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MMDT4401
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
外延平面片建设
非常适用于低功率放大
和开关
超小型表面贴装封装
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
A
B
C
D
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K2X
订购&日期代码信息：
见第2页
重0.006克数（大约）
K
E
2
B
2
C
1
H
0.65标称
F
H
J
K
L
M
a
J
D
C
2
B
1
E
1
F
L
E
2
B
2
C
1
尺寸：mm
顶视图
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMDT4401
60
40
6.0
600
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
K / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1,2 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.最大组合耗散。
DS30111牧师4 - 2
1第3
www.diodes.com
MMDT4401
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注3 ）
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
I
C
= 100μA ，V
CE
=
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=
I
C
= 10毫安，V
CE
=
I
C
= 150毫安，V
CE
=
I
C
= 500毫安，V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
2.0V
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
100
100
V
V
V
nA
nA
I
C
= 100mA时我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100mA时我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
符号
民
最大
单位
测试条件
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
（注4 ）
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
订购信息
设备
MMDT4401-7
注意事项：
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2X YM
K2X YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
K2X =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30111牧师4 - 2
2 3
www.diodes.com
MMDT4401
30
V
CE，
集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
C
= 300毫安
I
C
= 30毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
20
10
CIBO
电容（pF）
5.0
科博
1.0
0.1
1.0
10
50
REVERSE伏（V ）
图。 1典型电容
I
B,
基极电流（毫安）
图。 2典型集电极饱和区
DS30111牧师4 - 2
3 3
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MMDT4401
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M38030F4L-XXXHP
MI-QC2KR-IXY
MI-P5YT-IYX
MAX1622EUA
MGW21N60ED
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批号
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