MMDFS3P303
功率MOSFET
3安培， 30伏
P沟道SO- 8 ， FETKYt
该FETKY产品系列采用了低RDS（on ）的MOSFET
打包带行业领先的低正向压降，低泄漏
肖特基势垒整流器提供一个高效率的组件
节省空间的配置。对于MOSFET独立的引脚和
肖特基死允许灵活地使用单个组件
在各种各样的应用中的开关和整流功能
如降压转换器，降压 - 升压，同步整流，
低压电机控制，并在电池组负荷管理，
充电器，手机等便携产品。
功率MOSFET具有低VF ，低IR肖特基整流器
较低的元件布局和库存成本以及
节省电路板空间
R2的后缀磁带和卷轴（ 2500单位/ 13“卷轴）
安装信息的SO- 8封装提供
IDSS指定高温
应用信息提供
标记： 3P303
MOSFET的最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
（注1 & 2 ）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MW）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v
10
女士）
总功率耗散@ TA = 25℃
（注3 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
30
30
"20
3.5
2.25
12
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
1
L
Y
WW
=地点代码
=年
=工作周
8
SO–8
CASE 751
18风格
6N303
LYWW
http://onsemi.com
3安培
30伏特
RDS （ ON）= 100毫瓦
VF = 0.42伏特
P- CHANNEL
D
G
S
记号
图
引脚分配
阳极
阳极
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
阴极
阴极
漏
漏
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
375
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
VDD = 30 V直流， VGS = 10 VDC ， VDS = 20伏直流电，
IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
1，负号为P沟道器件省略清晰。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2.0%.
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）
10秒。 MAX 。
顶视图
订购信息
设备
MMDFS3P303R2
包
SO–8
航运
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
MMDFS3P303/D
MMDFS3P303
肖特基整流器最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流（注3 ）
（额定VR ） TA = 100℃
峰值重复正向电流（注3 ）
（额定VR ，方波， 20千赫） TA = 105℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
VRRM
VR
IO
IFRM
IFSM
30
3.0
6.0
30
伏
安培
安培
安培
热特性 - 肖特基MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注5 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注3 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注5 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注3 ） - 肖特基
工作和存储温度范围
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
201
105
62.5
197
97
62.5
-55到150
°C
° C / W
TJ ， TSTG
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，持续10秒。最大。
4.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
5.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
MOSFET电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性
漏源电压
零栅漏电流
门体漏电流
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 mA）的
温度系数（正）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
（VDS = VGS ， ID = 0.25 mA）的
温度系数（负）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
科斯
CRSS
TD （上）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 6.0
)
tr
TD （关闭）
tf
30
–
–
–
–
–
27
–
–
–
–
–
1.0
10
100
VDC
毫伏/°C的
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注6 ）
栅极阈值电压
1.0
–
–
–
–
1.7
3.5
0.085
0.130
5.0
–
–
0.100
0.160
–
VDC
毫伏/°C的
W
姆欧
静态漏源电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.0 ADC ）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
–
–
–
405
200
55
–
–
–
pF
–
–
–
–
12.5
16
50
35
25
30
90
65
ns
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
MMDFS3P303
MOSFET电气特性
- 续
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性 - 续
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 20伏直流电， ID = 3.5 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 4.5伏，
4 5 VDC
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
漏源二极管特性
在正向电压（注6 ）
反向恢复时间
（ VGS = 0 V ， IS = 3 5 A
V
3.5 A,
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
（ IS = 1.7 ADC ， VGS = 0伏）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
0.9
26.6
18.8
7.8
0.03
1.2
–
–
–
–
C
V
ns
–
–
–
–
–
–
–
–
19
36
27
31
14
1.8
4.5
2.85
–
–
–
–
25
–
–
–
nC
ns
符号
民
典型值
最大
单位
肖特基整流器电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
g (
)
最大正向电压（注6 ）
IF = 100 MADC
Ad
IF = 3.0 ADC
IF = 6.0 ADC
最大瞬时反向电流（注6 ）
(
)
VR = 30 V
VF
TJ = 25°C
0.28
0.42
0.50
IR
TJ = 25°C
250
–
VR = 30 V
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
变化最大电压率
dv / dt的
10,000
TJ = 125°C
0.13
0.33
0.45
TJ = 125°C
–
25
mA
V / ms的
mA
伏
http://onsemi.com
3
MMDFS3P303
功率MOSFET
3安培， 30伏
P沟道SO- 8 ， FETKYt
该FETKY产品系列采用了低RDS（on ）的MOSFET
打包带行业领先的低正向压降，低泄漏
肖特基势垒整流器提供一个高效率的组件
节省空间的配置。对于MOSFET独立的引脚和
肖特基死允许灵活地使用单个组件
在各种各样的应用中的开关和整流功能
如降压转换器，降压 - 升压，同步整流，
低压电机控制，并在电池组负荷管理，
充电器，手机等便携产品。
功率MOSFET具有低VF ，低IR肖特基整流器
较低的元件布局和库存成本以及
节省电路板空间
R2的后缀磁带和卷轴（ 2500单位/ 13“卷轴）
安装信息的SO- 8封装提供
IDSS指定高温
应用信息提供
标记： 3P303
MOSFET的最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
（注1 & 2 ）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MW）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v
10
女士）
总功率耗散@ TA = 25℃
（注3 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
30
30
"20
3.5
2.25
12
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
1
L
Y
WW
=地点代码
=年
=工作周
8
SO–8
CASE 751
18风格
6N303
LYWW
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3安培
30伏特
RDS （ ON）= 100毫瓦
VF = 0.42伏特
P- CHANNEL
D
G
S
记号
图
引脚分配
阳极
阳极
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
阴极
阴极
漏
漏
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
375
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
VDD = 30 V直流， VGS = 10 VDC ， VDS = 20伏直流电，
IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
1，负号为P沟道器件省略清晰。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2.0%.
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）
10秒。 MAX 。
顶视图
订购信息
设备
MMDFS3P303R2
包
SO–8
航运
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
MMDFS3P303/D
MMDFS3P303
肖特基整流器最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流（注3 ）
（额定VR ） TA = 100℃
峰值重复正向电流（注3 ）
（额定VR ，方波， 20千赫） TA = 105℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
VRRM
VR
IO
IFRM
IFSM
30
3.0
6.0
30
伏
安培
安培
安培
热特性 - 肖特基MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注5 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注3 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注5 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注3 ） - 肖特基
工作和存储温度范围
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
201
105
62.5
197
97
62.5
-55到150
°C
° C / W
TJ ， TSTG
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，持续10秒。最大。
4.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
5.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
MOSFET电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性
漏源电压
零栅漏电流
门体漏电流
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 mA）的
温度系数（正）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
（VDS = VGS ， ID = 0.25 mA）的
温度系数（负）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
科斯
CRSS
TD （上）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 6.0
)
tr
TD （关闭）
tf
30
–
–
–
–
–
27
–
–
–
–
–
1.0
10
100
VDC
毫伏/°C的
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注6 ）
栅极阈值电压
1.0
–
–
–
–
1.7
3.5
0.085
0.130
5.0
–
–
0.100
0.160
–
VDC
毫伏/°C的
W
姆欧
静态漏源电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.0 ADC ）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
–
–
–
405
200
55
–
–
–
pF
–
–
–
–
12.5
16
50
35
25
30
90
65
ns
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
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2
MMDFS3P303
MOSFET电气特性
- 续
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性 - 续
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 20伏直流电， ID = 3.5 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 4.5伏，
4 5 VDC
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
漏源二极管特性
在正向电压（注6 ）
反向恢复时间
（ VGS = 0 V ， IS = 3 5 A
V
3.5 A,
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
（ IS = 1.7 ADC ， VGS = 0伏）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
0.9
26.6
18.8
7.8
0.03
1.2
–
–
–
–
C
V
ns
–
–
–
–
–
–
–
–
19
36
27
31
14
1.8
4.5
2.85
–
–
–
–
25
–
–
–
nC
ns
符号
民
典型值
最大
单位
肖特基整流器电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
g (
)
最大正向电压（注6 ）
IF = 100 MADC
Ad
IF = 3.0 ADC
IF = 6.0 ADC
最大瞬时反向电流（注6 ）
(
)
VR = 30 V
VF
TJ = 25°C
0.28
0.42
0.50
IR
TJ = 25°C
250
–
VR = 30 V
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
变化最大电压率
dv / dt的
10,000
TJ = 125°C
0.13
0.33
0.45
TJ = 125°C
–
25
mA
V / ms的
mA
伏
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3
MMDFS3P303
功率MOSFET
3安培， 30伏
P沟道SO- 8 ， FETKYt
该FETKY产品系列采用了低RDS（on ）的MOSFET
打包带行业领先的低正向压降，低泄漏
肖特基势垒整流器提供一个高效率的组件
节省空间的配置。对于MOSFET独立的引脚和
肖特基死允许灵活地使用单个组件
在各种各样的应用中的开关和整流功能
如降压转换器，降压 - 升压，同步整流，
低压电机控制，并在电池组负荷管理，
充电器，手机等便携产品。
功率MOSFET具有低VF ，低IR肖特基整流器
较低的元件布局和库存成本以及
节省电路板空间
R2的后缀磁带和卷轴（ 2500单位/ 13“卷轴）
安装信息的SO- 8封装提供
IDSS指定高温
应用信息提供
标记： 3P303
MOSFET的最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
（注1 & 2 ）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MW）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v
10
女士）
总功率耗散@ TA = 25℃
（注3 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
30
30
"20
3.5
2.25
12
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
1
L
Y
WW
=地点代码
=年
=工作周
8
SO–8
CASE 751
18风格
6N303
LYWW
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3安培
30伏特
RDS （ ON）= 100毫瓦
VF = 0.42伏特
P- CHANNEL
D
G
S
记号
图
引脚分配
阳极
阳极
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
阴极
阴极
漏
漏
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
375
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
VDD = 30 V直流， VGS = 10 VDC ， VDS = 20伏直流电，
IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
1，负号为P沟道器件省略清晰。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2.0%.
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）
10秒。 MAX 。
顶视图
订购信息
设备
MMDFS3P303R2
包
SO–8
航运
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
MMDFS3P303/D
MMDFS3P303
肖特基整流器最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流（注3 ）
（额定VR ） TA = 100℃
峰值重复正向电流（注3 ）
（额定VR ，方波， 20千赫） TA = 105℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
VRRM
VR
IO
IFRM
IFSM
30
3.0
6.0
30
伏
安培
安培
安培
热特性 - 肖特基MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注5 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注3 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（注4 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注5 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（注3 ） - 肖特基
工作和存储温度范围
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
201
105
62.5
197
97
62.5
-55到150
°C
° C / W
TJ ， TSTG
3.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，持续10秒。最大。
4.安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
5.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
MOSFET电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性
漏源电压
零栅漏电流
门体漏电流
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 mA）的
温度系数（正）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
（VDS = VGS ， ID = 0.25 mA）的
温度系数（负）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
科斯
CRSS
TD （上）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 6.0
)
tr
TD （关闭）
tf
30
–
–
–
–
–
27
–
–
–
–
–
1.0
10
100
VDC
毫伏/°C的
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注6 ）
栅极阈值电压
1.0
–
–
–
–
1.7
3.5
0.085
0.130
5.0
–
–
0.100
0.160
–
VDC
毫伏/°C的
W
姆欧
静态漏源电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.0 ADC ）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
–
–
–
405
200
55
–
–
–
pF
–
–
–
–
12.5
16
50
35
25
30
90
65
ns
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
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2
MMDFS3P303
MOSFET电气特性
- 续
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注1 & 6 ）
特征
开关特性 - 续
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 20伏直流电， ID = 3.5 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 20伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 4.5伏，
4 5 VDC
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
漏源二极管特性
在正向电压（注6 ）
反向恢复时间
（ VGS = 0 V ， IS = 3 5 A
V
3.5 A,
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
（ IS = 1.7 ADC ， VGS = 0伏）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
0.9
26.6
18.8
7.8
0.03
1.2
–
–
–
–
C
V
ns
–
–
–
–
–
–
–
–
19
36
27
31
14
1.8
4.5
2.85
–
–
–
–
25
–
–
–
nC
ns
符号
民
典型值
最大
单位
肖特基整流器电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
g (
)
最大正向电压（注6 ）
IF = 100 MADC
Ad
IF = 3.0 ADC
IF = 6.0 ADC
最大瞬时反向电流（注6 ）
(
)
VR = 30 V
VF
TJ = 25°C
0.28
0.42
0.50
IR
TJ = 25°C
250
–
VR = 30 V
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
7.开关特性是独立的工作结温。
变化最大电压率
dv / dt的
10,000
TJ = 125°C
0.13
0.33
0.45
TJ = 125°C
–
25
mA
V / ms的
mA
伏
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