MMDF3N04HD
首选设备
功率MOSFET
3安培， 40伏
N沟道SO- 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和
真正的逻辑电平性能。它们能够承受高能量的
在雪崩和换向模式和漏极 - 源极二极管
具有非常低的反向恢复时间。 MINIMOS 设备的设计
在低电压，高速开关应用中的功率
效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流转换器，并
电源管理在便携式电池供电的产品如
计算机，打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以被用于
如磁盘驱动器的低电压电机控制在大容量存储产品
和磁带驱动器。被指定的雪崩能量，以消除
猜测在设计中感性负载切换和报价
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池
生活
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
I
DSS
指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
较高的雪崩能量
N沟道
D
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@待定
I
D
最大
3.0 A
记号
图
SO - 8 ，双
CASE 751
风格11
1
8
D3N04H
ALYW
D3N04H =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
引脚分配
Source1
G
S
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
顶视图
订购信息
设备
MMDF3N04HDR2
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年10月 - 第3版
出版订单号：
MMDF3N04HD/D
MMDF3N04HD
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
漏电流I
连续@ T
A
= 70 ° C（注1 ）
漏电流I
漏电流脉冲（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
线性降额因子（ 1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
线性降额因子（ 2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10伏，峰值I
L
= 9.0 APK ， L = 4.0 mH的，V
DS
= 40 VDC ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
162
价值
40
40
±
20
3.4
3.0
40
2.0
16
1.39
11.11
- 55 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
mJ
热阻
等级
热阻 - 结到环境， PCB安装（注1 ）
- 结到环境， PCB安装（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
典型值。
马克斯。
62.5
90
单位
° C / W
1.当安装在1“平方的FR-4或G- 10板（Ⅴ
GS
= 10 V ， @ 10秒）
2.当安装在推荐的最低的FR-4或G- 10板（Ⅴ
GS
= 10 V ， @稳态）
3.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
http://onsemi.com
2
MMDF3N04HD
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0)
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
激酶（CPK
≥
2.0)
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.4 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 1.7 ADC）
激酶（CPK
≥
2.0)
（注4 & 6 ）
V
GS （ TH）
1.0
（注4 & 6 ）
R
DS （ ON）
（注4 ）
g
FS
2.0
55
79
4.5
80
100
姆欧
2.0
4.9
3.0
VDC
毫伏/°C的
mW
激酶（CPK
≥
2.0)
（注4 & 6 ）
V
（ BR ） DSS
40
I
DSS
I
GSS
0.015
0.15
0.013
2.5
10
500
NADC
4.3
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
正向跨导（V
DS
= 3.0伏，我
D
= 1.7 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
C
国际空间站
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
OSS
C
RSS
450
130
32
900
230
96
pF
t
D（上）
(V
DD
= 20伏直流，我
D
= 3.4 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 6
W)
（注4 ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
(V
DD
= 20伏直流，我
D
= 1.7 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，R
G
= 6
W)
（注4 ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
(V
DS
= 40 VDC ，我
D
= 3.4 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ） （注4 ）
Q
1
Q
2
Q
3
9.0
15
28
19
13
77
17
20
13.9
2.1
3.7
5.4
18
30
56
38
26
144
34
40
28
ns
ns
nC
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C)
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏，
3 4广告
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
5.开关特性是独立的工作结温。
最大极限 - 典型值
6.反映的典型值。
C
pk
=
3× SIGMA
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.87
0.8
27
20
7.0
0.03
1.5
mC
ns
VDC
反向恢复时间
http://onsemi.com
3
MMDF3N04HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1200
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
900
C，电容（pF ）
V
GS
= 0 V
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
T
J
= 25°C
600
C
RSS
C
国际空间站
300
C
OSS
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
5
MMDF3N04HD
首选设备
功率MOSFET
3安培， 40伏
N沟道SO- 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和
真正的逻辑电平性能。它们能够承受高能量的
在雪崩和换向模式和漏极 - 源极二极管
具有非常低的反向恢复时间。 MINIMOS 设备的设计
在低电压，高速开关应用中的功率
效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流转换器，并
电源管理在便携式电池供电的产品如
计算机，打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以被用于
如磁盘驱动器的低电压电机控制在大容量存储产品
和磁带驱动器。被指定的雪崩能量，以消除
猜测在设计中感性负载切换和报价
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池
生活
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
I
DSS
指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
较高的雪崩能量
N沟道
D
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@待定
I
D
最大
3.0 A
记号
图
SO - 8 ，双
CASE 751
风格11
1
8
D3N04H
ALYW
D3N04H =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
引脚分配
Source1
G
S
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
顶视图
订购信息
设备
MMDF3N04HDR2
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年10月 - 第3版
出版订单号：
MMDF3N04HD/D
MMDF3N04HD
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
漏电流I
连续@ T
A
= 70 ° C（注1 ）
漏电流I
漏电流脉冲（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
线性降额因子（ 1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
线性降额因子（ 2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10伏，峰值I
L
= 9.0 APK ， L = 4.0 mH的，V
DS
= 40 VDC ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
162
价值
40
40
±
20
3.4
3.0
40
2.0
16
1.39
11.11
- 55 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
mJ
热阻
等级
热阻 - 结到环境， PCB安装（注1 ）
- 结到环境， PCB安装（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
典型值。
马克斯。
62.5
90
单位
° C / W
1.当安装在1“平方的FR-4或G- 10板（Ⅴ
GS
= 10 V ， @ 10秒）
2.当安装在推荐的最低的FR-4或G- 10板（Ⅴ
GS
= 10 V ， @稳态）
3.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
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2
MMDF3N04HD
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0)
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
激酶（CPK
≥
2.0)
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.4 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 1.7 ADC）
激酶（CPK
≥
2.0)
（注4 & 6 ）
V
GS （ TH）
1.0
（注4 & 6 ）
R
DS （ ON）
（注4 ）
g
FS
2.0
55
79
4.5
80
100
姆欧
2.0
4.9
3.0
VDC
毫伏/°C的
mW
激酶（CPK
≥
2.0)
（注4 & 6 ）
V
（ BR ） DSS
40
I
DSS
I
GSS
0.015
0.15
0.013
2.5
10
500
NADC
4.3
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
正向跨导（V
DS
= 3.0伏，我
D
= 1.7 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
C
国际空间站
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
OSS
C
RSS
450
130
32
900
230
96
pF
t
D（上）
(V
DD
= 20伏直流，我
D
= 3.4 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 6
W)
（注4 ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
(V
DD
= 20伏直流，我
D
= 1.7 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，R
G
= 6
W)
（注4 ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
(V
DS
= 40 VDC ，我
D
= 3.4 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ） （注4 ）
Q
1
Q
2
Q
3
9.0
15
28
19
13
77
17
20
13.9
2.1
3.7
5.4
18
30
56
38
26
144
34
40
28
ns
ns
nC
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C)
(I
S
= 3.4 ADC ，V
GS
= 0伏，
3 4广告
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
5.开关特性是独立的工作结温。
最大极限 - 典型值
6.反映的典型值。
C
pk
=
3× SIGMA
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.87
0.8
27
20
7.0
0.03
1.5
mC
ns
VDC
反向恢复时间
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3
MMDF3N04HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1200
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
900
C，电容（pF ）
V
GS
= 0 V
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
T
J
= 25°C
600
C
RSS
C
国际空间站
300
C
OSS
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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