MMFT107T1
首选设备
功率MOSFET
250毫安， 200伏
N沟道SOT- 223
这种功率MOSFET是专为高速，低功率损耗
切换应用，如开关稳压器，直流 - 直流转换器，
电磁阀和继电器驱动器。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
硅栅的快速开关速度
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ TA = 25℃
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
VDSS
VGS
ID
PD
价值
200
±20
250
0.8
6.4
TJ ， TSTG
-65
150
单位
伏
伏
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
4
http://onsemi.com
250毫安
200伏
RDS （ ON）= 14
W
N沟道
D
G
S
记号
图
热特性
热电阻 -
结到环境
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
260
10
156
° C / W
2
3
TO–261AA
CASE 318E
方式3
FT107
LWW
°C
美国证券交易委员会
L
WW
=地点代码
=工作周
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路利用最小
推荐的足迹。
引脚分配
4
漏
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
MMFT107T1
MMFT107T3
包
SOT–223
SOT–223
航运
1000磁带和放大器;卷轴
4000磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第4版
出版订单号：
MMFT107T1/D
MMFT107T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（VDS = 130 V ，V GS = 0）
门体漏电流 - 反向
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
200
–
–
–
–
–
–
30
10
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 200 mA）的
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10V ， ID = 200 mA）的
正向跨导
（ VDS = 25 V ， ID = 250 mA）的
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
–
–
–
–
–
–
300
3.0
14
2.8
–
VDC
欧
VDC
毫姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
（VDS = 25 V VGS = 0时，
V,
0
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
60
30
6.0
–
–
–
pF
源极漏极二极管的特性
二极管的正向电压
连续源电流，身体
二极管
脉冲源电流，身体
二极管
（VGS = 0时，
IS = 250 mA）的
VF
IS
ISM
–
–
–
0.8
–
–
–
250
500
V
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
典型电气特性
2.5
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2
1.5
1
0.5
0
3V
VGS = 10 V
500
VDS = 10V
I D ，漏电流（毫安）
400
300
200
100
0
6V
4V
5V
TJ = 125°C
-55°C
0
25°C
5
0
4
6
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
2
3
4
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1
图1.区域特征
图2.传输特性
http://onsemi.com
2
MMFT107T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片对于SOT- 223封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在此情况下为0.8瓦。
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的0.8瓦的功耗。
有其他选择实现更高的功率
耗散从SOT- 223封装。之一是增加
收集垫的面积。通过增加的面积
收集垫，所述功耗可增加。
虽然功耗几乎可以用翻倍
这种方法中，区域被占用的印刷电路板
它可以打败采用表面贴装的目的
技术。为R的曲线图
θJA
与集热板面积
如图9所示。
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4
MMFT107T1
首选设备
功率MOSFET
250毫安， 200伏
N沟道SOT- 223
这种功率MOSFET是专为高速，低功率损耗
切换应用，如开关稳压器，直流 - 直流转换器，
电磁阀和继电器驱动器。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
硅栅的快速开关速度
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 不重复
漏电流
总功率耗散@ TA = 25℃
（注1 ）
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
VDSS
VGS
ID
PD
价值
200
±20
250
0.8
6.4
TJ ， TSTG
-65
150
单位
伏
伏
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
4
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250毫安
200伏
RDS （ ON）= 14
W
N沟道
D
G
S
记号
图
热特性
热电阻 -
结到环境
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
260
10
156
° C / W
2
3
TO–261AA
CASE 318E
方式3
FT107
LWW
°C
美国证券交易委员会
L
WW
=地点代码
=工作周
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路利用最小
推荐的足迹。
引脚分配
4
漏
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
MMFT107T1
MMFT107T3
包
SOT–223
SOT–223
航运
1000磁带和放大器;卷轴
4000磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第4版
出版订单号：
MMFT107T1/D
MMFT107T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（VDS = 130 V ，V GS = 0）
门体漏电流 - 反向
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
200
–
–
–
–
–
–
30
10
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 200 mA）的
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10V ， ID = 200 mA）的
正向跨导
（ VDS = 25 V ， ID = 250 mA）的
VGS （ TH）
RDS （ ON）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
–
–
–
–
–
–
300
3.0
14
2.8
–
VDC
欧
VDC
毫姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
（VDS = 25 V VGS = 0时，
V,
0
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
60
30
6.0
–
–
–
pF
源极漏极二极管的特性
二极管的正向电压
连续源电流，身体
二极管
脉冲源电流，身体
二极管
（VGS = 0时，
IS = 250 mA）的
VF
IS
ISM
–
–
–
0.8
–
–
–
250
500
V
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
典型电气特性
2.5
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2
1.5
1
0.5
0
3V
VGS = 10 V
500
VDS = 10V
I D ，漏电流（毫安）
400
300
200
100
0
6V
4V
5V
TJ = 125°C
-55°C
0
25°C
5
0
4
6
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
10
2
3
4
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1
图1.区域特征
图2.传输特性
http://onsemi.com
2
MMFT107T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片对于SOT- 223封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
PD = 150 °C - 25 ° C = 0.8瓦特
156°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在此情况下为0.8瓦。
为SOT- 223封装的156 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的0.8瓦的功耗。
有其他选择实现更高的功率
耗散从SOT- 223封装。之一是增加
收集垫的面积。通过增加的面积
收集垫，所述功耗可增加。
虽然功耗几乎可以用翻倍
这种方法中，区域被占用的印刷电路板
它可以打败采用表面贴装的目的
技术。为R的曲线图
θJA
与集热板面积
如图9所示。
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