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MMDF7N02Z

功率MOSFET

7安培， 20伏

N沟道SO- 8 ，双

EZFETst是高级系列功率MOSFET的这

包含单片背到背的齐纳二极管。这些稳压二极管

提供保护，防止静电和意外的瞬变。这些

微型表面贴装MOSFET具有超低低R

DS （ ON）

而真实

逻辑电平的性能。它们能够承受高能量的

在雪崩和换向模式和漏极 - 源极

二极管具有非常低的反向恢复时间。 EZFET设备

设计用于在低电压，高速开关应用中使用

其中，电源效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流

转换器，和在便携式电池供电的电源管理

产品，如计算机，打印机，蜂窝和无绳电话。

它们也可用于在大容量存储的低电压电机控制

产品，如磁盘驱动器和磁带驱动器。

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7安培

20伏

DS （ ON）

= 27 m

N沟道

齐纳保护盖茨提供静电放电保护

设计，可承受200伏机型和2000 V人

人体模型

超低低R

DS （ ON）

提供更高的效率和延长电池

生活

逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动

小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间

二极管电桥电路的特点是使用

二极管具有高转速，软恢复

DSS

指定高温

安装信息的SO- 8封装提供

记号

图

7N02Z

SO - 8 ，双

CASE 751

风格11

7N02Z

LYWW

=器件代码

=地点代码

=年

=工作周

引脚分配

Source1

Gate1

Source2

Gate2

Drain1

Drain2

顶视图

订购信息

设备

MMDF7N02ZR2

包

SO8

航运

2500磁带&卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

2004年9月 - 牧师XXX

出版订单号：

MMDF7N02Z/D

MMDF7N02Z

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

= 1.0 M)

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

连续@ T

= 25 ° C（注1 ）

连续@ T

= 70 ° C（注1 ）

漏电流脉冲（注3 。

)

总功率耗散@ T

= 25 ° C（注1 ）

线性降额因子@ T

= 25 ° C（注1 ）

总功率耗散@ T

= 25 ° C（注2 ）

线性降额因子@ T

= 25 ° C（注2 ）

工作和存储温度范围

符号

DSS

DGR

, T

英镑

最大

±12

7.0

4.6

2.0

1.39

11.11

- 55 150

瓦

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

°C

单位

VDC

ADC

热阻

参数

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

符号

qJA

典型值

最大

62.5

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 0.25 MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 20伏，V

= 0伏）

= 20伏，V

= 0伏，T

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

±12

VDC ，V

= 0伏）

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压

激酶（CPK

≥

2.0 ）（注4 & 5 ）

= V

, I

= 0.25 MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻

= 4.5伏，我

= 7.0 ADC）

= 2.5伏，我

= 3.5 ADC）

激酶（CPK

≥

2.0 ）（注4 & 5 ）

GS （ TH）

0.5

DS （ ON）

5.0

姆欧

0.7

2.5

1.0

VDC

毫伏/°C的

激酶（CPK

≥

2.0 ）（注4 & 5 ）

（ BR ） DSS

DSS

GSS

1.0

3.0

μAdc

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

正向跨导（V

= 10 VDC ，我

= 6.0 ADC）（注4 ）

当安装在1“方FR4或G - 10板（V

= 10V ， @ 10秒）。

当安装在最小建议FR4或G - 10板（V

= 10 V ， @稳态）。

重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

反映典型值。

最大极限 - 典型值

3× SIGMA

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MMDF7N02Z

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

参见图8

S网络

= 12 VDC，我

= 5.0 ADC ，

= 4.5伏）（注6 ）

= 10 VDC ，我

= 1.0 ADC ，

= 4.5伏，

4 5 VDC

= 6.0

)

（注6 ）

D（上）

D（关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

反向恢复时间

= 7.0 ADC ，V

= 0伏，

/ DT = 100 A / μs）内（注6 ）

反向恢复电荷存储

6.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

= 7.0 ADC ，V

= 0伏）（注6 ）

= 7.0 ADC ，V

= 0伏，T

= 125°C)

0.90

0.84

780

190

590

5.7

1.1

VDC

230

725

780

1.4

6.7

6.5

460

1450

1560

= 16伏，V

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

450

350

110

630

490

155

符号

民

典型值

最大

单位

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MMDF7N02Z

典型电气特性

ID ，漏极电流（ AMPS ）

10 V

4.5 V

1.9 V

9.0

= 1.7 V

6.0

ID ，漏极电流（ AMPS ）

2.3 V

2.1 V

= 25_C

≥

10 V

9.0

25_C

6.0

= 100_C

3.0

55_C

3.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

，漏极至源极电压（伏）

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

图2.传输特性

0.06

= 7.0 A

= 25_C

0.05

= 25_C

0.04

= 2.7 V

4.5 V

0.02

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

4.0

6.0

8.0

2.0

，栅极至源极电压（伏）

0.01

2.0

4.0

6.0

8.0

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

漏电流

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.0

= 4.5 V

= 3.5 A

10,000

= 0 V

我DSS ，漏电（ NA）

1000

= 125_C

100_C

1.5

100

1.0

25_C

1.0

0.5

100

125

150

，结温（ ° C）

0.1

4.0

8.0

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

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MMDF7N02Z

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（ΔT）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

3000

= 0 V

C，电容（pF ）

2500

国际空间站

2000

1500

1000

RSS

500

= 0 V

= 25_C

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

国际空间站

OSS

RSS

OSS

5.0

，漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

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