【MMBZ5V6ALT1系列首选设备24瓦和40瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器SOT- 23双共阳极齐纳】,IC型号MMBZ6V2AL,MMBZ6V2AL PDF资料,MMBZ6V2AL经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBZ5V6ALT1系列

首选设备

24瓦和40瓦峰值功率

齐纳瞬态电压

抑制器

SOT- 23双共阳极齐纳二极管

对于ESD保护

这些双单片硅齐纳二极管被设计为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们

旨在用于在电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结

阳极保护设计两条线只用一个包。这些

器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。

特点

xxx

=器件代码

=日期代码

http://onsemi.com

记号

图

SOT23

CASE 318

12风格

无铅包可用

SOT- 23封装允许使用两个独立的单向

配置或单双向配置

工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V

标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V

峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

ESD额定值N类（超过16千伏）按照人

人体模型

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5.0

可燃性等级UL 94 V-0

xxx

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

表中的本数据手册的第3页上栏。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

260℃ 10秒

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

可在8毫米磁带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年8月 - 启示录7

出版订单号：

MMBZ5V6ALT1/D

MMBZ5V6ALT1系列

最大额定值

等级

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

≤

25°C

MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1

MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1

符号

°P

qJA

°P

qJA

, T

英镑

价值

225

1.8

556

300

2.4

417

- 55 + 150

260

单位

瓦

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

° C / W

°C

总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼

= 25 ℃，按照图6 。

2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。

*其他电压可根据要求提供。

订购信息

设备

MMBZ5V6ALT1

MMBZ5V6ALT1G

MMBZ5V6ALT3

MMBZ5V6ALT3G

MMBZ6VxALT1

MMBZ6VxALT1G

MMBZ6VxALT3

MMBZ6VxALT3G

MMBZ9V1ALT1

MMBZ9V1ALT1G

MMBZ9V1ALT3

MMBZ9V1ALT13G

MMBZxxVALT1

MMBZxxVALT1G

MMBZxxVALT3

MMBZxxVALT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

MMBZ5V6ALT1系列

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或2和3）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

V的最大温度系数

正向电流

正向电压@ I

最大齐纳阻抗@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

RWM

单向TVS

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

24 WATTS

击穿电压

RWM

伏

3.0

4.5

6.0

6.5

RWM

5.0

0.5

0.3

（注4 ）

(V)

民

5.32

5.89

6.46

8.65

9.50

喃

5.6

6.2

6.8

9.1

最大

5.88

6.51

7.14

9.56

10.5

@ I

1.0

最大齐纳

阻抗

（注5 ）

@ I

1600

0.25

@ I

（注6 ）

8.0

8.7

9.6

14.2

3.0

2.76

2.5

1.7

mV/5C

1.26

2.80

3.4

7.5

设备

MMBZ5V6AL

MMBZ6V2AL

MMBZ6V8AL

MMBZ9V1AL

MMBZ10VAL

设备

记号

5A6

6A2

6A8

9A1

10A

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

RWM

伏

8.5

14.5

RWM

200

40瓦

击穿电压

（注4 ）

(V)

民

11.40

14.25

17.10

19.00

25.65

31.35

喃

最大

12.60

15.75

18.90

21.00

28.35

34.65

@ I

1.0

@ I

（注6 ）

2.35

1.9

1.6

1.4

1.0

0.87

mV/5C

7.5

12.3

15.3

17.2

24.3

30.4

设备

MMBZ12VAL

MMBZ15VAL

MMBZ18VAL

MMBZ20VAL

MMBZ27VAL

MMBZ33VAL

设备

记号

12A

15A

18A

20A

27A

33A

4. V

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度下进行。

5. Z

和Z

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

，与AC频率= 1.0千赫。

6.浪涌电流波形每图5和图每6减免

http://onsemi.com

MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

击穿电压（伏）

@ I

)

0.1

0.01

（ nA的）

1000

100

+ 100

+ 50

温度（℃）

+ 150

+ 85

+ 25

温度（℃）

+ 125

图1.典型击穿电压

与温度的关系

（上面的曲线为每个电压为双向模式，

下面的曲线是单向的模式）

图2.典型漏电流

与温度的关系

320

280

C，电容（pF ）

240

200

160

120

15 V

BIAS （ V）

5.6 V

，功耗（毫瓦）

300

250

氧化铝基板

200

150

100

FR- 5局

100

125

温度（℃）

150

175

图3.典型电容与偏置电压

（上面的曲线为每个电压为单向模式，

下面的曲线是双向模式）

图4.稳态功率降额曲线

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MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

峰值脉冲降容％峰值

功率或电流@ T

= 25°C

100

125

150 175

，环境温度（ ° C）

200

≤

100

值（％）

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到

我50 ％

峰值 - 我

半值 -

吨，时间（ ms）的

图5.脉冲波形

MMBZ5V6ALT1

100

，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形，T

= 25°C

双向

100

，峰值浪涌功率（ W）

图6.脉冲降额曲线

MMBZ5V6ALT1

矩形

波形，T

= 25°C

双向

单向

0.1

100

1000

0.1

100

1000

PW ，脉冲宽度（毫秒）

图7.最大不重复浪涌

动力方面， P

与PW

电源被定义为V

RSM

X我

（峰），其中V

RSM

钳位电压在我

（ PK）。

图8.最大不重复浪涌

动力方面， P

（ NOM ）与PW

电源被定义为V

（ NOM ） ×1

（峰），其中

（ NOM）是在测得的额定齐纳电压

用于电压等级低测试电流。

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MMBZ5V6ALT1系列

首选设备

24瓦和40瓦峰值功率

齐纳瞬态电压

抑制器

SOT- 23双共阳极齐纳二极管

对于ESD保护

这些双单片硅齐纳二极管被设计为

应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们

旨在用于在电压和ESD敏感设备如

计算机，打印机，商用机器，通信系统，

医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结

阳极保护设计两条线只用一个包。这些

器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。

特点

xxx

=器件代码

=日期代码

http://onsemi.com

记号

图

SOT23

CASE 318

12风格

无铅包可用

SOT- 23封装允许使用两个独立的单向

配置或单双向配置

工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V

标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V

峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向），

按照图5波形

ESD额定值N类（超过16千伏）按照人

人体模型

最大钳位电压@峰值脉冲电流

低漏< 5.0

可燃性等级UL 94 V-0

xxx

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

表中的本数据手册的第3页上栏。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

260℃ 10秒

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

可在8毫米磁带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购

13英寸/ 10,000件卷轴。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年8月 - 启示录7

出版订单号：

MMBZ5V6ALT1/D

MMBZ5V6ALT1系列

最大额定值

等级

峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）

@ T

≤

25°C

MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1

MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1

符号

°P

qJA

°P

qJA

, T

英镑

价值

225

1.8

556

300

2.4

417

- 55 + 150

260

单位

瓦

°毫瓦°

毫瓦/°C的

° C / W

°毫瓦

毫瓦/°C的

° C / W

°C

总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼

= 25 ℃，按照图6 。

2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。

*其他电压可根据要求提供。

订购信息

设备

MMBZ5V6ALT1

MMBZ5V6ALT1G

MMBZ5V6ALT3

MMBZ5V6ALT3G

MMBZ6VxALT1

MMBZ6VxALT1G

MMBZ6VxALT3

MMBZ6VxALT3G

MMBZ9V1ALT1

MMBZ9V1ALT1G

MMBZ9V1ALT3

MMBZ9V1ALT13G

MMBZxxVALT1

MMBZxxVALT1G

MMBZxxVALT3

MMBZxxVALT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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MMBZ5V6ALT1系列

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或2和3）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

V的最大温度系数

正向电流

正向电压@ I

最大齐纳阻抗@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

RWM

单向TVS

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

24 WATTS

击穿电压

RWM

伏

3.0

4.5

6.0

6.5

RWM

5.0

0.5

0.3

（注4 ）

(V)

民

5.32

5.89

6.46

8.65

9.50

喃

5.6

6.2

6.8

9.1

最大

5.88

6.51

7.14

9.56

10.5

@ I

1.0

最大齐纳

阻抗

（注5 ）

@ I

1600

0.25

@ I

（注6 ）

8.0

8.7

9.6

14.2

3.0

2.76

2.5

1.7

mV/5C

1.26

2.80

3.4

7.5

设备

MMBZ5V6AL

MMBZ6V2AL

MMBZ6V8AL

MMBZ9V1AL

MMBZ10VAL

设备

记号

5A6

6A2

6A8

9A1

10A

= 0.9 V最大@我

= 10 mA）的

RWM

伏

8.5

14.5

RWM

200

40瓦

击穿电压

（注4 ）

(V)

民

11.40

14.25

17.10

19.00

25.65

31.35

喃

最大

12.60

15.75

18.90

21.00

28.35

34.65

@ I

1.0

@ I

（注6 ）

2.35

1.9

1.6

1.4

1.0

0.87

mV/5C

7.5

12.3

15.3

17.2

24.3

30.4

设备

MMBZ12VAL

MMBZ15VAL

MMBZ18VAL

MMBZ20VAL

MMBZ27VAL

MMBZ33VAL

设备

记号

12A

15A

18A

20A

27A

33A

4. V

在脉冲测试电流I测量

在25 ℃的环境温度下进行。

5. Z

和Z

通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

，与AC频率= 1.0千赫。

6.浪涌电流波形每图5和图每6减免

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MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

击穿电压（伏）

@ I

)

0.1

0.01

（ nA的）

1000

100

+ 100

+ 50

温度（℃）

+ 150

+ 85

+ 25

温度（℃）

+ 125

图1.典型击穿电压

与温度的关系

（上面的曲线为每个电压为双向模式，

下面的曲线是单向的模式）

图2.典型漏电流

与温度的关系

320

280

C，电容（pF ）

240

200

160

120

15 V

BIAS （ V）

5.6 V

，功耗（毫瓦）

300

250

氧化铝基板

200

150

100

FR- 5局

100

125

温度（℃）

150

175

图3.典型电容与偏置电压

（上面的曲线为每个电压为单向模式，

下面的曲线是双向模式）

图4.稳态功率降额曲线

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MMBZ5V6ALT1系列

典型特征

峰值脉冲降容％峰值

功率或电流@ T

= 25°C

100

125

150 175

，环境温度（ ° C）

200

≤

100

值（％）

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减到

我50 ％

峰值 - 我

半值 -

吨，时间（ ms）的

图5.脉冲波形

MMBZ5V6ALT1

100

，峰值浪涌功率（ W）

矩形

波形，T

= 25°C

双向

100

，峰值浪涌功率（ W）

图6.脉冲降额曲线

MMBZ5V6ALT1

矩形

波形，T

= 25°C

双向

单向

0.1

100

1000

0.1

100

1000

PW ，脉冲宽度（毫秒）

图7.最大不重复浪涌

动力方面， P

与PW

电源被定义为V

RSM

X我

（峰），其中V

RSM

钳位电压在我

（ PK）。

图8.最大不重复浪涌

动力方面， P

（ NOM ）与PW

电源被定义为V

（ NOM ） ×1

（峰），其中

（ NOM）是在测得的额定齐纳电压

用于电压等级低测试电流。

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LEAD -FREE

MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL

24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS

特点

新产品

在共阳极配置Dual TVS

24W / 40W峰值功率耗散额定值@ 1.0ms的

（单向）

225 mW的功耗

非常适合自动插入

低漏

无铅/符合RoHS （注5 ）

顶视图

SOT-23

暗淡

民

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

最大

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料。防火

分类科幻阳离子94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

码头：每MIL -STD- 202方法208

极性：见图

无铅电镀（雾锡完成了退火

合金引线框架42 ）。

标识：标识代码&日期代码，请参阅第2页

标识代码：见下表和第2页

订购信息：见第2页

尺寸：mm

ESD额定值超过每人体模型16kV的（注4 ）

重量： 0.008克（近似值）

= 25 ° C除非另有说明

特征

功率耗散（注1 ）

峰值功耗（注2 ） MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL

峰值功耗（注2 ） MMBZ15VAL - MMBZ33VAL

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

qJA

英镑

价值

225

556

-65到+150

单位

° C / W

°C

最大额定值

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

24瓦（V

= 0.9V最大@ I

= 10毫安）

TYPE

数

MMBZ5V6AL

记号

CODE

K9A

RWM

伏

RWM

5.0

民

5.32

击穿电压

（注3）（V）的

喃

5.6

最大

5.88

@ I

（注2 ）

8.0

3.0

典型

温度

系数

热电偶（mV / ° C）

1.8

24瓦（V

= 1.1V最大@ I

= 200毫安）

TYPE

数

MMBZ6V2AL

MMBZ6V8AL

MMBZ9V1AL

MMBZ10VAL

注意：

记号

CODE

K9B

K9C

K9D

K9E

RWM

伏

3.0

4.5

6.0

6.5

RWM

0.5

0.3

民

5.89

6.46

8.65

9.50

击穿电压

（注3）（V）的

喃

6.2

6.8

9.1

最大

6.51

7.14

9.56

10.5

@ I

1.0

@ I

（注2 ）

8.7

9.6

14.2

2.76

2.5

1.7

典型

温度

系数

TC （％ / ° C）

+0.04

+0.045

+0.065

1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ，这

可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。

按照图2 2.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼

= 25 ℃，按照图1 。

3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

4. MMBZ5V6AL和MMBZ15VAL超过16kV的ESD额定值，其他所有电压超过8kV的ESD额定值。

5.没有故意添加铅。

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1 4

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Diodes公司

40瓦（V

= 1.1V最大@ I

= 200毫安）

新产品

TYPE

数

MMBZ15VAL

MMBZ18VAL

MMBZ20VAL

MMBZ27VAL

MMBZ33VAL

记号

CODE

K9K

K9L

K9N

K9Q

K9T

RWM

伏

14.5

RWM

民

14.25

17.10

19.00

25.65

31.35

击穿电压

（注3）（V）的

喃

最大

15.75

18.90

21.00

28.35

34.65

@ I

1.0

@ I

（注2 ）

1.9

1.6

1.4

1.0

0.87

典型

温度

系数

TC （％ / ° C）

+0.080

+0.090

订购信息

设备

（注6 ）

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

（型号） -7 * -F

*例： 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 -F 。

注意事项：

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

XXX

XXX =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2001

JAN

2002

FEB

2003

三月

APR

2004

五月

2005

JUN

JUL

2006

八月

2007

SEP

2008

十月

NOV

2009

DEC

100

峰值脉冲降额的％

峰值功率或电流

，峰值脉冲电流（％I

)

100

高峰值I

半值我

10× 1000波形

界定的R.E.A.

100 125 150 175 200

，环境温度（ ° C）

图。 1脉冲降额曲线

10× 1000波形

界定的R.E.A.

吨，时间（ ms）的

图。 2脉冲波形

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320

F = 1MHz的

新产品

280

F = 1MHz的

C，电容（pF ）

240

200

160

120

C，电容（pF ）

MMBZ5V6AL

MMBZ27VAL

MMBZ15VAL

BIAS （ V）

图。 3典型电容与偏置电压

（下面的曲线是双向的模式，

上面的曲线是单向模式）

300

BIAS （ V）

图。 4典型电容与偏置电压

（下面的曲线是双向的模式，

上面的曲线是单向模式）

，功耗（毫瓦）

250

200

150

FR- 5局

100

125

150

175

，环境温度

图。 5稳态功率降额曲线

100

= 25°C

，峰值脉冲功率（ W）

双向

单向

不重复

脉冲波形

（矩形）

1.0

0.1

1.0

100

1000

10000

脉冲宽度（ ms）的

图。 6脉冲额定值曲线，

（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的

功率为P

= V

X我

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100

新产品

PK （ NOM ）

，峰值脉冲功率（ W）

= 25°C

不重复

脉冲波形

（矩形）

双向

单向

1.0

0.1

1.0

100

1000

10000

脉冲宽度（ ms）的

图。 7脉冲额定值曲线，

PK （ NOM ）

（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的

功率为P

PK （ NOM ）

= V

Z（ NOM ）

X我

其中，V

Z（ NOM ）

是额定电压的齐纳

在所使用的低测试电流下测

电压分类

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-

ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;

它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有

使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。

生命支持

坐落在我们的网站产品

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不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵

组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。

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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL

MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL

24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS

特点

在共阳极配置Dual TVS

24W / 40W峰值功率耗散额定值@ 1.0ms的

（单向）

225 mW的功耗

非常适合于自动插入

低漏

铅，卤素和无锑/符合RoHS （注5 ）

"Green"设备（注6 ）

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料“绿色”模塑料。

UL可燃性分类94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：每MIL -STD- 202方法208

极性：见图

无铅电镀（雾锡完成了退火合金42

引线框架）。

ESD额定值超过每人体模型16kV的（注4 ）

标识信息：请参阅第4页

订购信息：见第4页

重量： 0.008克（近似值）

顶视图

设备原理图

最大额定值

峰值功耗

= 25 ° C除非另有说明

特征

MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL

MMBZ15VAL - MMBZ33VAL

（注2 ）

符号

价值

单位

热特性

特征

功耗

热阻，结到环境空气

工作和存储温度范围

（注1 ）

符号

, T

英镑

价值

225

556

-65到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

24瓦（V

= 0.9V最大@ I

= 10毫安）

TYPE

数

MMBZ5V6AL

记号

CODE

K9A

RWM

伏

RWM

（注3）

μA

5.0

击穿电压

（注3）（V）的

民

5.32

喃

5.6

最大

5.88

@ I

（注2 ）

8.0

3.0

典型

温度

系数

热电偶（mV / ° C）

1.8

24瓦（V

= 0.9V最大@ I

= 10毫安）

TYPE

数

MMBZ6V2AL

MMBZ6V8AL

MMBZ9V1AL

MMBZ10VAL

注意事项：

记号

CODE

K9B

K9C

K9D

K9E

RWM

伏

3.0

4.5

6.0

6.5

RWM

（注3）

μA

0.5

0.3

击穿电压

（注3）（V）的

民

5.89

6.46

8.65

9.50

喃

6.2

6.8

9.1

最大

6.51

7.14

9.56

10.5

@ I

1.0

@ I

（注2 ）

8.7

9.6

14.2

2.76

2.5

1.7

典型

温度

系数

TC （％ / ° C）

+0.04

+0.045

+0.065

1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ，这

可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。

按照图2 2.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼

= 25 ℃，按照图1 。

3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

4. MMBZ5V6AL和MMBZ15VAL超过16kV的ESD额定值，其他所有电压超过8kV的ESD额定值。

5.没有故意添加铅。卤素和无锑。

6.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。产品制造

之前的日期代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑

阻燃剂。

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电气特性

（续）

= 25 ° C除非另有说明

40瓦（V

= 0.9V最大@ I

= 10毫安）

TYPE

数

MMBZ15VAL

MMBZ18VAL

MMBZ20VAL

MMBZ27VAL

MMBZ33VAL

记号

CODE

K9K

K9L

K9N

K9Q

K9T

RWM

伏

14.5

RWM

（注3）

击穿电压

（注3）（V）的

民

14.25

17.10

19.00

25.65

31.35

喃

最大

15.75

18.90

21.00

28.35

34.65

@ I

1.0

@ I

（注2 ）

1.9

1.6

1.4

1.0

0.87

典型

温度

系数

TC （％ / ° C）

+0.080

+0.090

100

峰值脉冲降额的％

峰值功率或电流

10× 1000波形

界定的R.E.A.

75 100 125 150 175 200

，环境温度（

图。 1脉冲降额曲线

，峰值脉冲电流（％I

)

吨，时间（ ms）的

图。 2脉冲波形

F = 1MHz的

C，电容（pF ）

MMBZ5V6AL

MMBZ15VAL

MMBZ27VAL

BIAS （ V）

图。 3典型电容与偏置电压

（下面的曲线是双向的模式，

上面的曲线是单向模式）

BIAS （ V）

图。 4典型电容与偏置电压

（下面的曲线是双向的模式，

上面的曲线是单向模式）

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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL

300

100

= 25

，功耗（毫瓦）

250

，峰值脉冲功率（ W）

双向

不重复

脉冲波形

（矩形）

200

单向

150

FR- 5局

100

1.0

100

125

150

175

，环境温度

图。 5稳态功率降额曲线

0.1

1.0

100

1,000

脉冲宽度（ ms）的

图。 6脉冲额定值曲线，

（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的

10,000

功率为P

= V

X我

100

= 25

PK （ NOM ）

，峰值脉冲功率（ W）

双向

不重复

脉冲波形

（矩形）

单向

1.0

0.1

1.0

100

1,000

脉冲宽度（ ms）的

图。 7脉冲额定值曲线，

PK （ NOM ）

（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的

10,000

功率为P

PK （ NOM ）

= V

Z（ NOM ）

X我

其中，V

Z（ NOM ）

是额定电压的齐纳

在所使用的低测试电流下测

电压分类

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订购信息

产品型号

（型号） -7 * -F

*例： 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 -F 。

注意事项：

7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

（注7 ）

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

标识信息

XXX =产品型号标识代码，

请参阅电气特性表，页1 2 &

YM =日期代码标

Y =年（例如： T = 2006）

M =月（例如： 9 =九月）

xxx

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2006

JAN

2007

FEB

MAR

2008

APR

2009

五月

2010

JUN

2011

JUL

2012

八月

SEP

2013

十月

2014

NOV

2015

DEC

包装外形尺寸

B C

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

0.37

0.51

0.40

1.20

1.40

1.30

2.30

2.50

2.40

0.89

1.03 0.915

0.45

0.60 0.535

1.78

2.05

1.83

2.80

3.00

2.90

0.013 0.10

0.05

0.903 1.10

1.00

0.400

0.45

0.61

0.55

0.085 0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

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重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

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