MMJT9435
首选设备
双极功率晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用
集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 30伏直流（最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益 -
= 125 （最小值） @我
C
= 0.8 ADC
h
FE
= 90 （分） @我
C
= 3.0 ADC
低集电极发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.275伏（最大） @我
C
= 1.2 ADC
= 0.55伏直流（最大） @我
C
= 3.0 ADC
SOT- 223表面贴装包装
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B ; > 8000 V
机器型号，C ; > 400 V
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功率BJT
I
C
= 3.0安培
BV
首席执行官
= 30伏
V
CE （ SAT ）
= 0.275伏
C 2,4
B1
E3
概要
记号
图
SOT223
CASE 318E
风格1
AWW
9435
9435
A
WW
=具体设备守则
=大会地点
=工作周
引脚分配
4
C
B
1
C
2
E
3
顶视图引脚
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版5
出版订单号：
MMJT9435/D
MMJT9435
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
B
价值
30
45
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
1.0
3.0
5.0
基极电流 - 连续
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
I
C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总磷
D
@ T
A
= 25_C安装在1 “平方（ 645平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫
总磷
D
@ T
A
= 25 ℃，安装在0.012 “平方（7.6平方毫米）上的FR-4 BD材料收集垫
工作和存储结温范围
P
D
3.0
24
1.56
0.72
W
毫瓦/°C的
W
°C
T
J
, T
英镑
- 55至+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
42
80
174
单位
热阻，结到外壳
- 结到环境1 “平方米（ 645平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫
- 结到环境的0.012 “平方（ 7.6平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
° C / W
260
°C
订购信息
设备
MMJT9435T1
MMJT9435T1G
MMJT9435T3
MMJT9435T3G
包
SOT223
SOT223
（无铅）
SOT223
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极电压（ V）
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极电压（ V）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2. f
T
= |h
FE
|
f
TEST
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V，F
TEST
= 1.0兆赫）
输入电容
(V
EB
= 8.0伏）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ADC中，f = 1.0 MHz）的
直流电流增益
(I
C
= 0.8 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.2 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极电压ON
(I
C
= 1.2 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 0.8 ADC ，我
B
= 20 MADC ）
(I
C
= 1.2 ADC ，我
B
= 20 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25伏，R
BE
= 200
W)
(V
CE
= 25伏，R
BE
= 200
W,
T
J
= 125°C)
发射极 - 基极电压
(I
E
= 50
MADC ，
I
C
= 0 ADC ）
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0 ADC ）
0.75
0.25
0.50
1.0
0
1.0
0.25 A
0.5 A
图1.集电极饱和区
0.8 A
1.2 A
I
B
，基极电流（毫安）
10
特征
I
C
= 3.0 A
100
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MMJT9435
1000
3
0.05
0.25
0.10
0.15
0.20
0
1.0
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
图2.集电极饱和区
V
EBO
I
EBO
I
CER
C
ob
h
FE
C
ib
f
T
I
B
，基极电流（毫安）
10
I
C
= 0.25 A
民
125
110
90
6.0
30
0.155
典型值
135
100
220
110
0.5 A
100
0.8 A
0.210
0.275
0.550
1.10
1.25
最大
1.2 A
20
200
150
10
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
1000
QQ：2881677436 复制
