MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMDT5551
·
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
能功率耗散200mWatts的
适用于中等功率放大和
开关
工作和存储结温度： -55 150
标记： K4N
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 MADC ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μA ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4Vdc电压，我
C
=0)
收集截止电流
(V
CB
= 120VDC ，我
E
=0)
集电极电流连续
热阻，结到环境
民
160
180
6.0
50
50
200
625
最大
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
mA
K / W
塑料封装
晶体管
SOT-363
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
EBO
I
CBO
I
C
R
qJA
B
C
A
H
M
J
基本特征
h
FE
直流电流增益*
(I
C
= 1mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 20VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 5.0Vdec ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
Rg=1kohm
V
CE
= 5.0Vdec ， IC = 200uA ， F = 1.0KHz
80
80
250
0.15
1.0
VDC
VDC
K
D
L
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
小信号特性
f
T
C
敖包
100
300
6.0
8.0
兆赫
pF
NF
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
尺寸
噪声系数
英寸
民
最大
.006
.014
.045
.053
.085
.096
.026
.047
.055
.071
.087
---
.004
.035
.043
.010
.018
.003
.006
MM
民
最大
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
记
www.mccsemi.com
修改：
A
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
2 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMDT5551
特点
·
外壳材料：模压塑料。防火
分类中的评级94-0和MSL等级1
标记： K4N
表面贴装SOT- 363封装
能功率耗散200mWatts的
适用于中等功率放大和
开关
工作和存储结温度： -55 150
塑料封装
晶体管
SOT-363
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
EBO
I
CBO
I
C
R
qJA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 MADC ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μA ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4Vdc电压，我
C
=0)
收集截止电流
(V
CB
= 120VDC ，我
E
=0)
集电极电流连续
热阻，结到环境
民
160
180
6.0
50
50
200
625
最大
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
mA
K / W
K
B
C
A
H
M
J
基本特征
h
FE
直流电流增益*
(I
C
= 1mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 20VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 5.0Vdec ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
Rg=1kohm
V
CE
= 5.0Vdec ， IC = 200uA ， F = 1.0KHz
80
80
250
0.15
1.0
VDC
VDC
D
L
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
小信号特性
f
T
C
敖包
100
300
6.0
8.0
兆赫
pF
NF
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
尺寸
英寸
民
.006
.045
.085
.026
.047
.071
---
.035
.010
.003
.055
.087
.004
.043
.018
.006
最大
.014
.053
.096
噪声系数
MM
民
最大
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
记
www.mccsemi.com
修改：
5
1 2
2008/12/31
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
5
2 2
2008/12/31
MMDT5551
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ MMDT5401 ）
非常适用于中等功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
—
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
A
B
C
D
F
M
E
2
B
2
C
1
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息： K4N ，见第3页
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.006克（近似值）
K
G
H
0.65标称
H
J
K
L
M
α
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功耗
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
（注1 ）
（注1,2）
（注1 ）
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
180
160
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.最大组合耗散。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
5.产品使用日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30172牧师8 - 2
1 4
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MMDT5551
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注6 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注6 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
180
160
6.0
80
80
30
50
100
最大
50
50
250
0.15
0.20
1.0
单位
V
V
V
nA
μA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安， F = 1.0KHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 200μA,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
敖包
h
fe
f
T
NF
6.0
250
300
8.0
pF
兆赫
dB
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
200
P
D
，功耗（毫瓦）
0.15
0.14
I
C
I
B
= 10
150
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
0.13
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
1
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
100
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗对比
环境温度
200
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 ，集电极发射极饱和电压
与集电极电流
DS30172牧师8 - 2
2 4
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MMDT5551
Diodes公司
1,000
1.0
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益随
集电极电流
100
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，基极发射极电压
与集电极电流
100
h
FE
，直流电流增益
100
10
1
1
1,000
f
T
，增益带宽积（兆赫）
100
10
1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，增益带宽积主场迎战
集电极电流
100
订购信息
设备
MMDT5551-7-F
注意事项：
7.
（注7 ）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K4N
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
DS30172牧师8 - 2
YM
K4N
2002
N
APR
4
K4N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
3 4
www.diodes.com
MMDT5551
Diodes公司
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30172牧师8 - 2
4 4
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Diodes公司
SPICE模型： MMDT5551
MMDT5551
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ MMDT5401 ）
非常适用于中等功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注3 ）
E
2
B
2
C
1
C
2
A
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
A
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
B
C
D
F
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
K
G
H
0.65标称
H
J
K
L
M
a
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成退火
在合金引线框架42 ） 。
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K4N
订购&日期代码信息：参见第2页
重0.006克数（大约）
E
2
B
2
C
1
C
2
B
1
E
1
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
180
160
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1,2 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.最大组合耗散。
3.没有故意添加铅。
DS30172启示录7 - 2
1 4
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MMDT5551
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注4 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
180
160
6.0
80
80
30
50
100
最大
50
50
250
0.15
0.20
1.0
单位
V
V
V
nA
mA
nA
测试条件
I
C
= 100mA时我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10毫安，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
=的200mA，
R
S
= 1.0KW ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
敖包
h
fe
f
T
NF
6.0
250
300
8.0
pF
兆赫
dB
订购信息
设备
（注5 ）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
MMDT5551-7-F
注意事项：
4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K4N
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
YM
K4N
2002
N
五月
5
K4N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
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