摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMFT108T1 / D
场效应晶体管
N沟道增强模式
逻辑电平SOT- 223
2,4漏极
MMFT108T1
TMOS场效应管
晶体管
N沟道 -
增强
1
门
3源
1
2
3
4
CASE 318E -04 ,花柱3
SOT- 223 ( TO- 261AA )
最大额定值
等级
漏 - 源电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VGS
ID
PD
0.8
6.4
TJ , TSTG
- 65 + 150
瓦
毫瓦/°C的
°C
价值
200
±20
250
单位
伏
伏
MADC
器件标识
MT108
热特性
热电阻 - 结到环境( 1 )
最大焊接温度的目的
在焊接巴斯最大时间
R
θJA
TL
156
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
1.装置安装在用最小的FR4玻璃环氧树脂印刷电路推荐的足迹。
TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MMFT108T1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
(VGS = 0时, n = 10
m
A)
零栅极电压漏极电流
(VDS = 130 V ,V GS = 0)
门体漏电流 - 反向
( VGS = 15V直流电, VDS = 0 )
V( BR ) DSS
200
IDSS
—
IGSS
—
—
10
—
30
NADC
—
—
NADC
VDC
基本特征( 2 )
栅极阈值电压
(ID = 1.0 MADC , VDS = VGS )
静态漏 - 源极导通电阻
( VGS = 2.0伏, ID = 50 mA)的
( VGS = 2.8伏, ID = 100 mA时)
排水截止电流
( VGS = 0.2 V , VDS = 70 V)
VGS ( TH)
0.5
RDS ( ON)
—
—
IDSX
—
—
25
—
—
10
8.0
—
1.5
欧
VDC
m
A
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
( VDS = 25 V , VGS = 0 ,
V
0
F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
—
—
—
150
30
10
pF
开关特性
导通时间(见图1 )
关断时间(参见图1 )
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比= 2.0 % 。
吨
花花公子
—
—
—
—
15
15
ns
ns
电阻开关
+25 V
23
脉冲发生器
VIN
40 pF的
50
50
1.0 M
20分贝
50
衰减器
抽样范围
50
输入
VOUT
吨
90%
花花公子
90%
10%
90%
10 V
输入
VIN
50%
10%
脉冲
宽度
50%
产量
V
倒飞出去
图1.开关测试电路
图2的开关波形
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MMFT108T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍,面积为
在印刷电路板,它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图9 。
160
RJ-A ,热阻,结
到环境( C / W )
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为0.8瓦。
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板来实现的0.8瓦的功耗。有
其他的替代品,从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中,所述
功率消耗可以增加。虽然动力
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A,面积(平方英寸)
0.8
1.0
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板,如热复合 。利用
板的材料,例如热复合,铝芯
板,所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
θ
80
0.0
图3.热阻与收藏家
为SOT- 223封装焊盘面积(典型值)
3