摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MMG3002NT1 / D
射频MOSFET线
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3002NT1是一种通用放大器，内部
输入和输出进行匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它适合于
应用从40到3600 MHz的频率，例如，蜂窝，PCS
BWA ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
MMG3002NT1
40 - 3600兆赫， 20分贝
21 dBm的
的InGaP HBT
飞思卡尔半导体公司
特点
频率： 40 - 3600兆赫
P1dB为21 dBm的
功率增益： 20分贝
三阶输出截取点： 37.5 dBm的
单电源供电
内部匹配到50欧姆
低成本SOT - 89表面贴装封装
铅 - 免费信息
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
12
3
案例1514年至1501年，风格1
SOT - 89
塑料
典型性能（ 1 ）
特征
功率增益（ S21 ）
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
20
- 16
- 12
21
37.5
2140
兆赫
18
- 26
-8
21
36
3500
兆赫
14.5
- 16
- 11
18.5
32
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
最大额定值
等级
电源电压（ 2 ）
电源电流（ 2 ）
RF输入功率
存储温度范围
结温（ 3 ）
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
400
12
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
（ 2）电压和电流施加到设备。
（ 3 ）为了保证可靠的运行，结点温度不应超过
150°C.
(1) V
CC
= 5.2伏，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
热特性
(V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
值（4）
46.5
单位
° C / W
（ 4 ）请参阅AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
第2版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MMG3002NT1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(V
CC
= 5.2伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统中，摩托罗拉应用电路）
特征
功率增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流（ 1 ）
电源电压（ 1 ）
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
CC
V
CC
民
19.3
—
—
—
—
—
95
—
典型值
20
- 16
- 12
21
37.5
4.2
110
5.2
最大
—
—
—
—
—
—
125
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
（ 1）可靠工作，结温不能超过150 ℃。
飞思卡尔半导体公司
MMG3002NT1
2
摩托罗拉RF设备数据
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飞思卡尔半导体公司
功能引脚说明
针
数
1
2
1
2
3
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
引脚功能
2
工作原理图
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件/测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 - G）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 - A）
充电器型号（每JESD 22 - C101- A）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
1
摩托罗拉RF设备数据
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MMG3002NT1
3
飞思卡尔半导体公司
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
42
41
40
39
38
37
36
35
40
V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安， 900兆赫
100 kHz音调间距
8 VDC电源25
W
降压电阻
20
0
20
40
60
80
100
39
36
33
30
900兆赫
100 kHz音调间距
27
5
5.1
5.2
5.3
5.4
V
CC
，集电极电压（V ）
飞思卡尔半导体公司
T，温度（ ° C）
图7.三阶输出截取点
与集电极电压
图8.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
30
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
40
平均无故障时间（年）
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
900兆赫
100 kHz音调间距
10
5
10
4
50
60
10
3
70
80
5
7
9
11
13
15
17
19
21
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
2
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安
图9.三阶互调与
输出功率
20
图10. MTTF与结温
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
8
30
NF ，噪声系数（dB ）
6
40
4
50
V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
9
11
13
15
17
19
2
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
男，频率（GHz ）
60
70
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图11.噪声系数与频率
图12.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3002NT1
5
摩托罗拉RF设备数据
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3002NT1
牧师9 ， 3/2008
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
不推荐用于新设计
该MMG3002NT1是一种通用放大器，内部
输入和输出进行匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它适合于
应用从40到3600 MHz的频率，例如，蜂窝，PCS
BWA ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 40 - 3600兆赫
P1dB为21 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：20 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 37.5 dBm的@ 900 MHz的
单电源供电
内部匹配到50欧姆
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
40 - 3600兆赫， 20分贝
21 dBm的
的InGaP HBT
12
3
CASE 1514至1502年，风格1
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
20
- 16
- 12
21
37.5
2140
兆赫
18
- 26
-8
21
36
3500
兆赫
14.5
- 16
- 11
18.5
32
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
400
12
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC
= 5.2伏，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
表3.热特性
(V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
46.5
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2004-2008 。版权所有。
MMG3002NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
宽带高线性度放大器
MMG3002NT1
表4.电气特性
(V
CC
= 5.2伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
CC
V
CC
民
19.3
—
—
—
—
—
95
—
典型值
20
- 16
- 12
21
37.5
4.2
110
5.2
最大
—
—
—
—
—
—
125
—
单位
dB
dB
dB
不推荐用于新设计
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
DBM
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3002NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
输出功率@ 1dB压缩
DBM
表5.功能引脚说明
针
数
1
RF
in
RF
OUT
/ DC电源
2
3
引脚功能
2
不推荐用于新设计
1
2
3
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试条件/测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3002NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
地
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
42
41
40
39
38
37
36
35
40
V
CC
= 5.2伏，
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
8 VDC电源25
W
降压电阻
20
0
20
40
60
80
100
39
不推荐用于新设计
36
33
30
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
27
5
5.1
5.2
5.3
5.4
V
CC
，集电极电压（V ）
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与集电极电压
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
30
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
40
平均无故障时间（年）
10
5
10
4
50
60
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
10
3
70
80
5
7
9
11
13
15
17
19
21
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
2
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安
图10.三阶互调与
输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
20
图11. MTTF与结温
8
30
NF ，噪声系数（dB ）
6
40
4
50
V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
输入信号PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
9
11
13
15
17
19
2
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
男，频率（GHz ）
60
70
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3002NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
不推荐用于新设计
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG3002NT1
启10 ， 2/2012
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
不推荐用于新设计
该MMG3002NT1是一个通用放大器，内部输入
和输出匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它适合于
应用从40到3600 MHz的频率，例如，蜂窝，PCS
BWA ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
特点
频率： 40--3600兆赫
P1dB为21 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益：20 dB的900兆赫
三阶输出截取点： 37.5 dBm的@ 900 MHz的
单电源供电
内部匹配到50欧姆
成本 - 效益SOT - 89表面贴装封装
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位，12个毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
40-
-3600兆赫， 20分贝
21 dBm的
的InGaP HBT
12
3
CASE 1514-
-02 ，风格1
SOT-
-89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
900
兆赫
20
--16
--12
21
37.5
2140
兆赫
18
--26
--8
21
36
3500
兆赫
14.5
--16
--11
18.5
32
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
400
12
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC
= 5.2伏，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统。
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度118℃ ， 5.2伏110毫安，没有RF应用
符号
R
θJC
价值
(3)
46.5
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2004--2008 ， 2012年保留所有权利。
MMG3002NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
宽带高线性度放大器
MMG3002NT1
表4.电气特性
(V
CC
= 5.2伏， 900兆赫，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I
CC
V
CC
民
19.3
—
—
—
—
—
95
—
典型值
20
--16
--12
21
37.5
4.2
110
5.2
最大
—
—
—
—
—
—
125
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
不推荐用于新设计
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
MMG3002NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
表5.功能引脚说明
针
数
1
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
1
引脚功能
2
不推荐用于新设计
2
3
2
3
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试条件/测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B
A
IV
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG3002NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
50 OHM典型特征
OIP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
OIP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
42
39
36
33
30
27
5
5.1
5.2
41
40
39
38
37
36
35
--40
不推荐用于新设计
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
5.3
5.4
V
CC
= 5.2伏，
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
8 VDC电源25
Ω
降压电阻
--20
0
20
40
60
80
100
V
CC
，集电极电压（V ）
T，温度（ ° C）
图8.三阶输出截取点
与集电极电压
10
5
图9.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
--30
--40
--50
--60
--70
--80
5
7
9
11
13
15
17
19
21
P
OUT
，输出功率（dBm ）
V
CC
- 5.2 VDC
F = 900兆赫
100 kHz音调间距
平均无故障时间（年）
10
4
10
3
10
2
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安
图10.三阶互调失真
与输出功率
8
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
--20
--30
--40
--50
--60
--70
9
图11. MTTF与结温
NF ，噪声系数（dB ）
6
4
2
V
CC
- 5.2 VDC
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
男，频率（GHz ）
V
CC
= 5.2伏， F = 2140 MHz的
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
输入信号PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
11
13
15
17
19
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图12.噪声系数与频率
图13.单
-Carrier W-
-CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3002NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
不推荐用于新设计
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMG3002NT1 / D
射频MOSFET线
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
宽带高线性度放大器
该MMG3002NT1是一种通用放大器，内部
输入和输出进行匹配。它是专为广泛的一类，
小 - 信号，高线性度，一般用途的应用。它适合于
应用从40到3600 MHz的频率，例如，蜂窝，PCS
BWA ， WLL ，小灵通， CATV ， VHF ， UHF ， UMTS和一般的小 - 信号RF 。
MMG3002NT1
40 - 3600兆赫， 20分贝
21 dBm的
的InGaP HBT
飞思卡尔半导体公司
特点
频率： 40 - 3600兆赫
P1dB为21 dBm的
功率增益： 20分贝
三阶输出截取点： 37.5 dBm的
单电源供电
内部匹配到50欧姆
低成本SOT - 89表面贴装封装
铅 - 免费信息
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
12
3
案例1514年至1501年，风格1
SOT - 89
塑料
典型性能（ 1 ）
特征
功率增益（ S21 ）
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
20
- 16
- 12
21
37.5
2140
兆赫
18
- 26
-8
21
36
3500
兆赫
14.5
- 16
- 11
18.5
32
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
最大额定值
等级
电源电压（ 2 ）
电源电流（ 2 ）
RF输入功率
存储温度范围
结温（ 3 ）
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
7
400
12
- 65 + 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
（ 2）电压和电流施加到设备。
（ 3 ）为了保证可靠的运行，结点温度不应超过
150°C.
(1) V
CC
= 5.2伏，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统
热特性
(V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安，T
C
= 25°C)
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
值（4）
46.5
单位
° C / W
（ 4 ）请参阅AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
第2版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MMG3002NT1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(V
CC
= 5.2伏， 900兆赫，T
C
= 25 ° C， 50欧姆系统中，摩托罗拉应用电路）
特征
功率增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点
噪声系数
电源电流（ 1 ）
电源电压（ 1 ）
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IP3
NF
I
CC
V
CC
民
19.3
—
—
—
—
—
95
—
典型值
20
- 16
- 12
21
37.5
4.2
110
5.2
最大
—
—
—
—
—
—
125
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
（ 1）可靠工作，结温不能超过150 ℃。
飞思卡尔半导体公司
MMG3002NT1
2
摩托罗拉RF设备数据
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飞思卡尔半导体公司
功能引脚说明
针
数
1
2
1
2
3
3
RF
in
地
RF
OUT
/ DC电源
引脚功能
2
工作原理图
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件/测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 - G）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 - A）
充电器型号（每JESD 22 - C101- A）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
1
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MMG3002NT1
3
飞思卡尔半导体公司
50 OHM典型特征
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
IP3 ，三阶输出截取点（ DBM）
42
41
40
39
38
37
36
35
40
V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安， 900兆赫
100 kHz音调间距
8 VDC电源25
W
降压电阻
20
0
20
40
60
80
100
39
36
33
30
900兆赫
100 kHz音调间距
27
5
5.1
5.2
5.3
5.4
V
CC
，集电极电压（V ）
飞思卡尔半导体公司
T，温度（ ° C）
图7.三阶输出截取点
与集电极电压
图8.三阶输出截取点
VERSUS外壳温度
30
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
40
平均无故障时间（年）
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
900兆赫
100 kHz音调间距
10
5
10
4
50
60
10
3
70
80
5
7
9
11
13
15
17
19
21
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
2
120
125
130
135
140
145
150
T
J
，结温（ ° C）
注：平均无故障时间的计算与V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110毫安
图9.三阶互调与
输出功率
20
图10. MTTF与结温
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
8
30
NF ，噪声系数（dB ）
6
40
4
50
V
CC
= 5.2伏，我
CC
= 110 mA时， F = 2140 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
9
11
13
15
17
19
2
V
CC
- 5.2 VDC
I
CC
= 110毫安
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
男，频率（GHz ）
60
70
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图11.噪声系数与频率
图12.单 - 载波W - CDMA邻
信道功率比与输出功率
MMG3002NT1
5
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