【MMBZ5V6ALT1系列首选设备24瓦和40瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器SOT- 23双共阳极齐纳】,IC型号MMBZ6V8ALT1G,MMBZ6V8ALT1G PDF资料,MMBZ6V8ALT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBZ5V6ALT1系列

首选设备

24瓦和40瓦峰值功率

齐纳瞬态电压

抑制器

SOT- 23双共阳极齐纳二极管

对于ESD保护

这些双单片硅齐纳二极管被设计为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们

旨在用于在电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结

阳极保护设计两条线只用一个包。这些

器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。

特点

xxx

=器件代码

=日期代码

http://onsemi.com

记号

图

SOT23

CASE 318

12风格

无铅包可用

SOT- 23封装允许使用两个独立的单向

配置或单双向配置

工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V

标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V

峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

ESD额定值N类（超过16千伏）按照人

人体模型

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5.0

可燃性等级UL 94 V-0

xxx

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

表中的本数据手册的第3页上栏。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

260℃ 10秒

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

可在8毫米磁带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年8月 - 启示录7

出版订单号：

MMBZ5V6ALT1/D

MMBZ5V6ALT1系列

最大额定值

等级

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

≤

25°C

MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1

MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1

符号

°P

qJA

°P

qJA

, T

英镑

价值

225

1.8

556

300

2.4

417

- 55 + 150

260

单位

瓦

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

° C / W

°C

总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼

= 25 ℃，按照图6 。

2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。

*其他电压可根据要求提供。

订购信息

设备

MMBZ5V6ALT1

MMBZ5V6ALT1G

MMBZ5V6ALT3

MMBZ5V6ALT3G

MMBZ6VxALT1

MMBZ6VxALT1G

MMBZ6VxALT3

MMBZ6VxALT3G

MMBZ9V1ALT1

MMBZ9V1ALT1G

MMBZ9V1ALT3

MMBZ9V1ALT13G

MMBZxxVALT1

MMBZxxVALT1G

MMBZxxVALT3

MMBZxxVALT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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MMBZ5V6ALT1系列

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或2和3）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

V的最大温度系数

正向电流

正向电压@ I

最大齐纳阻抗@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

RWM

单向TVS

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

24 WATTS

击穿电压

RWM

伏

3.0

4.5

6.0

6.5

RWM

5.0

0.5

0.3

（注4 ）

(V)

民

5.32

5.89

6.46

8.65

9.50

喃

5.6

6.2

6.8

9.1

最大

5.88

6.51

7.14

9.56

10.5

@ I

1.0

最大齐纳

阻抗

（注5 ）

@ I

1600

0.25

@ I

（注6 ）

8.0

8.7

9.6

14.2

3.0

2.76

2.5

1.7

mV/5C

1.26

2.80

3.4

7.5

设备

MMBZ5V6AL

MMBZ6V2AL

MMBZ6V8AL

MMBZ9V1AL

MMBZ10VAL

设备

记号

5A6

6A2

6A8

9A1

10A

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

RWM

伏

8.5

14.5

RWM

200

40瓦

击穿电压

（注4 ）

(V)

民

11.40

14.25

17.10

19.00

25.65

31.35

喃

最大

12.60

15.75

18.90

21.00

28.35

34.65

@ I

1.0

@ I

（注6 ）

2.35

1.9

1.6

1.4

1.0

0.87

mV/5C

7.5

12.3

15.3

17.2

24.3

30.4

设备

MMBZ12VAL

MMBZ15VAL

MMBZ18VAL

MMBZ20VAL

MMBZ27VAL

MMBZ33VAL

设备

记号

12A

15A

18A

20A

27A

33A

4. V

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度下进行。

5. Z

和Z

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

，与AC频率= 1.0千赫。

6.浪涌电流波形每图5和图每6减免

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MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

击穿电压（伏）

@ I

)

0.1

0.01

（ nA的）

1000

100

+ 100

+ 50

温度（℃）

+ 150

+ 85

+ 25

温度（℃）

+ 125

图1.典型击穿电压

与温度的关系

（上面的曲线为每个电压为双向模式，

下面的曲线是单向的模式）

图2.典型漏电流

与温度的关系

320

280

C，电容（pF ）

240

200

160

120

15 V

BIAS （ V）

5.6 V

，功耗（毫瓦）

300

250

氧化铝基板

200

150

100

FR- 5局

100

125

温度（℃）

150

175

图3.典型电容与偏置电压

（上面的曲线为每个电压为单向模式，

下面的曲线是双向模式）

图4.稳态功率降额曲线

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MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

峰值脉冲降容％峰值

功率或电流@ T

= 25°C

100

125

150 175

，环境温度（ ° C）

200

≤

100

值（％）

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到

我50 ％

峰值 - 我

半值 -

吨，时间（ ms）的

图5.脉冲波形

MMBZ5V6ALT1

100

，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形，T

= 25°C

双向

100

，峰值浪涌功率（ W）

图6.脉冲降额曲线

MMBZ5V6ALT1

矩形

波形，T

= 25°C

双向

单向

0.1

100

1000

0.1

100

1000

PW ，脉冲宽度（毫秒）

图7.最大不重复浪涌

动力方面， P

与PW

电源被定义为V

RSM

X我

（峰），其中V

RSM

钳位电压在我

（ PK）。

图8.最大不重复浪涌

动力方面， P

（ NOM ）与PW

电源被定义为V

（ NOM ） ×1

（峰），其中

（ NOM）是在测得的额定齐纳电压

用于电压等级低测试电流。

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