摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MMDF2C02HD / D
数据表
中功率表面贴装产品
TMOS互补
场效应晶体管
MMDF2C02HD
摩托罗拉的首选设备
MINIMOS 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的高密度HDTMOS过程。
这些微型表面贴装MOSFET具有极低的RDS（on ）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有非常低的反向恢复时间。
MINIMOS设备用于低电压设计，高速
切换应用中的功率效率是重要的。典型
应用是直流 - 直流转换器，并在电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，
打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以被用于
在大容量存储产品，例如磁盘低电压电机控制
驱动器和磁带驱动器。雪崩能量指定
消除设计中感性负载的猜测
交换，并提供对突发额外的安全边际
电压瞬变。
超低的RDS（on ）提供更高的效率和扩展
电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
漏电流 - 连续
- 脉冲
N沟道
P- CHANNEL
N沟道
P- CHANNEL
D
N沟道
补充
双TMOS功率场效应晶体管
2.0安培
20伏
RDS （ ON）= 0.090 OHM
（ N沟道）
RDS （ ON）= 0.160 OHM
（ P沟道）
G
CASE 751-05 ，风格14
SO–8
S
D
P- CHANNEL
氮源
N-二门
P-源
G
S
符号
VDSS
VGS
VDGR
ID
IDM
TJ ， TSTG
PD
EAS
N沟道
P- CHANNEL
R
θJA
TL
405
324
62.5
260
° C / W
°C
P-门
1
2
3
4
8
7
6
5
N漏
N漏
P-漏
P-漏
顶视图
价值
20
±
20
20
3.8
3.3
19
20
- 55 150
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
工作和存储温度范围
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 2 ）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 20 V ， VGS = 5.0 V ，峰值IL = 9.0 A，L = 10毫亨， RG = 25
)
（ VDD = 20 V ， VGS = 5.0 V ，峰值IL = 6.0 A，L = 18毫亨， RG = 25
)
热阻 - 结到环境（ 2 ）
°C
瓦
mJ
最大的铅焊接温度， 0.0625 “的情况。在焊浴时间为10秒。
器件标识
D2C02
（ 1 ）省略清晰负面迹象P沟道器件。
（ 2 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与一个模操作， 10秒。最大。
订购信息
设备
MMDF2C02HDR2
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
2500台
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
HDTMOS和MINIMOS是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第5版
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMDF2C02HD
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
漏极 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
漏极 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.0 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ）
正向跨导
（ VDS = 3.0伏， ID = 1.5 ADC ）
（ VDS = 3.0伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（ VDS = 16伏， ID = 3.0 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDS = 16伏， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 10 VDC ， ID = 3.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
RG = 6.0
)
（ VDD = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
RG = 6.0
)
（ VDD = 10 VDC ， ID = 3.0 ADC ，
VGS = 4.5伏，
RG = 6.0
)
（ VDD = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 4.5伏，
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
（ 1 ）省略清晰负面迹象P沟道器件。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 3 ）开关特性是独立的工作结温。
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
19
58
66
17
25
20
37
7.0
11
32
21
27
45
21
36
12.5
15
1.3
1.2
2.8
5.0
2.4
4.0
22
38
116
132
35
50
40
74
21
22
64
42
54
90
42
72
18
20
—
—
—
—
—
—
（续）
nC
ns
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
455
420
184
290
45
116
630
588
250
406
90
232
pF
VGS （ TH）
—
RDS （ ON）
(N)
(P)
RDS （ ON）
(N)
(P)
政府飞行服务队
(N)
(P)
2.0
2.0
3.88
3.0
—
—
—
—
0.058
0.118
0.090
0.160
姆欧
—
—
0.074
0.152
0.100
0.180
欧姆
1.0
1.5
2.0
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
—
IDSS
IGSS
(N)
(P)
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
100
μAdc
NADC
VDC
符号
极性
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMDF2C02HD
电气特性 - 续
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
源极 - 漏极二极管的特性
（ TC = 25 ° C）
正向电压（ 2 ）
（ IS = 3.0 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏）
反向恢复时间
（ IS = 3.0 ADC ， VAS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内
（ IS = 2.0 ADC ， VAS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
（ 1 ）省略清晰负面迹象P沟道器件。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
符号
极性
民
典型值
最大
单位
VSD
TRR
ta
tb
QRR
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.79
1.5
23
38
18
17
5.0
21
0.025
0.034
1.3
2.1
—
—
—
—
—
—
—
—
VDC
ns
C
典型电气特性
N沟道
VGS = 10 V
4.5 V
5
3.9 V
4
3.1 V
3
2.9 V
2
2.7 V
1
2.5 V
0
0
0.2
1.6
VDS ，漏极至源极电压（伏）
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
6
3.5 V
3.7 V
3.3 V
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
4
VGS = 10 V 4.5 V
P- CHANNEL
3.9 V
3.7 V
3.5 V
TJ = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
3
3.3 V
2
3.1 V
1
2.9 V
2.7 V
2.5 V
1.4
1.6
1.8
2
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
图1.区域特征
6
VDS
≥
10 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
4
VDS
≥
10 V
3
4
TJ = 100℃
25°C
2
– 55°C
2
1
100°C
25°C
TJ = - 55°C
1.5
2.0
2.5
3.0
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3.5
0
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3.4
0
1.0
图2.传输特性
图2.传输特性
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MMDF2C02HD
典型电气特性
N沟道
1000
VGS = 0 V
100
VGS = 0 V
P- CHANNEL
TJ = 125°C
我DSS ，漏电（ NA）
100
100°C
10
25°C
我DSS ，漏电（ NA）
TJ = 125°C
10
100°C
1
0
12
16
8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
4
20
1
0
5
10
15
20
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2880707522 复制
