摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MMDF3C03HD / D
数据表
中功率表面贴装产品
TMOS互补
场效应晶体管
MMDF3C03HD
摩托罗拉的首选设备
MINIMOS设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的高密度HDTMOS过程。
这些微型表面贴装MOSFET具有极低的RDS（on ）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有非常低的反向恢复时间。
MINIMOS设备用于低电压设计，高速
切换应用中的功率效率是重要的。典型
应用是直流 - 直流转换器，并在电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，
打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以被用于
在大容量存储产品，例如磁盘低电压电机控制
驱动器和磁带驱动器。
超低的RDS（on ）提供更高的效率和
延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 -
节省电路板空间
理想的同步整流
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
工作和存储温度范围
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 30 V直流， VGS = 5.0伏， IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
)
（ VDD = 30 V直流， VGS = 5.0伏， IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
)
热电阻 - 结到环境（ 1 ）
补充
双TMOS功率场效应晶体管
30伏特
N-CH RDS （ ON） = 0.050
W
P- CH的RDS（on ） = 0.100
W
p`s
P 摹
CASE 751-05 ，风格11
SO–8
D
氮源
N-二门
P-源
-G
N为
P-门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
TJ ， TSTG
PD
EAS
极性
—
—
N沟道
P- CHANNEL
N沟道
P- CHANNEL
—
价值
30
±
20
5.0
3.0
25
15
-55到+150
2.0
单位
VDC
VDC
ADC
APK
°C
瓦
mJ
N沟道
P- CHANNEL
R
θJA
TL
325
450
62.5
260
° C / W
°C
从案例10秒最大的铅焊接温度的目的， 1/8“ 。
器件标识
D3C03HD
（ 1 ）用最小的占用空间，建议安装在G10 / FR4玻璃环氧树脂板。
订购信息
设备
MMDF3C03HDR2
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
2500
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的， HDTMOS和MINIMOS是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉1997年公司
1
MMDF3C03HD
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压（ VDS = VGS ， ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
漏极 - 源极导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.0 ADC ）
正向跨导
（ VDS = 15 VDC ， ID = 3.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（参见图8）
（ VDS = 10 VDC ，
Vd
ID = 3.5 ADC ，
3 5 ADC
VGS = 10 V直流）
TD （上）
（ VDD = 15 VDC ，
Vd
ID = 1.0 ADC ，
,
VGS = 10 VDC ，
RG = 6.0
)
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压（ 2 ）
（ IS = 1.7 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = -1.7 ADC ， VGS = 0伏）
反向恢复时间
(N)
（D = 3.5的ADC，
(I
,
VGS = 0伏
DIS / DT = 100 A / μs）内
(P)
反向恢复电荷存储
(I
（D = 3.5的ADC，
,
VGS = 0伏
DIS / DT = 100 A / μs）内
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.2
11.7
8.48
15.8
89.6
167.3
61.1
102.6
15.7
14.8
2.0
1.7
4.6
4.7
3.9
3.4
16.4
23.4
16.9
31.6
179
334.6
122
205.2
31.4
29.6
—
—
—
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 24伏直流电，
VDC
VGS = 0伏，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
430
425
217
209
67.5
57.2
600
600
300
300
135
80
pF
VGS （ TH）
RDS(on)1
RDS(on)2
(N)
(P)
政府飞行服务队
(N)
(P)
—
—
—
—
0.55
0.12
9.0
6.0
0.08
0.16
—
—
姆欧
—
—
(N)
(P)
1.0
—
—
—
—
—
0.037
0.075
—
—
0.05
0.10
VDC
毫伏/°C的
欧
欧
V（ BR ） DSS
—
IDSS
IGSS
(N)
(P)
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
±100
μAdc
NADC
VDC
符号
极性
民
典型值
最大
单位
VSD
TRR
ta
tb
QRR
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.77
0.90
54.5
77.4
14.8
19.9
39.7
57.5
0.048
0.088
1.2
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
VDC
ns
C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMDF3C03HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
N沟道
1000
1200
TJ = 25°C
1000
C，电容（pF ）
800
600
西塞
400
科斯
200
0
–10
–5.0
VGS
0
VDS
5.0
10
15
20
25
30
CRSS
0
–10
–5.0
VGS
0
C，电容（pF ）
P- CHANNEL
TJ = 25°C
800
600
西塞
400
科斯
200
CRSS
5.0
VDS
10
15
20
25
30
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图7.电容变化
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2880707522 复制
