MMDF2C03HD
首选设备
功率MOSFET
2安培， 30伏
互补的SO - 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有非常低的反向恢复时间。
MiniMOSt设备用于低电压设计，高速
切换应用中的功率效率是重要的。典型
应用DC-DC转换器，以及便携式电源管理
和电池供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和
无绳电话。它们也可以用于低电压的电机控制
在大容量存储产品，例如磁盘驱动器和磁带驱动器。该
被指定的雪崩能量，消除设计中的猜测
其中电感负载进行切换，并提供附加的安全余量
对意外的电压瞬变。
特点
http://onsemi.com
2安培， 30伏
R
DS （ ON）
= 70毫瓦（ N沟道）
R
DS （ ON）
= 200毫瓦（ P沟道）
N沟道
D
P- CHANNEL
D
G
S
G
S
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包装是否可用
等级
符号
V
DSS
V
GS
N沟道
P- CHANNEL
N沟道
P- CHANNEL
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
P
D
R
qJA
E
AS
324
324
T
L
260
°C
价值
30
±
20
4.1
3.0
21
15
- 55 150
2.0
62.5
单位
VDC
VDC
A
记号
图
8
8
1
SO8
CASE 751
14风格
1
D2C03
AYWWG
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注1 ）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流 - 连续
漏电流
- 脉冲
D2C03 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作和存储温度范围
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30 V, V
GS
= 5.0 V ，峰值I
L
= 9.0 APK ，
N沟道
L = 8.0 mH的，R
G
= 25
W)
(V
DD
= 30 V, V
GS
= 5.0 V ，峰值I
L
= 6.0 APK ，
P- CHANNEL
L = 18 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的， 0.0625 “
从案例。在焊浴时间为10秒
°C
W
° C / W
mJ
引脚分配
氮源
N-二门
P-源
P-门
1
2
3
4
8
7
6
5
N漏
N漏
P-漏
P-漏
订购信息
设备
MMDF2C03HDR2
MMDF2C03HDR2G
包
SO8
航运
2500磁带&卷轴
SO8
2500磁带&卷轴
（无铅）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
为清楚起见省略1负号为P沟道器件。
2.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与
1死运作，持续10秒。最大。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月， - 启示录7
出版订单号：
MMDF2C03HD/D
MMDF2C03HD
电气特性 -
持续
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （注6 ）
特征
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25°C)
正向电压（注7 ）
反向恢复时间
(I
S
= 3.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
V
SD
t
rr
t
a
(I
F
= I
S
，二
S
/ DT = 100 A / MS）
t
b
Q
RR
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
0.82
1.82
24
42
17
16
7.0
26
0.025
0.043
1.2
2.0
mC
VDC
ns
符号
极性
民
典型值
最大
单位
反向恢复存储
收费
为清楚起见省略6负号为P沟道器件。
7.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
典型电气特性
N沟道
6
I D ，漏极电流（ AMPS ）
5
4
3
2
2.9 V
1
0
2.7 V
2.5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
= 10 V
4.5 V
4.3 V
4.1 V
3.9 V
3.7 V
3.3 V
3.5 V
4
T
J
= 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
3
P- CHANNEL
V
GS
= 10 V 4.5 V
3.9 V
3.3 V
3.7 V 3.5 V
T
J
= 25°C
3.1 V
2
3.1 V
2.9 V
1
2.7 V
2.5 V
1.4
1.6
1.8
2
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
6
V
DS
≥
10 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
5
4
T
J
= 100°C
3
2
1
0
55°C
25°C
3
4
图1.区域特征
V
DS
≥
10 V
2
T
J
= 100°C
1
25°C
55°C
2
2.5
3
3.5
4
0
1.5
1.7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 3.3
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
3.5
3.7
图2.传输特性
图2.传输特性
http://onsemi.com
3
MMDF2C03HD
典型电气特性
N沟道
100
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
1000
V
GS
= 0 V
P- CHANNEL
我DSS ，漏电（ NA）
我DSS ，漏电（ NA）
10
100°C
100
T
J
= 125°C
100°C
1
0
5
10
15
20
25
30
10
0
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
30
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
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5
QQ：2880707522 复制
