飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMH3111NT1
牧师0 ， 11/2007
异质结场效应
晶体管砷化镓（GaAs HFET ）
宽带高线性度放大器
该MMH3111NT1是一个通用放大器，内部
输入和输出prematched 。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它是合适
用于与从250到4000 MHz的频率，诸如蜂窝式应用中，
PCS ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 250至4000兆赫
P1dB为22.5 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：12 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 44 dBm的@ 900 MHz的
单5伏电源
内部Prematched 50欧姆
内部偏置
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀=每12mm时， 7英寸卷轴1,000单位。
MMH3111NT1
250 - 4000兆赫， 12分贝
22.5 dBm的
砷化镓HFET
12
3
CASE 1514至1502年，花柱2
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
12
- 14
- 14
22.5
44
2140
兆赫
11.3
- 15
- 19
22
44
3500
兆赫
10
- 16
- 14
22
42
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
(2)
电源电流
(2)
RF输入功率
存储温度范围
结温
(3)
符号
V
DD
I
DD
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
300
10
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.连续的电压和电流施加到设备。
3.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DD
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(4)
37.5
单位
° C / W
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MMH3111NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DD
= 5伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
DD
V
DD
民
11
—
—
—
—
—
120
—
典型值
12
- 14
- 14
22.5
44
3.2
150
5
最大
—
—
—
—
—
—
190
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMH3111NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
2
针
数
1
2
3
1
2
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
引脚功能
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMH3111NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
47
45
43
41
39
37
35
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
V
DD
，漏极电压（V ）
F = 900兆赫， 10元dBm的音
双色测量， 1 MHz的音调间隔
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
48
V
DD
= 5 VDC ， F = 900兆赫， 10元dBm的音
双色测量， 1 MHz的音调间隔
47
46
45
44
43
40
20
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与漏极电压
25
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
30
35
40
45
50
55
60
65
70
10
12
14
P
OUT
，输出功率（dBm ）
16
18
10
4
120
V
DD
= 5 VDC
I
DD
= 150毫安
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
10
6
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
平均无故障时间（年）
10
5
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150毫安
图10.三阶互调与
输出功率
图11. MTTF与结温
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
30
V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽输入信号的PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率（ CCDF ）
8
NF ，噪声系数（dB ）
6
40
4
50
2
V
DD
= 5 VDC
I
DD
= 150毫安
0
0
1
2
男，频率（GHz ）
3
4
60
70
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMH3111NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMH3111NT1
第1版， 4/2008
异质结场效应
晶体管砷化镓（GaAs HFET ）
宽带高线性度放大器
该MMH3111NT1是一个通用放大器，内部
输入和输出prematched 。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它是合适
用于与从250到4000 MHz的频率，诸如蜂窝式应用中，
PCS ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 250至4000兆赫
P1dB为22.5 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：12 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 44 dBm的@ 900 MHz的
单5伏电源
内部Prematched 50欧姆
内部偏置
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀=每12mm时， 7英寸卷轴1,000单位。
MMH3111NT1
250 - 4000兆赫， 12分贝
22.5 dBm的
砷化镓HFET
12
3
CASE 1514至1502年，花柱2
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
12
- 14
- 14
22.5
44
2140
兆赫
11.3
- 15
- 19
22
44
3500
兆赫
10
- 16
- 14
22
42
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
DD
I
DD
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
300
10
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DD
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
37.5
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007-2008 。版权所有。
MMH3111NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DD
= 5伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
DD
V
DD
民
11
—
—
—
—
—
120
—
典型值
12
- 14
- 14
22.5
44
3.2
150
5
最大
—
—
—
—
—
—
190
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMH3111NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
针
数
1
2
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
1
2
3
引脚功能
2
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMH3111NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
47
45
43
41
39
37
35
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
V
DD
，漏极电压（V ）
F = 900兆赫， 10元dBm的音
双色测量， 1 MHz的音调间隔
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
48
V
DD
= 5 VDC ， F = 900兆赫， 10元dBm的音
双色测量， 1 MHz的音调间隔
47
46
45
44
43
40
20
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与漏极电压
25
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
30
35
40
45
50
55
60
65
70
10
12
14
P
OUT
，输出功率（dBm ）
16
18
10
4
120
V
DD
= 5 VDC
I
DD
= 150毫安
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
10
6
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
平均无故障时间（年）
10
5
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150毫安
图10.三阶互调与
输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
图11. MTTF与结温
30
V
DD
= 5 VDC ，我
DD
= 150 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽输入信号的PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率（ CCDF ）
8
NF ，噪声系数（dB ）
6
40
4
50
2
V
DD
= 5 VDC
I
DD
= 150毫安
0
0
1
2
男，频率（GHz ）
3
4
60
70
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMH3111NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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