MMDF3N06VL
功率MOSFET
3安培， 60伏
N沟道SO- 8 ，双
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率的电机控制，这些设备
特别适合好桥梁电路中二极管的速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供额外的
安全裕度对突发电压瞬变。
特点
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V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
130 m
I
D
最大
3.0 A
导通电阻区域产品大约有一半的标准
MOSFET的用新的低电压，低R
DS （ ON）
技术
更快的开关比E-费特前辈
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
静态参数是相同的两个TMOS V和TMOS E- FET
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
安装信息的SO- 8封装提供
N沟道
D
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1 M)
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 100°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，峰值
I
L
= 3.3 APK ， L = 10 mH的，R
G
= 25
)
热阻，结到环境
（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 0.0625 “从案例10
秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
60
60
±
15
3.3
0.7
10
2.0
-55
150
54
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
A
L
Y
W
8
1
SO8
CASE 751
风格11
记号
图
8
3N06V
ALYW
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
Source1
R
θJA
T
L
62.5
260
° C / W
°C
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
顶视图
1使用最小安装在G10 / FR4玻璃环氧树脂板推荐
足迹。
订购信息
设备
MMDF3N06VLR2
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 第2版
出版订单号：
MMDF3N06VL/D
MMDF3N06VL
包装尺寸
SO8
CASE 751-07
ISSUE AB
X
A
8
5
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
风格11 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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3
MMDF3N06VL
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安森美半导体
和
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