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SPICE模型： MMDT3904VC
MMDT3904VC
无铅绿色
双NPN小信号表面贴装
晶体管
新产品
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注4 ）
"Green Device" （注5）
E
1
B
1
C
2
C
1
A
B
2
E
2
B C
SOT-563
暗淡
民
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
典型值
0.25
1.20
1.60
A
B
C
D
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： APK
订购信息：见下文
日期代码信息：参见第2页
重量：0.003克数（大约）
K
D
G
M
H
G
H
L
K
L
M
见注1
C
1
B
2
E
2
尺寸：mm
E
1
B
1
C
2
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
订购信息
（注3）
设备
MMDT3904VC-7
注意事项：
包装
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向） 。
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
4.没有故意添加铅。
5.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30636修订版3 - 2
1第3
www.diodes.com
MMDT3904VC
Diodes公司
新产品
电气特性
特征
开关特性（注6 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注6 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
5.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
=
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=
I
C
= 10毫安，V
CE
=
I
C
= 50mA时V
CE
=
I
C
= 100mA时V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
6，持续时间短的测试脉冲用于减少自热。
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
k
x 10
-4
S
兆赫
dB
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 100A,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
V
BE （OFF）的
= - 0.5V ，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
标识信息
APK YM
APK =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
五月
5
2005
S
JUN
6
JUL
7
2006
T
八月
8
2007
U
SEP
9
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30636修订版3 - 2
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MMDT3904VC
250
15
F = 1MHz的
新产品
P
d
，功耗（毫瓦）
200
C
IBO
，输入电容（ pF）的
C
敖包
，输出电容（ pF）的
10
150
100
5
CIBO
50
科博
0
-50
0
50
100
150
0
0.1
1
10
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，降额曲线 - 总
V
CB
，集电极 - 基极电压（ V）
图。 2 ，输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极（ V）
饱和电压
1
I
C
I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.1
10
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，典型的直流电流增益VS
集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射（ V）
饱和电压
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，典型的基射极
饱和电压与集电极电流
DS30636修订版3 - 2
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MMDT3904VC
SPICE模型： MMDT3904VC
MMDT3904VC
无铅绿色
双NPN小信号表面贴装
晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注4 ）
"Green Device" （注5）
E
1
B
1
C
2
C
1
A
B
2
E
2
B C
SOT-563
暗淡
A
B
C
D
民
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
典型值
0.25
1.20
1.60
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： APK
订购信息：见下文
日期代码信息：参见第2页
重量：0.003克数（近似值）
K
D
G
M
H
G
H
L
K
L
M
见注1
C
1
B
2
E
2
尺寸：mm
E
1
B
1
C
2
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
订购信息
（注3）
设备
MMDT3904VC-7
注意事项：
包装
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向） 。
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
4.没有故意添加铅。
5.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注6 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注6 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
5.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10毫安，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10毫安，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
=
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=
I
C
= 10毫安，V
CE
=
I
C
= 50mA时V
CE
=
I
C
= 100mA时V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
6，持续时间短的测试脉冲用于减少自热。
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 100mA时
R
S
= 1.0KW ， F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
V
BE （OFF）的
= - 0.5V ，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
35
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200
50
ns
ns
ns
ns
标识信息
APK YM
APK =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
五月
5
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6
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十月
O
NOV
N
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D
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250
P
d
，功耗（毫瓦）
C
IBO
，输入电容（ pF）的
C
敖包
，输出电容（ pF）的
15
F = 1MHz的
200
10
150
100
5
CIBO
50
科博
0
-50
0
50
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150
0
0.1
1
10
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，降额曲线 - 总
V
CB
，集电极 - 基极电压（ V）
图。 2 ，输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极（ V）
饱和电压
1
I
C
I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.1
10
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，典型的直流电流增益VS
集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射（ V）
饱和电压
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，典型的基射极
饱和电压与集电极电流
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注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
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同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
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Diodes公司的总裁。
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MACPES0028
MI-P53-IYX
MI-Q5Z-ISV
MI-PC211-MV
MAX6317HUK49BZ-T
MLL5926B
MXP1045PV-UV
MH3261-471Y
MI-P2WL-IXV
M29F002BNB70P6T
MT4LC4M4E8TG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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