FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
FFB3904
E2
B2
C1
FMB3904
C2
E1
C1
E1
MMPQ3904
E2
B2
E3
B3
E4
B4
B1
SC70-6
马克： .1A
针＃ 1
C2
B1
E1
针＃ 1
B1
B2
E2
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
注：该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的，并且不会影响到
该装置的功能。
SuperSOT
-6
马克： .1A
点表示引脚＃ 1
SOIC-16
马克： MMPQ3904
针＃ 1
C1
NPN多芯片通用放大器
本设备被设计为通用放大器和开关。
的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并
100MHz的作为放大器。从工艺23采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
4
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
FFB3904
300
2.4
415
最大
FMB3904
700
5.6
180
MMPQ3904
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
40
60
6.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
40
30
70
50
100
75
60
30
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.2
0.3
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
（仅MMPQ3904 ）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 140千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 140千赫
250
4.0
8.0
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
500
400
125 °C
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.15
β
= 10
125 °C
300
25 °C
0.1
25 °C
200
100
0
0.1
- 40 °C
0.05
- 40 °C
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
4
100
0.4
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流（毫安）
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
电容（pF）
10
电容VS
反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
100
10
1
0.1
V
CB
= 30V
5
4
3
2
敖包
IBO
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
1
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
噪声系数与频率
12
NF - 噪声系数（dB ）
10
8
6
4
2
0
0.1
I C = 100
A,
R 5 = 500
噪声系数VS源电阻
12
NF - 噪声系数（dB ）
I C = 1.0毫安
I C = 1.0毫安
R 5 = 200Ω
I C = 50
A
R 5 = 1.0千欧
I C = 0.5毫安
R 5 = 200Ω
V
CE
= 5.0V
10
I C = 5.0毫安
8
6
4
2
0
0.1
I C = 50
A
I C = 100
A
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
1
10
R
S
- 源极电阻值（kΩ ）
100
电流增益和相位角
与频率
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
P
D
- POWE DIS SIPATION （ W）
h
fe
功耗与
环境温度
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
1
- 电流增益（分贝）
SOIC-16
0.75
SOT-6
θ
- 学位
θ
0.5
SC70 -6
0.25
h
V
CE
= 40V
I
C
= 10毫安
1
10
100
的F - 频率（MHz）
fe
0
0
25
50
75
100
特MPE叉涂抹（
°
C)
125
150
导通时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
40V
时间（纳秒）
100
15V
t
r @
V
CC
= 3.0V
2.0V
10
t
d @
V
CB
= 0V
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
I
c
10
上升时间与集电极电流
500
V
CC
= 40V
t
r
- 上升时间（ NS ）
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
贮藏时间与集电极电流
500
t
S
- 存储时间（纳秒）
T
J
= 25°C
秋季时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
t
f
- 下降时间（ NS ）
T
J
= 125°C
I
c
10
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
V
CC
= 40V
100
T
J
= 125°C
100
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
电流增益
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
oe
- 输出导纳（
姆欧）
500
100
输出导纳
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
fe
- 电流增益
100
10
4
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
100
h
ie
- 输入阻抗（K
)
h
re
- 电压FE EDBACK比率（ X10
4
)
输入阻抗
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
电压反馈比例
10
7
5
4
3
2
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
10
1
0.1
0.1
_
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
1
0.1
1
I
C
- COLLE CTOR电流（mA）
10
2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904
N
2N3904
C
C
B
分立功率&信号
技术
MMBT3904
E
TO-92
E
SOT-23
马克： 1A
B
MMPQ3904
B
E
B
E
B
E
B
PZT3904
C
C
E
SOIC-16
C
C
C
C
C
C
C
E
C
B
SOT-223
NPN通用放大器
本设备被设计为通用放大器和开关。
的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并
100MHz的作为放大器。从工艺23采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
40
60
6.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
40
70
100
60
30
300
V
CE（ s的）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.2
0.3
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
（ MMPQ3904除外）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
300
4.0
8.0
5.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
（ MMPQ3904除外）
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3.0 V, V
BE
= 0.5 V,
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 6.734f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 416.4 NE = 1.259伊势= 6.734 IKF = 66.78米XTB = 1.5 BR = 0.7371 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 3.638p建超= 0.3085 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.493p MJE = 0.2593 VJE = 0.75 Tr的= 239.5n铁蛋白= 301.2p
ITF = 0.4 VTF = 4 XTF = 2的Rb = 10 ）
2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904
NPN通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N3904
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT3904
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT3904
350
2.8
357
MMPQ3904
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
°
C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
400
125 °C
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.15
β
= 10
125 °C
300
25 °C
0.1
25 °C
200
100
0
0.1
I
C
- 40 C
0.05
- 40 °C
1
10
- 集电极电流（毫安）
100
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
0.4
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流（毫安）
P 23
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
100
10
1
0.1
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
500
V
CB
= 30V
0.75
0.5
SOT-223
0.25
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
测试电路
3.0 V
300纳秒
10.6 V
占空比
=
2%
0
- 0.5 V
＆ LT ;
1.0纳秒
10 K
275
C
1
＆ LT ;
4.0 pF的
图1 ：延迟和上升时间等效测试电路
3.0 V
10
＆ LT ;
t
1
＆ LT ;
500
s
t
1
10.9 V
275
占空比
=
2%
0
10 K
C
1
＆ LT ;
4.0 pF的
- 9.1 V
＆ LT ;
1.0纳秒
1N916
图2 ：存储和下降时间等效测试电路
ON Semiconductort
四通道放大器/开关
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
每
晶体管
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储
结温范围
PD
0.4
3.2
PD
0.66
5.3
TJ ， TSTG
1.92
15.4
-55到+150
800
6.4
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
价值
40
60
6.0
200
FOUR
晶体管
平等权
单位
VDC
VDC
MMPQ3904
安森美半导体首选设备
16
1
VDC
MADC
CASE 751B -05 ，风格4
SO–16
1
2
3
4
5
6
7
16
15
14
13
12
11
10
9
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
8
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
40
60
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第2版
出版订单号：
MMPQ3904/D
MMPQ3904
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
的hFE
30
50
75
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
90
160
200
0.1
0.65
—
—
—
0.2
0.85
VDC
VDC
—
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
COB
兴业银行
250
—
—
300
2.0
4.0
—
4.0
8.0
兆赫
pF
pF
开关特性
开启时间
（ IC = 10 VDC ， VBE （关闭） = -0.5伏， IB1 = 1.0 MADC ）
关断时间
（ IC = 10 MADC ， IB1 = IB2 = 1.0 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
吨
花花公子
—
—
37
136
—
—
ns
ns
http://onsemi.com
2
MMPQ3904
对于采用SO- 16表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.060
1.52
0.275
7.0
0.155
4.0
英寸
mm
0.024
0.6
0.050
1.270
SO–16
SO- 16功耗
将SO- 16的功耗是的函数
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SO- 16的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下是1.0瓦特。
PD =
150°C – 25°C
125°C/W
= 1.0瓦特
为SO- 16封装的125 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现的1.0瓦特功率耗散。有
其他的备选方案实现更高的功率耗散
从SO -16封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
使用相同的占位面积增加一倍。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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3
MMPQ3904
包装尺寸
CASE 751B -05
SO–16
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
方式4 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
英寸
民
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
–A–
16
9
–B–
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
G
K
C
–T–
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
16 PL
M
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
M
J
收藏家，染料＃ 1
收藏家， ＃ 1
收藏家， ＃ 2
收藏家， ＃ 2
收藏家， ＃ 3
收藏家， ＃ 3
收藏家， ＃ 4
收藏家， ＃ 4
BASE ， ＃ 4
发射器＃ 4
BASE ， ＃ 3
发射器＃ 3
BASE ， ＃ 2
发射器＃ 2
BASE ， ＃ 1
发射器＃ 1
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
MMPQ3904/D
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
分立功率&信号
技术
FFB3904
E2
B2
C1
FMB3904
C2
E1
C1
E1
C2
MMPQ3904
E2
B2
E3
B3
E4
B4
B1
B1
针＃ 1
B2
E2
针＃ 1
B1
E1
SC70-6
马克： .1A
SuperSOT
-6
马克： .1A
SOIC-16
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
NPN通用放大器
本设备被设计为通用放大器和开关。
的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并
100MHz的作为放大器。从工艺23采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
FFB3904
300
2.4
415
最大
FMB3904
700
5.6
180
MMPQ3904
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
40
60
6.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
40
70
100
60
30
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.2
0.3
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
（ MMPQ3904除外）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
450
2.5
6.0
2.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3.0 V, V
BE
= 0.5 V,
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
18
20
150
25
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
400
125 °C
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.15
β
= 10
125 °C
300
25 °C
0.1
25 °C
200
100
0
0.1
- 40 C
0.05
- 40 °C
1
10
100
0.1
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
0.4
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流（毫安）
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
电容（pF）
10
电容VS
反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
100
10
1
0.1
V
CB
= 30V
5
4
3
2
敖包
IBO
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
1
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
噪声系数与频率
12
NF - 噪声系数（dB ）
10
8
6
4
2
0
0.1
I C = 100
A,
R 5 = 500
噪声系数VS源电阻
12
NF - 噪声系数（dB ）
I C = 1.0毫安
I C = 1.0毫安
R 5 = 200Ω
I C = 50
A
R 5 = 1.0千欧
I C = 0.5毫安
R 5 = 200Ω
V
CE
= 5.0V
10
I C = 5.0毫安
8
6
4
2
0
0.1
I C = 50
A
I C = 100
A
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
1
10
R
S
- 源极电阻值（kΩ ）
100
电流增益和相位角
与频率
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
h
fe
P
D
- 功耗（ W）
功耗与
环境温度
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
1
- 电流增益（分贝）
0.75
SOT-6
θ
- 学位
θ
0.5
h
V
CE
= 40V
I
C
= 10毫安
1
10
100
的F - 频率（MHz）
fe
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
导通时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
40V
时间（纳秒）
100
15V
t
r @
V
CC
= 3.0V
2.0V
10
t
d @
V
CB
= 0V
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
I
c
10
上升时间与集电极电流
500
V
CC
= 40V
t
r
- 上升时间（ NS ）
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
贮藏时间与集电极电流
500
t
S
- 存储时间（纳秒）
T
J
= 25°C
秋季时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
t
f
- 下降时间（ NS ）
T
J
= 125°C
I
c
10
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
V
CC
= 40V
100
T
J
= 125°C
100
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
测试电路
3.0 V
300纳秒
10.6 V
占空比
=
2%
0
- 0.5 V
＆ LT ;
1.0纳秒
10 K
275
C
1
＆ LT ;
4.0 pF的
图1 ：延迟和上升时间等效测试电路
3.0 V
10
＆ LT ;
t
1
＆ LT ;
500
s
t
1
10.9 V
275
占空比
=
2%
0
10 K
C
1
＆ LT ;
4.0 pF的
- 9.1 V
＆ LT ;
1.0纳秒
1N916
图2 ：存储和下降时间等效测试电路
MMPQ3904
表面贴装
NPN硅
四晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体MMPQ3904 ，
包括四个晶体管和可用
SOIC -16表面贴装封装，是专为
通用放大器和开关应用。
SOIC -16 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻（总包）
热电阻（每个晶体管）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JA
60
40
6.0
200
1000
-55到+150
125
240
典型值
最大
50
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
° C / W
单位
nA
V
V
V
V
V
V
V
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
测试条件
民
符号
ICEV
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
BVCBO
IC=10A
60
BVCEO
IC=1.0mA
40
BVEBO
IE=10A
6.0
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VBE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
0.65
VBE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
40
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
70
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
60
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
30
fT
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
兴业银行
VEB = 0.5V ， F = 1.0MHz的
COB
VCB = 5.0V ， F = 1.0MHz的
NF
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 1.0kΩ ， F = 1.0Hz至15.7kHz
td
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
tr
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
ts
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
tf
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
0.20
0.30
0.85
0.95
300
450
6.0
2.5
2.0
18
20
150
25
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
ns
R0 （ 2001年7月）
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