飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3009NT1
启5 ， 3/2008
异质结双极晶体管
（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3009NT1是一种通用放大器，内部
输入和输出进行匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它是合适
对于与从0到6000 MHz的频率，诸如蜂窝应用，
PCS ， BWA ， WLL ，小灵通，C AT V， VHF ， UHF ，UMTS andgeneral
小 - 信号RF 。
特点
频率： 0 6000兆赫
P1dB为18 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：15 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 34 dBm的@ 900 MHz的
单5伏电源
内部匹配到50欧姆
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MMG3009NT1
0 - 6000兆赫， 15分贝
18 dBm的
的InGaP HBT
12
3
CASE 1514至1502年，风格1
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
15
- 13
- 17
18
34
2140
兆赫
14
- 26
- 15
18
32
3500
兆赫
12.5
- 22
- 24
17.5
31
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
300
10
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
CC
= 5 VDC ，我
CC
= 70毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
81
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005-2008 。版权所有。
MMG3009NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
CC
= 5伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
CC
V
CC
民
14.3
—
—
—
—
—
58
—
典型值
15
- 13
- 17
18
34
4.2
70
5
最大
—
—
—
—
—
—
82
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3009NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
针
数
1
2
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
1
2
3
引脚功能
2
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3009NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
36
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
35
34
33
32
31
30
29
28
40
V
CC
= 5 VDC
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
20
0
20
40
60
80
100
33
30
27
24
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
21
4.9
4.95
5
5.05
5.1
V
CC
，集电极电压（V ）
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与集电极电压
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
30
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
40
平均无故障时间（年）
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 70毫安
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
10
5
50
10
4
60
70
80
0
3
6
9
12
15
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
3
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5 VDC ，我
CC
= 70毫安
图10.三阶互调与
输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
图11. MTTF与结温
8
20
V
CC
= 5 VDC ，我
CC
= 70 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
输入信号PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
NF ，噪声系数（dB ）
6
30
40
4
50
2
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 70毫安
0
0
1
2
男，频率（GHz ）
3
4
60
70
2
4
6
8
10
12
14
16
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3009NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3009NT1
第2版， 5/2006
异质结双极晶体管
（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3009NT1是一种通用放大器，内部
输入和输出进行匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它是合适
对于与从0到6000 MHz的频率，诸如蜂窝应用，
PCS ， BWA ， WLL ，小灵通，C AT V， VHF ， UHF ，UMTS andgeneral
小 - 信号RF 。
特点
频率： 0 6000兆赫
P1dB为18 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：15 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 34 dBm的@ 900 MHz的
单5伏电源
内部匹配到50欧姆
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MMG3009NT1
0 - 6000兆赫， 15分贝
18 dBm的
的InGaP HBT
12
3
案例1514年至1501年，风格1
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
15
- 13
- 17
18
34
2140
兆赫
14
- 26
- 15
18
32
3500
兆赫
12.5
- 22
- 24
17.5
31
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
(2)
电源电流
(2)
RF输入功率
存储温度范围
结温
(3)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
300
10
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.连续的电压和电流施加到设备。
3.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
CC
= 5 VDC ，我
CC
= 70毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(4)
81
单位
° C / W
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MMG3009NT1
6-1
飞思卡尔半导体公司
RF产品设备数据
表4.电气特性
(V
CC
= 5伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
CC
V
CC
民
14.3
—
—
—
—
—
58
—
典型值
15
- 13
- 17
18
34
4.2
70
5
最大
—
—
—
—
—
—
82
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3009NT1
6-2
飞思卡尔半导体公司
RF产品设备数据
表5.功能引脚说明
针
数
1
2
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
1
2
3
引脚功能
2
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3009NT1
飞思卡尔半导体公司
RF产品设备数据
6-3
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
36
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
35
34
33
32
31
30
29
28
40
V
CC
= 5 VDC
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
20
0
20
40
60
80
100
33
30
27
24
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
21
4.9
4.95
5
5.05
5.1
V
CC
，集电极电压（V ）
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与集电极电压
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
30
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
40
平均无故障时间（年）
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 70毫安
F = 900兆赫
1 MHz的音调间隔
10
5
50
10
4
60
70
80
0
3
6
9
12
15
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
3
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5 VDC ，我
CC
= 70毫安
图10.三阶互调与
输出功率
图11. MTTF与结温
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
8
20
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 70毫安
F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
NF ，噪声系数（dB ）
6
30
40
4
50
2
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 70毫安
0
0
1
2
男，频率（GHz ）
3
4
60
70
2
4
6
8
10
12
14
16
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3009NT1
飞思卡尔半导体公司
RF产品设备数据
6-5
QQ：2881677436 复制
