摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMFT1N10E / D
中功率场效应晶体管
N沟道增强模式
硅栅TMOS E- FET
t
SOT- 223表面贴装
这种先进的E- FET是TMOS中功率MOSFET
设计成能承受高能量的雪崩和换向
化模式。这种新的节能器件还提供了一个
漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。专为低
电压，在电源的高速开关应用，
dc-dc变换器和PWM电机控制，这些设备是
特别适合好桥梁电路中二极管的速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供额外的
安全裕度对突发电压瞬变。该装置是
收纳在SOT - 223封装，其目的是为介质
功率表面贴装应用。
硅栅的快速开关速度
低RDS（ON ） - 0.25
最大
采用SOT - 223封装可以焊接使用波或再
流动。所形成的信息吸收热应力在溶胶
dering ，消除损伤到芯片的可能性
采用12毫米磁带和卷轴
使用MMFT1N10ET1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用MMFT1N10ET3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 60 V ， VGS = 10V ，峰值IL = 1 ， L = 0.2 mH的， RG = 25
)
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD(1)
TJ ， TSTG
EAS
1
G
S
3
MMFT1N10E
摩托罗拉的首选设备
中功率
TMOS场效应管
1安培
100伏
RDS （ ON）= 0.25 OHM
2,4
D
1
4
2
3
CASE 318E -04 ，花柱3
TO–261AA
价值
100
±
20
1
4
0.8
6.4
- 65 150
168
单位
VDC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
mJ
器件标识
1N10
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
156
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
（ 1 ）安装在FR- 4玻璃环氧树脂印刷电路板使用推荐的足迹时，额定功率。
TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
E- FET是Motorola， Inc.的商标。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 3
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1995年
1
MMFT1N10E
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（ VGS = 0 ， ID = 250
A)
零栅极电压漏极电流（ VDS = 100 V， VGS = 0 ）
门体漏电流， （ VGS = 20V时， VDS = 0）
基本特征
栅极阈值电压（ VDS = VGS ， ID = 1 mA）的
静态漏 - 源极导通电阻， （ VGS = 10V ， ID = 0.5 A）
漏极 - 源极导通电压（ VGS = 10V ， ID = 1 ）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 0.5 A）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（ VDS = 80 V， ID = 1 A，
VGS = 10 V直流）
请参阅图15和16
（ VDD = 25 V ， ID = 0.5 A
VGS = 10V ， RG = 50欧姆，
RGS = 25欧姆）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
—
—
—
—
—
—
—
15
15
30
32
7
1.3
3.2
—
—
ns
—
—
—
—
—
nC
（ VDS = 20 V ，
VGS = 0时，
F = 1 MHz）的
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
410
145
55
—
—
—
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
政府飞行服务队
2
—
—
—
—
—
—
2.2
4.5
0.25
0.33
—
VDC
欧
VDC
姆欧
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
100
—
—
—
—
—
—
10
100
VDC
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
源极漏极二极管的特性（ 1 ）
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
IS = 1 A， VGS = 0
IS = 1 A， VGS = 0 ，
DLS / DT = 400 A / μs的，
VR = 50 V
VSD
吨
TRR
—
—
0.8
—
VDC
由杂散电感限制
90
—
ns
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMFT1N10E
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它开启时，或者被接通。
由于这些曲线包括同时限制
高电压和高电流，达到器件的评价，
它们是线性系统的设计者特别有用。该
曲线是基于25的环境温度下
°
C和一个
150最大结温
°
C.限制为重
petitive脉冲在不同的环境温度下可被去
通过使用热响应曲线termined 。摩托罗拉
应用笔记， AN569 ， “瞬态热电阻 -
通用数据及其应用“提供了详细的说明。
开关安全工作区
在开关的安全操作区（SOA）是边界
负载线可以穿过，而不会产生损坏
在MOSFET 。最根本的限制是峰值电流，
IDM和击穿电压， BVDSS 。开关SOA
同时适用于导通和关断的装置的供
切换时间小于1微秒。
1.0
R（T ） ，热阻
（归一化）
0.001
0.1
10
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1
VGS = 20 V
单脉冲
TA = 25°C
20毫秒
100毫秒
0.1
1s
DC
500毫秒
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
1
10
100
0.01
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P（ PK）
R
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
R
θJA
= 156 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）R
θJA
(t)
0.01
0.01
单脉冲
0.001
1.0E–05
t1
t2
占空比D = T1 / T2
1.0E–01
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
T，时间（S ）
1.0E+00
1.0E+01
图8.热响应
换向安全工作区（ CSOA ）
换向安全工作区（ CSOA ）图10中定义了安全运行的极限换向源极 - 漏极
电流对再施加漏极电压时，源极 - 漏极二极管发生了正向偏置。该曲线示出了局限性
IFM的tions和峰值VDS为电源电流的变化的给定速度。它是适用于当类似于图的波形
9顷本。全桥或半桥PWM直流电动机控制器是需要CSOA数据普遍应用。
设备的应力增加这么DIS / dt的指定与最大值增加源电流的变化率。更高
DIS值/ dt的要求IFM ，峰值VDS或两者适当降额。最终DIS / DT主要是由设备的限制，封装，
和电路阻抗。 TRR过程中出现的最大器件应力二极管变为由传导到反向阻断。
VDS （峰）的峰的漏 - 源电压，该设备必须在换向期间的维持;我FM是最大前进
源极 - 漏极二极管的电流刚好在换向的发作。
VR被指定在80 ％额定的BVDSS ，以确保CSOA应力被最大化为IS从IRM衰减到零。
RGS应换向期间被最小化。 TJ只有在CSOA二阶效应。
摩托罗拉公司的测试电路的杂散电感被假定为实际的最小值。 DS的dV / dt的超过10 V / ns的是AT-
tained 400 A / μs的迪S / DT 。
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
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