MMDF2P02HD
首选设备
功率MOSFET
2安培， 20伏
P沟道SO- 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有非常低的反向恢复时间。
MiniMOSt设备用于低电压设计，高速
切换应用中的功率效率是重要的。典型
应用DC-DC转换器，以及便携式电源管理
和电池供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和
无绳电话。它们也可以用于低电压的电机控制
在大容量存储产品，例如磁盘驱动器和磁带驱动器。该
被指定的雪崩能量，消除设计中的猜测
其中电感负载进行切换，并提供附加的安全余量
对意外的电压瞬变。
特点
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2安培， 20伏
R
DS （ ON）
= 160毫瓦
P- CHANNEL
D
G
S
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包装是否可用
等级
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
价值
20
20
±
20
3.3
2.1
20
2.0
- 55 150
324
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
记号
图
8
8
1
SO - 8 ，双
CASE 751
风格11
1
D2P02
AYWWG
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注1 ）
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 100°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功耗，T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C （V
DD
= 20伏直流电，
V
GS
= 5.0伏，我
L
= 6.0 APK ，
L = 18 mH的，R
G
= 25
W)
热阻，结到环境
（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
D2P02 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
Source1
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
订购信息
R
qJA
T
L
62.5
260
° C / W
°C
设备
MMDF2P02HDR2
MMDF2P02HDR2G
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1，负号为P沟道器件省略清晰。
2.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与
1死运作，持续10秒。最大。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
SO8
2500磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月， - 启示录7
出版订单号：
MMDF2P02HD/D
MMDF2P02HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
C
RSS
400
200
0
10
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
MMDF2P02HD
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
10
V
GS
8
6
4 Q1
2
Q3
0
0
4
V
DS
8
12
Q
T
，总栅极电荷（ NC）
Q2
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
12
9
6
3
0
16
15
18
VDS ，漏极至源极电压（伏）
1000
V
DD
= 10 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
f
t
r
10
1
t
D（上）
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
，如图
图15.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
为更快（更短吨
rr
） ，有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
2.0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
I S ，源电流（安培）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
1.5
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
