飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3004NT1
牧师0 ， 11/2005
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3004NT1是一种通用放大器，内部
prematched和专为广泛的一类，小信号，高
线性度，一般用途的应用。它适合于与应用程序
从400到2200 MHz的频率，如蜂窝， PCS ， WLL ，小灵通，
VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 400 - 2200兆赫
P1dB为27 dBm的@ 2140 MHz的
小 - 信号增益：16 dB的2140兆赫
三阶输出截取点： 44 dBm的@ 2140 MHz的
单5伏电源
内部Prematched 50欧姆
铅 - 免费信息。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MMG3004NT1
400 - 2200兆赫， 16分贝
27 dBm的
的InGaP HBT
CASE 1543至1502年
PQFN 5×5
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
19.5
- 7.5
- 10
27
44
1960
兆赫
16.5
-8
- 12
27
44
2140
兆赫
16
-8
- 12
27
44
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
(2)
电源电流
(2)
RF输入功率
存储温度范围
结温
(3)
符号
V
DC
I
DC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
400
18
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.连续的电压和电流施加到设备。
3.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DC
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
DC
= 5 VDC ，我
DC
= 250毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(4)
33
单位
° C / W
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MMG3004NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DC
= 5 VDC ， 2140兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
DC
V
DC
民
15
—
—
—
—
—
225
—
典型值
16
-8
- 12
27
44
3.4
250
5
最大
—
—
—
—
—
—
275
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3004NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
名字
RF
in
RF
OUT
/
V
CC
V
CC
V
BA
GND
针
数
2, 3, 4
10, 11, 12
14
16
背面
中心
金属
描述
V
BA
RF输入用于功率放大器。该引脚为直流 - 耦合，
需要一个直流 - 堵系列电容。
RF输出功率放大器。该引脚为直流 - 耦合
并且需要DC - 烫金系列电容。
集电极电压源。
偏置电压源。
的PQFN封装的中心金属基底提供了
DC和RF接地以及散热器接触的
电源放大器呃。
RF
in
RF
in
RF
in
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
V
CC
14
13
12
11
10
9
RF
OUT
RF
OUT
RF
OUT
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3004NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3004NT1
牧师0 ， 11/2005
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3004NT1是一种通用放大器，内部
prematched和专为广泛的一类，小信号，高
线性度，一般用途的应用。它适合于与应用程序
从400到2200 MHz的频率，如蜂窝， PCS ， WLL ，小灵通，
VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 400 - 2200兆赫
P1dB为27 dBm的@ 2140 MHz的
小 - 信号增益：16 dB的2140兆赫
三阶输出截取点： 44 dBm的@ 2140 MHz的
单5伏电源
内部Prematched 50欧姆
铅 - 免费信息。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MMG3004NT1
400 - 2200兆赫， 16分贝
27 dBm的
的InGaP HBT
CASE 1543至1502年
PQFN 5×5
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
19.5
- 7.5
- 10
27
44
1960
兆赫
16.5
-8
- 12
27
44
2140
兆赫
16
-8
- 12
27
44
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
(2)
电源电流
(2)
RF输入功率
存储温度范围
结温
(3)
符号
V
DC
I
DC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
400
18
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.连续的电压和电流施加到设备。
3.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DC
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
DC
= 5 VDC ，我
DC
= 250毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(4)
33
单位
° C / W
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MMG3004NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DC
= 5 VDC ， 2140兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
DC
V
DC
民
15
—
—
—
—
—
225
—
典型值
16
-8
- 12
27
44
3.4
250
5
最大
—
—
—
—
—
—
275
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3004NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
名字
RF
in
RF
OUT
/
V
CC
V
CC
V
BA
GND
针
数
2, 3, 4
10, 11, 12
14
16
背面
中心
金属
描述
V
BA
RF输入用于功率放大器。该引脚为直流 - 耦合，
需要一个直流 - 堵系列电容。
RF输出功率放大器。该引脚为直流 - 耦合
并且需要DC - 烫金系列电容。
集电极电压源。
偏置电压源。
的PQFN封装的中心金属基底提供了
DC和RF接地以及散热器接触的
电源放大器呃。
RF
in
RF
in
RF
in
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
V
CC
14
13
12
11
10
9
RF
OUT
RF
OUT
RF
OUT
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3004NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3004NT1
第3版， 3/2008
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3004NT1是一种通用放大器，内部
prematched和专为广泛的一类，小信号，高
线性度，一般用途的应用。它适合于与应用程序
从400到2200 MHz的频率，如蜂窝， PCS ， WLL ，小灵通，
VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 400 - 2200兆赫
P1dB为27 dBm的@ 2140 MHz的
小 - 信号增益：16 dB的2140兆赫
三阶输出截取点： 44 dBm的@ 2140 MHz的
单5伏电源
内部Prematched 50欧姆
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位16毫米， 13英寸的卷轴。
MMG3004NT1
400 - 2200兆赫， 16分贝
27 dBm的
的InGaP HBT
CASE 1543至1503年
PQFN 5×5
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
19.5
- 7.5
- 10
27
44
1960
兆赫
16.5
-8
- 12
27
44
2140
兆赫
16
-8
- 12
27
44
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
DC
I
DC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
400
18
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DC
= 5 VDC ，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
DC
= 5 VDC ，我
DC
= 250毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
33
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005-2008 。版权所有。
MMG3004NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DC
= 5 VDC ， 2140兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
DC
V
DC
民
15
—
—
—
—
—
225
—
典型值
16
-8
- 12
27
44
3.4
250
5
最大
—
—
—
—
—
—
275
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3004NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.功能引脚说明
名字
RF
in
RF
OUT
/
V
CC
V
CC
V
BA
GND
针
数
2, 3, 4
10, 11, 12
14
16
背面
中心
金属
描述
V
BA
RF输入用于功率放大器。该引脚为直流 - 耦合，
需要一个直流 - 堵系列电容。
RF输出功率放大器。该引脚为直流 - 耦合
并且需要DC - 烫金系列电容。
集电极电压源。
偏置电压源。
的PQFN封装的中心金属基底提供了
DC和RF接地以及散热器接触的
电源放大器呃。
RF
in
RF
in
RF
in
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
V
CC
14
13
12
11
10
9
RF
OUT
/V
CC
RF
OUT
/V
CC
RF
OUT
/V
CC
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3004NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
QQ：2881677436 复制
