【MMQA ， SZMMQA四共阳极系列SC- 74四核独石共阳极瞬态电压抑制器的ESD保护这四单片硅】,IC型号MMQA27VT1G,MMQA27VT1G PDF资料,MMQA27VT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMQA ， SZMMQA四

共阳极系列

SC- 74四核独石

共阳极

瞬态电压抑制器的ESD

保护

这四单片硅电压抑制器是专为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是

旨在用于电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗器械，和其它应用。其常见的四结

阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。

这些器件非常适合的情况下电路板空间非常

溢价。

特点

http://onsemi.com

SC- 74 QUAD瞬态

电压抑制器

24瓦峰值功率

5.6

33伏

SC- 74封装可将4个独立的单向配置

峰值功率

分钟。 24瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

峰值功率

分钟。 150瓦@ 20

（单向），

按照图6波形

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 2.0

ESD额定值3B类的（超过16千伏）按照人体

模型

SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序

站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和

PPAP有能力

无铅包可用*

SC74

CASE 318F

风格1

引脚分配

PIN 1 。

阴极

阳极

阴极

阳极

阴极

标记图

XXXMG

xxx

=具体设备守则

=凯德日期

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

器件标识&订购

信息

看具体的标记，并在设备的订购信息

标志和订购信息表该数据第6页

表。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2012

2012年2月

启示录10

出版订单号：

MMQA / D

MMQA ， SZMMQA四路共阳极系列

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

≤

25°C

峰值功耗@ 20

（注2 ）

@ T

≤

25°C

总功耗的FR- 5委员会（注3 ）

@ T

= 25°C

热阻结到环境

在氧化铝基板总功率耗散（注4 ）

@ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度

最大（ 10秒持续时间）

按照图5和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

= 25 ℃，按照图4 。

按照图6和减免上述牛逼的非重复性电流脉冲

= 25 ℃，按照图4 。

FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝

符号

qJA

价值

150

225

1.8

556

300

2.4

417

+150

260

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

qJA

, T

英镑

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1 ，2和5;引脚2,3 ，和5;引脚2 ，4和5;或销2 ，图5和6）（Ⅴ

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

最大

反向

泄漏

当前

最大齐纳

阻抗

（注7 ）

@ I

（ W）（MA ）

400

300

100

125

200

最大

反向

电压@

RSM

（注6 ）

（夹紧

电压）

RSM

(V)

8.0

9.0

9.8

17.3

18.6

21.7

28.6

30.3

31.7

34.6

48.6

电容

@ 0伏

偏置， 1兆赫

击穿电压

（注5 ）

(V)

设备

（注8）

MMQA5V6T

MMQA6V2T

MMQA6V8T

MMQA12VT

MMQA13VT

MMQA15VT

MMQA18VT

MMQA20VT

MMQA21VT

MMQA22VT

MMQA24VT

MMQA27VT

MMQA33VT

民

5.32

5.89

6.46

11.4

12.4

14.3

17.1

20.9

22.8

25.7

31.4

喃

5.6

6.2

6.8

最大

5.88

6.51

7.14

12.6

13.7

15.8

18.9

22.1

23.1

25.2

28.4

34.7

@ I

（MA ）

1.0

（ nA的）

2000

700

500

(V)

3.0

4.0

4.3

9.1

9.8

最大

反向

浪涌

当前

RSM

(A)

3.0

2.66

2.45

1.39

1.29

1.1

0.923

0.84

0.792

0.758

0.694

0.615

0.504

最大

温度

系数

V的

（毫伏/ ° C）

1.26

10.6

10.9

20.1

（PF ）

民

100

最大

250

5. V

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度下进行。

按照图5和减免每图4 6.浪涌电流波形。

7. Z

通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。该规定的限值是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

交流频率= 1千赫。

8.包括SZ-前缀的设备适用。

http://onsemi.com

MMQA ， SZMMQA四路共阳极系列

典型特征

300

250

C，电容（pF ）

200

150

100

5.6

偏置0 V

偏置在1 V

偏置在50％的

V的

喃

10,000

1,000

I R ，漏电（ NA）

+150°C

100

+25°C

-40°C

6.8

，额定齐纳电压（ V）

5.6

6.8

，额定齐纳电压（ V）

图1.典型的电容

图2.典型漏电流

峰值脉冲降容％的峰值功率

或电流@ TA = 25

300

PD ，功耗（毫瓦）

250

氧化铝基板

200

150

100

FR- 5局

100

125

150

175

200

100

125

150

175

，环境温度（ ° C）

图3.稳态功率降额曲线

图4.脉冲降额曲线

http://onsemi.com

MMQA ， SZMMQA四路共阳极系列

典型特征

％的峰值脉冲电流

100

值（％）

峰值 - 我

RSM

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到50 ％

我

RSM

≤

100

高峰值I

RSM

@ 8

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

半值我

RSM

/2 @ 20

RSM

半值 -

吨，时间（ ms）的

图5. 10

1000

脉冲波形

图6： 8

脉冲波形

100

PPK ，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形， TA = 25°C

PPK峰值浪涌功率（ W）

200

180

160

140

120

100

100波形按照图

NO TAG

20波形按照图

NO TAG

单向

1.0

0.1

1.0

PW ，脉冲宽度（毫秒）

100

1000

5.6

6.8

标称V

图7.最大不重复浪涌

动力方面， P

与PW

电源被定义为V

RSM

X我

（峰），其中V

RSM

是钳位电压在我

（ PK）。

图8.典型的最大非重复性

浪涌功率，P

与V

http://onsemi.com

MMQA ， SZMMQA四路共阳极系列

典型的共阳极应用

一个四路口共阳极设计的SC- 74

包保护四个独立的线只用一个包。

这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别

当电路板空间非常珍贵。对一个简单的例子

MMQA / SZMMQA系列设备应用图示

下文。

键盘

终奌站

打印机

等等

I / O

实用

解码器

GND

MMQA / SZMMQA系列设备

图9.计算机接口保护

地址总线

内存

只读存储器

数据总线

I / O

中央处理器

时钟

控制总线

GND

MMQA / SZMMQA

系列设备

图10.微机保护

http://onsemi.com