MMFT960T1
首选设备
功率MOSFET
300毫安， 60伏
N沟道SOT- 223
这种功率MOSFET是专为高速，低功率损耗
切换应用，如开关稳压器，直流 - 直流转换器，
电磁阀和继电器驱动器。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
硅栅的快速开关速度
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ TA = 25℃
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
VDS
VGS
ID
PD
价值
60
±30
300
0.8
6.4
TJ ， TSTG
-65
150
单位
伏
伏
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
4
http://onsemi.com
300毫安
60伏特
RDS （ ON） = 1.7
W
N沟道
D
G
S
记号
图
热特性
热电阻 -
结到环境
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
156
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
2
3
TO–261AA
CASE 318E
方式3
FT960
LWW
L
WW
=地点代码
=工作周
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板利用最小
推荐的足迹。
引脚分配
4
漏
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
MMFT960T1
包
SOT–223
航运
1000磁带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第4版
出版订单号：
MMFT960T1/D
MMFT960T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ）
门体漏电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
60
–
–
–
–
–
–
10
50
VDC
μAdc
NADC
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.0 A）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10V ， ID = 0.5 A）
（ VGS = 10V ， ID = 1.0 A）
正向跨导
（ VDS = 25 V ， ID = 0.5 A）
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
–
–
600
0.8
1.7
–
毫姆欧
1.0
–
–
–
3.5
1.7
VDC
欧
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
（ VGS = 10 V ID = 1 0
V,
1.0 A,
VDS = 48 V）
（VDS = 25 V VGS = 0时，
V,
0
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
65
33
7.0
3.2
1.2
2.0
–
–
–
–
–
–
nC
pF
典型电气特性
5
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
3
2
1
0
8V
7V
6V
5V
4V
0
4
6
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
0
0
4
6
8
VGS ，栅极至源极电压（伏）
2
10
I D ，漏极电流（ AMPS ）
4
0.8
0.6
0.4
VDS = 10V
0.2
1
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
图1.区域特征
图2.传输特性
http://onsemi.com
2
MMFT960T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片对于SOT- 223封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在此情况下为0.8瓦。
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的0.8瓦的功耗。
有其他选择实现更高的功率
耗散从SOT- 223封装。之一是增加
收集垫的面积。通过增加的面积
收集垫，所述功耗可增加。
虽然功耗几乎可以用翻倍
这种方法中，区域被占用的印刷电路板
它可以打败采用表面贴装的目的
技术。为R的曲线图
θJA
与集热板面积
如图9所示。
http://onsemi.com
4
MMFT960T1
首选设备
功率MOSFET
300毫安， 60伏
N沟道SOT- 223
这种功率MOSFET是专为高速，低功率损耗
切换应用，如开关稳压器，直流 - 直流转换器，
电磁阀和继电器驱动器。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
硅栅的快速开关速度
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ TA = 25℃
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
VDS
VGS
ID
PD
价值
60
±30
300
0.8
6.4
TJ ， TSTG
-65
150
单位
伏
伏
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
4
http://onsemi.com
300毫安
60伏特
RDS （ ON） = 1.7
W
N沟道
D
G
S
记号
图
热特性
热电阻 -
结到环境
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
156
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
2
3
TO–261AA
CASE 318E
方式3
FT960
LWW
L
WW
=地点代码
=工作周
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板利用最小
推荐的足迹。
引脚分配
4
漏
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
MMFT960T1
包
SOT–223
航运
1000磁带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第4版
出版订单号：
MMFT960T1/D
MMFT960T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ）
门体漏电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
60
–
–
–
–
–
–
10
50
VDC
μAdc
NADC
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.0 A）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10V ， ID = 0.5 A）
（ VGS = 10V ， ID = 1.0 A）
正向跨导
（ VDS = 25 V ， ID = 0.5 A）
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
–
–
600
0.8
1.7
–
毫姆欧
1.0
–
–
–
3.5
1.7
VDC
欧
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
（ VGS = 10 V ID = 1 0
V,
1.0 A,
VDS = 48 V）
（VDS = 25 V VGS = 0时，
V,
0
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
65
33
7.0
3.2
1.2
2.0
–
–
–
–
–
–
nC
pF
典型电气特性
5
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
3
2
1
0
8V
7V
6V
5V
4V
0
4
6
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
0
0
4
6
8
VGS ，栅极至源极电压（伏）
2
10
I D ，漏极电流（ AMPS ）
4
0.8
0.6
0.4
VDS = 10V
0.2
1
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
图1.区域特征
图2.传输特性
http://onsemi.com
2
MMFT960T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片对于SOT- 223封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在此情况下为0.8瓦。
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的0.8瓦的功耗。
有其他选择实现更高的功率
耗散从SOT- 223封装。之一是增加
收集垫的面积。通过增加的面积
收集垫，所述功耗可增加。
虽然功耗几乎可以用翻倍
这种方法中，区域被占用的印刷电路板
它可以打败采用表面贴装的目的
技术。为R的曲线图
θJA
与集热板面积
如图9所示。
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMFT960T1 / D
中功率场效应
晶体管
N沟道增强模式
硅栅TMOS
SOT- 223表面贴装
这TMOS中功率场效应晶体管是专为
高速，低损失的功率开关应用如
开关稳压器， DC-DC转换器，电磁阀和继电器驱动器。
该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其目的是
中等功率表面贴装应用。
硅栅的快速开关速度
RDS （ ON）= 1.7欧姆最大
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
采用12毫米磁带和卷轴
使用MMFT960T1责令7英寸/ 1000单元卷轴
使用MMFT960T3订购13英寸/ 4000单元卷轴
1
门
3源
2,4漏
MMFT960T1
摩托罗拉的首选设备
中功率
TMOS场效应管
300毫安
60伏特
RDS （ ON）= 1.7欧姆最大
4
1
2
3
CASE 318E -04 ，花柱3
TO–261AA
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDS
VGS
ID
PD
TJ ， TSTG
价值
60
±
30
300
0.8
6.4
- 65 150
单位
伏
伏
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
器件标识
FT960
热特性
热电阻 - 结到环境
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
156
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
1.装置安装在FR-4玻璃环氧利用最小推荐的足迹印刷电路板。
TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MMFT960T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ）
门体漏电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
60
—
—
—
—
—
—
10
50
VDC
μAdc
NADC
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.0 A）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10V ， ID = 0.5 A）
（ VGS = 10V ， ID = 1.0 A）
正向跨导
（ VDS = 25 V ， ID = 0.5 A）
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
—
—
—
600
0.8
1.7
—
毫姆欧
1.0
—
—
—
3.5
1.7
VDC
欧
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
（ VGS = 10V ， ID = 1 0
V
1.0 A,
VDS = 48 V）
（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，
V
0
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
—
—
—
—
—
—
65
33
7.0
3.2
1.2
2.0
—
—
—
—
—
—
nC
pF
典型电气特性
5
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
3
8V
7V
2
6V
5V
4V
0
0
4
6
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
0
0
4
6
8
VGS ，栅极至源极电压（伏）
2
10
I D ，漏极电流（ AMPS ）
4
0.8
1
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
TJ = 125°C
0.6
0.4
VDS = 10V
0.2
1
图1.区域特征
图2.传输特性
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMFT960T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍，面积为
在印刷电路板，它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图9 。
160
RJ-A ，热阻，结
到环境（ C / W ）
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为0.8瓦。
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板来实现的0.8瓦的功耗。有
其他的替代品，从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中，所述
功率消耗可以增加。虽然动力
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A，面积（平方英寸）
0.8
1.0
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
θ
80
0.0
图9.热电阻与集电极
为SOT- 223封装焊盘面积（典型值）
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMFT960T1
首选设备
功率MOSFET
300毫安， 60伏
N沟道SOT- 223
这种功率MOSFET是专为高速，低功率损耗
切换应用，如开关稳压器，直流 - 直流转换器，
电磁阀和继电器驱动器。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
300毫安， 60伏
R
DS （ ON）
= 1.7
W
N沟道
D
硅栅的快速开关速度
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以焊接使用波或回流
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除了损坏的管芯的可能性
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
价值
60
±
30
300
0.8
6.4
T
J
, T
英镑
-65到150
单位
V
V
MADC
W
毫瓦/°C的
°C
1
2
G
S
4
TO261AA
CASE 318E
方式3
3
标记图和
引脚分配
4漏
AYW
FT960
G
G
1
门
2
漏
3
来源
热特性
热阻，结到环境
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
R
qJA
T
L
156
260
10
° C / W
°C
S
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板利用最小
推荐的足迹。
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
FT960 =器件代码
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMFT960T1
MMFT960T1G
包
SOT223
SOT223
（无铅）
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MMFT960T1/D
MMFT960T1
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE L
D
b1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
4
H
E
1
2
3
E
b
e1
e
q
C
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L1
H
E
A
0.08 (0003)
A1
q
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
1.50
6.70
0°
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.060
0.264
0°
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
L1
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MMFT960T1/D
QQ：2880707522 复制
