摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMDF2N06VL / D
产品预览
TMOS V
表面贴装的SO - 8
N沟道增强型硅栅
TMOS V是设计来实现导通电阻的新技术
tance面积产品约一半是标准的MOSFET。这
新技术的一倍以上，目前的细胞密度我们
50和60伏的TMOS装置。正如我们的TMOS E- FET
设计中， TMOS V被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压，高
电源供应器，转换器，开关速度快和应用
动力马达控制，这些设备特别适合于
桥式电路中的二极管速度和换向安全工作
区域是关键的，提供对附加的安全余量
意外的电压瞬变。
TMOS V的新功能
导通电阻区域产品大约有一半的标准
MOSFET的用新的低电压，低RDS（ON ）技术
更快的开关比E- FET前辈
G
S
MMDF2N06VL
双TMOS MOSFET
2.5安培
60伏特
RDS （ ON）= 0.130 OHM
TM
D
CASE 751-05 ，风格11
SO–8
Source–1
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
常用功能TMOS V和TMOS E-场效应管
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定高温
静态参数是相同的两个TMOS V和TMOS E- FET
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 连续@ TA = 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 5.0伏，峰值IL = 3.3 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
热阻，结到环境（ 1 ）
最大的铅焊接温度的目的， 0.0625 “从案例10秒
Gate–1
Source–2
Gate–2
顶视图
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJA
TL
价值
60
60
±
15
2.5
0.5
7.5
2.0
- 55 175
54
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
° C / W
°C
器件标识
2N6VL
（ 1 ）用最小的占用空间，建议安装在G10 / FR4玻璃环氧树脂板。
订购信息
设备
MMDF2N06VLR1
MMDF2N06VLR2
带尺寸
7″
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
12毫米压纹带
QUANTITY
500
2500
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
E- FET和TMOS V是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMDF2N06VL
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
15 VDC ， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 5.0伏， ID = 2.5 ADC ）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 5.0伏， ID = 2.5 ADC ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 1.25 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.25 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 2.5 ADC ，
VGS = 5.0 V直流）
（ VDD = 30 V直流， ID = 2.5 ADC ，
VGS = 5.0伏，
RG = 9.1
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（ IS = 2.5 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 2.5 ADC ， VGS = 0伏， TJ =
150°C)
反向恢复时间
（ IS = 2.5 ADC ， VGS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
VSD
—
—
—
—
—
—
—
—
10
30
32
28
11
1.5
3.8
3.5
20
60
60
60
20
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
340
110
27
480
150
50
pF
VGS （ TH）
1.0
—
RDS （ ON）
—
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
1.0
—
—
3.0
0.4
0.3
—
姆欧
0.12
0.13
VDC
1.5
3.0
2.0
—
VDC
毫伏/°C的
欧姆
V（ BR ） DSS
60
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
66
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
—
—
—
—
—
—
0.84
0.67
49
32
17
0.08
1.2
—
—
—
—
—
VDC
TRR
ta
tb
QRR
ns
C
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMDF2N06VL
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MMDF2N06VL/D
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
*MMDF2N06VL/D*
QQ：2880707522 复制
