3

MMQA6V8T1

MMQA6V8T3

MMQA12VT1

MMQA12VT1G

MMQA12VT3

MMQA13VT1

MMQA15VT1

MMQA15VT3

MMQA18VT1

MMQA18VT3

MMQA20VT1

MMQA20VT3

MMQA20VT3G

MMQA21VT1

MMQA21VT3

MMQA22VT1

MMQA22VT3

MMQA24VT1

MMQA24VT3

MMQA27VT1

MMQA27VT3

MMQA30VT1

MMQA30VT3

MMQA33VT1

MMQA33VT3

器件标识

5A6

6A2

6A8

12A

13A

15A

18A

20A

21A

22A

24A

27A

30A

33A

包

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

（无铅）

SC74

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

机械特性：

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳。

表面处理：

耐腐蚀面漆，容易焊。

包装设计可实现最佳的自动化电路板装配。

小封装尺寸为高密度应用。

可在8毫米磁带和卷轴。

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

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