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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1973页 > MMDT3904
MMDT3904
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和
开关
超小型表面贴装封装
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
A
B
C
D
M
机械数据
案例: SOT- 363 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
终端连接:见图
标记(见第2页) : K6N
订购&日期代码信息:参见第2页
重0.006克数(大约)
K
E
2
B
2
C
1
G
H
0.65标称
F
H
J
K
L
M
a
J
D
F
L
C
2
B
1
E
1
E
2
B
2
C
1
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMDT3904
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
订购信息
(注2 )
设备
MMDT3904-7
注意事项:
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
1.装置安装在FR- 4印刷电路板;图所示,二极管Inc.的焊垫布局建议的焊垫布局文件AP02001 ,其可以是
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.对于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30088启示录7 - 2
1第3
www.diodes.com
MMDT3904
电气特性
特征
开关特性(注3 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
5.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10毫安,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
=
I
C
= 1.0毫安,V
CE
=
I
C
= 10毫安,V
CE
=
I
C
= 50mA时V
CE
=
I
C
= 100mA时V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100mA时
R
S
= 1.0KW , F = 1.0kHz
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
3,持续时间短的测试脉冲用于减少自热。
标识信息
K6N YM
K6N YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
K6N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30088启示录7 - 2
2 3
www.diodes.com
MMDT3904
200
15
F = 1MHz的
150
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
P
D
,功耗(毫瓦)
10
100
5
CIBO
50
科博
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
1
I
C
I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.1
10
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
DS30088启示录7 - 2
3 3
www.diodes.com
MMDT3904
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
MMDT3904
初步
NPN外延硅晶体管
双NPN小信号
表面贴装晶体管
描述
在UTC
MMDT3904
是一款双NPN小信号表面贴装
晶体管。
特点
*适用于低功率放大和开关
*外延平面模具结构
*极小型表面贴装封装
订购信息
订购数量
无铅
MMDT3904L-AL6-R
MMDT3904L-AL6-R
无卤
MMDT3904G-AL6-R
SOT-363
填料
带盘
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
( 3 )无铅
( 1 )R :带卷轴
( 2 ) TL6 : SOT- 363
( 3 )无卤素, L:无铅
记号
引脚配置
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R218-013.a
MMDT3904
初步
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
=25°C
除非另有规定编)
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
40
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6.0
V
连续集电极电流 -
I
C
200
mA
功耗
P
D
200
mW
热阻,结到环境
θ
JA
625
℃/W
结温
T
J
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
=25°C
除非另有规定编)
参数
符号
测试条件
开关特性(注1 )
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) EBO
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
集电极截止电流
I
CEX
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
底座截止电流
I
BL
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
基本特征(注1 )
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
基地 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
小信号特性
输出电容
C
敖包
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
输入电容
C
IBO
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
输入阻抗
h
IE
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
电压反馈比例
H
RE
F = 1.0kHz
小信号电流增益
H
FE
输出导纳
H
OE
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
电流增益带宽积
f
T
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
噪声系数
NF
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
开关特性
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
延迟时间
T
D
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
上升时间
T
R
贮存时间
T
S
下降时间
T
F
注: 1 。
短持续时间的测试脉冲用于减少自发热。
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
60
40
5.0
50
50
40
70
100
60
30
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
300
0.65
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
V
V
V
V
pF
pF
K
-4
×10
μS
兆赫
1.0
0.5
100
1.0
300
5.0
35
35
200
50
dB
ns
ns
ns
ns
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R218-013.a
MMDT3904
初步
NPN外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R218-013.a
BL
银河电子
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面模施工。
非常适用于低功率放大和
切换。
超小型表面贴装封装
此外,在无铅版本。
产品规格
MMDT3904
Pb
LEAD -FREE
应用
通用开关和放大
SOT-363
订购信息
型号
MMDT3904
记号
K6N
封装代码
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
总功耗
储存温度
结温
价值
60
40
5
0.2
0.2
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
文件编号: BL / SSSTE002
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
双NPN小信号表面贴装晶体管
电气特性
@ TA = 25 ℃
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
C
=10μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
B
产品规格
MMDT3904
分钟。
60
40
5
-
-
40
70
100
60
30
-
-
650
-
-
300
-
0.05
0.05
-
-
300
-
-
200
300
850
950
4
-
5
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
马克斯。
单位
V
V
V
μA
μA
除非另有说明
I
E
=10μA,I
C
=0
I
E
= 0,V
CB
= 30V
I
C
= 0, V
EB
= 5V
V
CE
=1V,I
C
= 0.1毫安
V
CE
=1V,I
C
=1mA
V
CE
=1V,I
C
=10mA
V
CE
=1V,I
C
=50mA
V
CE
=1V,I
C
=100mA
I
C
=10mA,I
B
μmA
B
h
FE
直流电流增益
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
ob
f
T
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
=50mA,I
B
=5mA
B
I
C
=10mA,I
B
=1mA
B
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
B
I
E
=0, V
CB
= 5V ; F = 1MHz的
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=100MHz
I
C
=0.1mA,V
CE
=5V,R
S
=1k,
F = 1kHz时
V
CC
=3V,V
BE (OFF)的
=-0.5V
I
C
= 10毫安我
B1
=I
B2
=1mA
V
CC
=3V,I
C
=10mA
I
B1
=I
B2
=1mA
( 10%至90%的水平)的切换时间;
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
-
-
-
-
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
文件编号: BL / SSSTE002
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
双NPN小信号表面贴装晶体管
产品规格
MMDT3904
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号: BL / SSSTE002
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
双NPN小信号表面贴装晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
MMDT3904
SOT-363
SOT-363
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
1.8
1.15
0.10
0.25
0.02
2.1
最大
2.2
1.35
0.30
0.40
0.10
2.3
1.0Typical
0.65Typical
0.1Typical
尺寸:mm
设备
MMDT3904
信息
SOT-363
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSTE002
Rev.A的
www.galaxycn.com
4
MMDT3904
双表面贴装NPN晶体管
该器件包含两个电隔离的2N3904 NPN晶体管。该
两个晶体管都非常匹配的hFE ,并封装在一个超
小型SOT- 363 ( SC70-6L )封装。该器件非常适用于便携式
应用中的电路板空间非常珍贵。
4
5
6
2
1
3
SOT- 363
特点
电气隔离双NPN开关晶体管
无铅电镀( 100 %雾锡完成)
6
5
4
应用
通用运算放大器应用
手提电脑,掌上电脑
设备标识代码: S1A
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压电压
集电极电流
总功率耗散(注1 )
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
T
J
T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
工作结温范围
存储温度范围
热特性
特征
热阻,结到环境(注1 )
符号
R
thJA
价值
625
单位
° C / W
注1: FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸的最小推荐焊盘布局
9/20/2005
第1页
www.panjit.com
MMDT3904
电气特性(每个晶体管)
T
J
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
40
60
6.0
-
-
40
70
100
60
30
-
-
0.65
-
300
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
50
50
-
-
300
-
-
0.2
0.3
0.85
0.95
-
4.0
8.0
35
35
200
50
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-
单位
V
V
V
nA
nA
集电极 - 发射极击穿电压V
( BR ) CEO
I
C
= 1.0毫安
集电极 - 基极击穿电压V
( BR ) CBO
I
C
=为10uA
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
V
( BR ) EBO
I
E
=为10uA
I
CEX
I
BL
V
CE
= 30V, V
EB
3.0V
=
V
CE
= 30V, V
EB
3.0V
=
I
C
= 0.1毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
DC电流增益(注2)
h
FE
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
1.0V
=
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
集电极 - 发射极饱和
电压(注2 )
基射极饱和电压
(注2 )
增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安
F = 100MHz的
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安
V
BE
(关) = -0.5V ,我
B1
= -1.0mA
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
注意使用最小化自加热2.持续时间短的测试脉冲
切换时间等效测试电路
+3V
+3V
275
300ns
占空比= 2.0 %
275
+10.9V
0
0
-0.5V
< 1ns的
C
S
* < 4PF
-9.1V
< 1ns的
10K
1N916
10至500US
占空比= 2.0 %
C
S
* < 4PF
+10.9V
10K
延迟和上升时间等效测试电路
存储和下降时间等效测试电路
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特性曲线(每个晶体管)
T
J
= 25 ° C除非另有说明
300
250
200
的hFE
150
T
J
= 25 °C
100
50
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
T
J
= 150 °C
V
CE
= 1V
1.400
1.200
1.000
T
J
= 100 °C
V
BE
(V)
0.800
T
J
= 25 °C
0.600
0.400
0.200
0.000
0.01
0.1
1
T
J
= 150
T
J
= 100 °C
V
CE
= 1V
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1. hFE参数与IC
1.000
图。 2. VBE与IC
1.0
T
J
= 25 °C
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 150 °C
T
J
= 100 °C
V
CE
( SAT ) (V )
0.100
T
J
= 25 °C
V
BE
( SAT ) (V )
T
J
= 150 °C
I
C
/I
B
= 10
0.010
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
0.1
0.01
0.1
1
集电极电流,I
C
(MA )
10
100
图。 3. VCE (SAT)与IC
10
图。 4. VBE (SAT)与IC
T
J
= 25 °C
C
IB
( EB)的
电容(pF)
C
OB
( CB )
1
0.1
1
10
100
反向电压, V
R
(V)
图。 5的电容
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MMDT3904
封装布局,并建议焊盘尺寸
订购信息
MMDT3904 T / R7 - 3,000个单位7寸盘
MMDT3904 T / R13 -10,000个单位13英寸卷轴
版权所有强茂国际, 2005年公司
该通知通报BULLETIN本docum耳鼻喉提出被认为是准确和可靠。规范并通知通报BULLETIN
本文如有更改,恕不另行通知。关于潘日新米碟刹任何保证,声明或担保
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统S 。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
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SPICE模型: MMDT3904
MMDT3904
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注2 )
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
A
B
C
D
F
M
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火
合金引线框架42 ) 。
终端连接:见图
标识信息:请参阅第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.006克(近似值)
K
E
2
B
2
C
1
G
H
0.65标称
H
J
K
L
M
α
J
D
F
L
C
2
B
1
E
1
E
2
B
2
C
1
尺寸:mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
注意事项:
1.
2.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4印刷电路板;在二极管公司如焊盘布局建议焊盘布局文件APO2001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
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电气特性
特征
开关特性(注3 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注3 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
测试条件
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
5.0
V
V
V
nA
nA
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
B
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
直流电流增益
h
FE
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
B
B
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
3.
短持续时间脉冲试验中使用,以减少自发热。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
B
B
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
x 10
μS
兆赫
dB
-4
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
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200
15
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
注1
F = 1MHz的
P
D
,功耗(毫瓦)
150
10
100
5
CIBO
50
科博
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度(共有设备)
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
1
I
C
I
B
= 10
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
V
CE
= 1.0V
h
FE
,直流电流增益
0.1
10
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
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订购信息
设备
MMDT3904-7-F
注意事项:
4.
(注4 )
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K6N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
数据代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注2 )
"Green"设备(注3,4)
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
A
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
B
C
D
F
M
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火
合金引线框架42 ) 。
终端连接:见图
标识信息:请参阅第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.006克(近似值)
K
E
2
B
2
C
1
0.65标称
H
H
J
K
L
M
α
J
D
C
2
B
1
E
1
F
L
尺寸:mm
E
2
B
2
C
1
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功耗
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
注意事项:
1.
2.
3.
4.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(注1 )
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4印刷电路板;在二极管公司如焊盘布局建议焊盘布局文件APO2001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
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电气特性
特征
开关特性(注5 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注5 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
5.0
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
-4
直流电流增益
h
FE
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
5.
短持续时间脉冲试验中使用,以减少自发热。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
x 10
μS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
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200
P
D
,功耗(毫瓦)
15
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
150
10
100
5
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗对比
环境温度(共有设备)
200
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1,000
1
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
h
FE
,直流电流增益
100
0.1
10
1
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益
与集电极电流
1,000
0.01
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
1,000
10
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
1
0.1
0.1
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极饱和电压
与集电极电流
DS30088牧师14 - 2
3 4
www.diodes.com
MMDT3904
Diodes公司
订购信息
设备
MMDT3904-7-F
注意事项:
6.
(注6 )
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K6N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30088牧师14 - 2
4 4
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MMDT3904
Diodes公司
MCC
微型商业组件
TM
特点
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MMDT3904
外壳材料:模压塑料。防火
分类中的评级94-0和MSL等级1
集电极电流:I
C
=0.2A
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
标记: K6N
200mW
塑料封装
晶体管
单位
mW
O
C / W
O
C
O
C
最大额定值
符号
P
C
R
thJA
T
J
T
英镑
等级
(1)
功耗
热阻
结温
储存温度
等级
200
625
-55到+150
-55到+150
SOT-363
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
符号
参数
最大
单位
A
B
C
基本特征
h
FE
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ,我
C
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5V直流,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流,我
B
=0)
收集截止电流
(V
CB
= 30V直流,我
E
=0)
40
60
5.0
50
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
K
H
M
J
D
尺寸
英寸
最大
.006
.014
.045
.053
.085
.096
.026
.047
.055
.071
.087
---
.004
.035
.043
.010
.018
.003
.006
MM
最大
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
L
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
小信号特性
f
T
C
敖包
直流电流增益*
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 50mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 20VDC , F = 100MHz时)
输出电容
(V
CB
= 5.0Vdec ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0VDC ,V
BE
=0.5Vdc
I
C
= 10mAdc ,我
B1
=1.0mAdc)
(V
CC
= 3.0VDC ,我
C
=10mAdc
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
100
60
300
0.3
0.95
VDC
VDC
300
4.0
35
35
200
50
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
注:1。有效的规定,终端被保持在环境温度下进行。
修改:
6
www.mccsemi.com
1 2
2009/02/24
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
(品名) -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修订: 6
2 2
2009/02/24
3
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥(单相/三相)
RF(低电容) &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压(升压/降压)
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
(双N ,双P,P + N)
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF ( 1GHz的 )
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻(片)
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
(数字)
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证( 300V交流)
MPP / MPE / DMP (高电流)
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压( 1KV 6KV )
贴片电容&多层( MLCC )
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期: 2004年9月 2005年第二次编辑
晶体管
NPN
部分
or
PNP
(V)
(V)
(MA )
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
SOT-323
(P.28)
BC846W
BC847W
MMBT2222AW
MMBT2907AW
MMBT3904W
MMBT3906W
*MMBT5401W
*MMBT5551W
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
80
50
75
-60
60
-40
-160
180
65
45
40
-60
40
-40
-150
160
100
100
600
-600
200
-200
-600
600
225
225
225
225
225
225
225
225
110
110
100
100
100
120
60
80
800
800
300
300
300
360
240
250
2
2
150
-150
10
-10
-10
10
5
5
10
-10
1
-1
-5
5
0.25
0.25
0.5
-0.4
0.2
0.25
-0.2
0.15
10
10
380
-150
10
-10
-10
10
0.5
0.5
10
-15
1
-1
-1
1
300
300
300
200
300
250
100
100
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
N + P
SOT-363
(P.29)
MMDT2412
MMDT3904
MMDT2222
MMDT2411
MMDT1036
MMDT1037
MMDT3906
MMDT2907
MMDT2227
MMDT3946
N*2
N*2
N*2
N*2
P*2
P*2
P*2
P*2
N + P
50
60
75
40
-40
-60
-40
-60
75
-60
60
-40
40
40
40
40
-32
-50
-40
-60
40
-60
40
-40
150
200
600
600
500
150
200
600
600
600
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
120
100
100
82
100
120
100
100
100
100
100
100
820
300
300
560
300
820
300
300
300
300
300
300
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
6
1
10
3
-10
-6
-1
-10
10
-10
1
-1
0.4
0.2
0.5
0.4
-0.4
-0.5
-0.25
-0.4
0.3
-0.4
0.2
-0.25
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
5
1
10
10
-15
-5
-1
-15
15
-15
1
-1
180
300
300
300
200
140
250
200
300
200
300
250
N + P
N + P
SOT-23
(P.28)
BC807
BC817
BC846
BC847
BC848
BC856
BC857
BC858
BCW65C
MMBT1015
MMBT1815
MMBT2222A
MMBT2369
MMBT2484
MMBT2907A
MMBT3904
MMBT3906
MMBT4124
MMBT4125
MMBT4401
MMBT4403
MMBT5086
MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5401
MMBT5550
MMBT5551
MMBT6427
MMBT6429
MMBT6517
MMBT6520
MMBT8050
MMBT8099
MMBT8550
MMBT8599
MMBT9018
MMBTA06
MMBTA13
MMBTA14
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
-50
50
80
50
30
-80
-50
-30
60
-50
60
75
40
60
-60
60
-40
30
-30
60
-40
-50
-50
35
30
-160
160
180
40
55
350
-350
25
80
-25
-80
20
80
30
30
-45
45
65
45
30
-65
-45
-30
32
-50
50
40
40
60
-60
40
-40
25
-30
40
-40
-50
-50
30
25
-150
140
160
40
45
350
-350
20
80
-20
-80
15
80
30
30
-800
800
100
100
100
-100
-100
-100
800
-150
150
600
500
50
-600
200
-200
200
-200
600
-600
-50
-50
50
50
-600
600
600
500
200
500
-500
700
500
-700
-500
50
500
300
300
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
100
100
110
110
110
115
110
110
250
120
120
100
40
250
100
100
120
120
50
100
100
150
250
300
400
60
60
80
20K
500
30
30
150
100
150
100
30
50
10K
20K
630
630
800
800
800
800
800
800
630
700
700
300
120
-
300
300
360
360
150
300
300
500
800
900
1200
240
250
250
200K
1250
200
200
500
300
400
300
400
-
-
-
-100
100
2
2
2
-2
-2
-2
100
-2
2
150
10
1
-150
10
-10
2
-2
150
-150
-0.1
-0.1
0.1
0.1
-10
10
10
100
0.1
30
-30
150
1
-150
-1
1
10
100
100
-1
1
5
5
5
-5
-5
-5
1
-6
6
10
1
5
-10
1
-1
1
-1
1
-2
-5
-5
5
5
-5
5
5
5
5
10
-10
1
5
-1
-5
6
1
5
5
-0.7
0.7
0.25
0.25
0.25
-0.3
-0.3
-0.3
0.3
-0.3
0.25
0.5
0.25
0.35
-0.4
0.2
0.25
0.3
-0.4
0.4
-0.4
-0.3
-0.3
0.5
0.5
-0.2
0.25
0.15
1.2
0.2
0.5
-0.5
0.5
0.4
-0.5
-0.4
0.5
0.25
1.5
1.5
-500
500
10
10
10
-10
-10
-10
100
-100
100
380
10
1
-150
10
-10
50
-50
150
-150
-10
-10
10
10
-10
50
10
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-30
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-500
-100
5
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100
100
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50
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0.5
0.5
-0.5
-0.5
-0.5
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-10
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1
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-15
1
-1
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-15
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-3
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150
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125
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300
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250
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100
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300
300
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80
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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BCE
BCE
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or
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NPN
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PNP
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NPN
NPN
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225
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1000
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-
-
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BCE
BCE
BCE
BCE
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BCE
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BCE
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EBC
欧洲央行
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EBC
EBC
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欧洲央行
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EBC
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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NPN
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NPN
PNP
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PNP
PNP
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NPN
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PNP
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P.13
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部分
or
PNP
(V)
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( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
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(V)
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TO-92
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10K
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50
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600
800
800
800
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-
-
400
500
500
500
500
500
500
500
500
300
300
1000
600
198
36
1000
-
-
200
-
300
300
-
-
-
-
1500
-
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
-
300
-
120
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320
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2
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-25
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-150
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500
500
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-500
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-100
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4
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-500
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5
5
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-5
-5
20
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5
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-10
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1
10
0.35
-10
-6
-1
-10
-6
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-2
-1
0.2
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-0.5
-0.5
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0.5
-0.5
-0.5
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0.25
1.5
1.5
0.3
1.5
1.5
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0.35
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-1.5
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-0.5
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2000
2000
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-2000
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4
10
150
10
-150
-100
-2000
-30
-100
-30
-2000
-800
-1000
0.5
-50
50
0.5
0.5
5
-0.5
-1
-1
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-3
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80
50
80
50
-80
-50
-80
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50
5
-5
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10
20
200
200
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-200
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-5
10
10
0.1
0.1
5
0.1
0.1
2
2
2
0.1
-10
-10
-0.1
-2
-1
-2
-1
0.4
1
15
1
-15
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-50
-3
-10
-3
-100
-80
-100
650
500
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500
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125
125
100
75
75
60
75
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100
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100
150
100
150
100
100
150
100
700
300
300
300
60
60
150
100
210
300
300
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
欧洲央行
欧洲央行
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
BEC
CBE
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
P.14
NPN
部分
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
(V)
(MA )
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
TO-92
(P.31)
SB764
SB772S
SC1815
SC1959
SC2228Y
SC2240
SC3953S
SC945
SD1609S
SD1616A
SD468
SD471A
SD667A
SD879
SD882S
SD965
T666
TL145
TL194
TL195
TO-220
(P.30)
H2584
H2585
2N6388
2N6668
BU406
BU407
D44H11
D45H11
LB124E
LB125E
MJE13005
MJE13007
MJE13009
MJE2955T
MJE3055T
SB507
SB857
SC4242
SD1159
SD313
SD880
TIP102
TIP105
TIP107
TIP112
TIP117
TIP122
TIP125
TIP127
TIP29C
TIP31C
TIP32C
TIP41C
TIP42C
TIP47
TIP49
TIP50
SC4234
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
-60
-40
60
35
160
150
120
60
160
120
25
40
120
30
40
40
75
500
-400
-500
-50
-30
50
30
160
150
120
50
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20
30
100
10
30
20
40
500
-400
-500
-1000
-3000
150
500
50
100
200
100
100
1000
1000
1000
1000
3000
3000
5000
600
300
-300
-300
900
750
400
500
900
625
900
250
900
750
900
800
900
750
750
750
625
1000
1000
1000
60
100
120
120
60
120
60
135
60
135
85
70
60
140
100
230
100
50
50
50
320
400
700
240
320
400
320
600
320
600
240
400
200
400
500
800
300
300
300
300
-50
-1000
2
100
10
2
10
1
10
100
500
100
150
3000
1000
500
150
20
-20
-20
-2
-2
6
1
10
6
10
6
5
2
2
1
5
2
2
2
10
10
-10
-10
-0.7
-0.3
0.25
0.25
0.6
0.3
1
0.1
2
0.3
0.5
0.5
1
0.3
0.5
0.35
0.3
0.5
-0.2
-0.5
-500
-2000
100
100
20
10
30
100
30
1000
800
1000
500
3000
2000
3000
150
20
-20
-20
-50
-200
10
10
2
1
3
10
3
50
80
100
50
60
200
100
15
2
-2
-2
150
80
80
300
50
100
400
150
140
100
190
130
140
200
90
150
300
10
10
10
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
EBC
欧洲央行
欧洲央行
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
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-20
80
-80
400
330
80
-80
600
600
700
700
700
-70
70
-60
-70
450
200
60
60
100
-60
-100
100
-100
100
-60
-100
100
100
-100
100
-100
350
450
500
1200
-15
-15
80
-80
200
150
80
-80
400
400
400
400
400
-60
60
-60
-50
400
60
60
60
100
-60
-100
100
-100
100
-60
-100
100
100
-100
100
-100
250
350
400
800
-10
-5
10
-10
7
7
10
-10
2
5
4
8
12
-10
10
-3
-4
7
4.5
3
3
8
-8
-8
4
-4
5
-5
-5
1
3
-3
6
-6
1
1
1
3
65
40
65
65
60
60
50
50
35
40
75
80
100
75
75
30
40
40
40
30
30
80
80
80
50
50
65
65
65
30
40
40
65
65
40
40
40
45
1K
1K
1K
1K
30
35
60
60
10
10
10
10
10
20
20
40
60
10
30
40
60
1K
1K
1K
1K
1K
1K
1K
1K
15
10
10
15
15
30
30
30
8
60K
60K
20K
20K
125
200
-
-
40
-
60
40
30
100
100
320
320
-
160
320
300
20K
20K
20K
-
-
-
-
-
75
50
50
75
75
150
150
150
-
-10
-5
5
-5
2
2
2
-2
0.3
0.01
1
2
0.5
-4
4
-1
-1
4
1
1
0.5
3
-3
-3
1
-1
0.5
-0.5
-0.5
1
3
-3
3
-3
0.3
0.3
0.3
1
-1.7
-1.7
3
-3
5
5
1
-1
5
5
5
5
5
-4
4
-2
-4
5
5
2
5
4
-4
-4
4
-4
3
-3
-3
4
4
-4
4
-4
10
10
10
5
-1.5
-1.5
2
-2
1
1
1
-1
0.3
0.5
0.5
1
1
-1.1
1.1
-1
-1
0.8
1
1
1
2
-2
-2
2.5
-2.5
2
-2
-2
0.7
1.2
-1.2
1.5
-1.5
1
1
1
1
-10
-5
5
-5
5
5
8
-8
0.1
1
1
2
5
-4
4
-2
-2
4
4
2
3
3
-3
-3
2
-2
3
-3
-3
1
3
-3
6
-6
1
1
1
1.5
-10
-5
10
-10
500
500
400
-800
10
200
200
400
1000
-400
400
-200
-200
800
400
200
300
6
-6
-6
8
-8
12
-12
-12
125
375
-375
600
-600
200
200
200
300
3
3
3
3
3
10
10
10
8
10
8
3
4
2
2
8
15
10
50
40
15
TO-3P
(P.30)
MJE13007R
MJE13009R
KTC5242
NPN
NPN
NPN
700
700
230
400
400
230
8
12
15
130
130
130
10
8
55
30
40
160
0.5
5
7
5
5
5
1
1
0.4
2
5
8
400
1000
1000
30
BCE
P.15
MMDT3904
公司Bauelemente
NPN硅
多芯片晶体管
SOT-363
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
*
特点
.055(1.40)
.047(1.20)
功耗
P
CM
: 0.2 W( 。夯实= 25℃)
O
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
8
o
0
o
集电极电流
I
CM
: 0.2 A
C
2
B
1
E
1
.053(1.35
.045(1.15
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 60 V
操作&存储结温
T
j
, T
英镑
: -55 C~ +150 C
O
O
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
E
2
B
2
C
1
.043(1.10)
.035(0.90)
标记: K6N
或MA
O
尺寸以英寸(毫米)
电气特性(夯实。 = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
直流电流增益
h
FE
2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
CE
= 1V,
I
C
= 50毫安
60
0.3
0.95
300
4
35
35
200
50
V
V
兆赫
pF
nS
nS
nS
nS
TEST
条件
I
E
=0
60
40
5
0.05
0.05
0.05
100
300
最大
单位
V
V
V
IC = 10
μ
A,
IC = 1 mA时,
I
B
=0
I
E
= 10
μ
A,I
C
=0
V
CB
= 30 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
= 5V ,
V
CE
= 1V,
I
C
=0
I
C
= 10毫安
μ
A
μ
A
μ
A
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
S
t
f
f=
100MHz
V
CB
=5V,
I
E
= 0
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
http://www.SeCoSGmbH.com
f=
1MHz
V
CC
=3V, V
BE
=0.5V
I
C
= 10毫安,我
B1
=1mA
V
CC
= 3V ,我
C
=10mA
I
B1
= I
B2
= 1毫安
的说明书中的任何改变将不被通知个人
06-May-2010
启示录
C
第1页
2
MMDT3904
公司Bauelemente
NPN硅
多芯片晶体管
15
F = 1MHz的
200
150
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
P
D
,功耗(毫瓦)
10
100
5
CIBO
50
科博
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
I
C
I
B
= 10
1000
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.1
10
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
10
I
_
= 10
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
I
B
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
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06-May-2010
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