MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机,打印机,商用机器,通信系统,
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒(单向) ,
按照图5波形
ESD额定值N类(超过16千伏)按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:
完成耐腐蚀,易焊
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号:
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒(注1 )
@ T
L
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会(注2 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图6 。
2, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中,99.5%的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
包
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或2和3)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或引脚2和3 )
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
(注4 )
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
(注5 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
(注4 )
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
,与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
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3
LEAD -FREE
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
在共阳极配置Dual TVS
24W / 40W峰值功率耗散额定值@ 1.0ms的
(单向)
225 mW的功耗
非常适合自动插入
低漏
无铅/符合RoHS (注5 )
顶视图
SOT-23
A
暗淡
A
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
B
C
D
E
G
M
L
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
极性:见图
无铅电镀(雾锡完成了退火
合金引线框架42 ) 。
标识:标识代码&日期代码,请参阅第2页
标识代码:见下表和第2页
订购信息:见第2页
E
D
G
H
K
J
H
J
K
L
M
a
尺寸:mm
ESD额定值超过每人体模型16kV的(注4 )
重量: 0.008克(近似值)
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注1 )
峰值功耗(注2 ) MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL
峰值功耗(注2 ) MMBZ15VAL - MMBZ33VAL
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
P
d
P
pk
P
pk
R
qJA
T
j
,T
英镑
价值
225
24
40
556
-65到+150
单位
mW
W
W
° C / W
°C
最大额定值
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
24瓦(V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安)
TYPE
数
MMBZ5V6AL
记号
CODE
K9A
V
RWM
伏
3
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
民
5.32
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
5.6
最大
5.88
@ I
T
mA
20
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
8.0
I
PP
A
3.0
典型
温度
系数
热电偶(mV / ° C)
1.8
24瓦(V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安)
TYPE
数
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
注意:
记号
CODE
K9B
K9C
K9D
K9E
V
RWM
伏
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
0.5
0.5
0.3
0.3
民
5.89
6.46
8.65
9.50
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
6.2
6.8
9.1
10
最大
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
2.76
2.5
1.7
1.7
典型
温度
系数
TC ( % / ° C)
+0.04
+0.045
+0.065
+0.065
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
按照图2 2.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图1 。
3.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
4. MMBZ5V6AL和MMBZ15VAL超过16kV的ESD额定值,其他所有电压超过8kV的ESD额定值。
5.没有故意添加铅。
DS30306牧师9 - 2
1 4
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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
Diodes公司
40瓦(V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安)
新产品
TYPE
数
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
记号
CODE
K9K
K9L
K9N
K9Q
K9T
V
RWM
伏
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
50
50
50
50
50
民
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
15
18
20
27
33
最大
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
21
25
28
40
46
I
PP
A
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
典型
温度
系数
TC ( % / ° C)
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
订购信息
设备
(注6 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
(型号) -7 * -F
*例: 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 -F 。
注意事项:
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
三月
3
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
JUL
7
2006
T
八月
8
2007
U
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
100
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流
I
P
,峰值脉冲电流( %I
pp
)
YM
100
75
高峰值I
pp
50
半值我
pp
/2
50
25
10× 1000波形
界定的R.E.A.
t
p
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1脉冲降额曲线
0
10× 1000波形
界定的R.E.A.
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
图。 2脉冲波形
DS30306牧师9 - 2
2 4
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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
100
新产品
P
PK ( NOM )
,峰值脉冲功率( W)
T
j
= 25°C
不重复
脉冲波形
(矩形)
双向
10
单向
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
脉冲宽度( ms)的
图。 7脉冲额定值曲线,
P
PK ( NOM )
(W )相对于脉冲宽度( ms)的
功率为P
PK ( NOM )
= V
Z( NOM )
X我
pp
其中,V
Z( NOM )
是额定电压的齐纳
在所使用的低测试电流下测
电压分类
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正,修改, enhance-
ments ,改进,或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险,所有
使用并同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
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不推荐用于生命支持系统中使用,其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
DS30306牧师9 - 2
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MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机,打印机,商用机器,通信系统,
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒(单向) ,
按照图5波形
ESD额定值N类(超过16千伏)按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:
完成耐腐蚀,易焊
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号:
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒(注1 )
@ T
L
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会(注2 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图6 。
2, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中,99.5%的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
包
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或2和3)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或引脚2和3 )
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
(注4 )
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
(注5 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
(注4 )
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
,与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
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3
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
在共阳极配置Dual TVS
24W / 40W峰值功率耗散额定值
@ 1.0ms的(单向)
225 mW的功耗
非常适合自动插入
低漏
E
SOT-23
A
暗淡
A
B
顶视图
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
C
B
C
D
E
G
M
L
机械数据
案例: SOT -23 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:见图
标识:标识代码&日期代码,
见第2页
标识代码:见下表和第2页
重量: 0.008克(约)
订购信息:见第2页
D
G
H
K
J
H
J
K
L
M
a
尺寸:mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注1 )
峰值功耗(注2 ) MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL
峰值功耗(注2 ) MMBZ15VAL - MMBZ33VAL
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
P
d
P
pk
P
pk
R
qJA
T
j
,T
英镑
价值
225
24
40
556
-65到+150
单位
mW
W
W
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
24瓦(V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安)
TYPE
数
MMBZ5V6AL
记号
CODE
K9A
V
RWM
伏
3
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
民
5.32
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
5.6
最大
5.88
@ I
T
mA
20
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
8.0
I
PP
A
3.0
典型
温度
系数
热电偶(mV / ° C)
1.8
24瓦(V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安)
TYPE
数
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
注意:
记号
CODE
K9C
K9D
K9E
V
RWM
伏
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
0.5
0.3
0.3
民
6.46
8.65
9.50
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
6.8
9.1
10
最大
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
9.6
14
14.2
I
PP
A
2.5
1.7
1.7
典型
温度
系数
TC ( % / ° C)
+0.045
+0.065
+0.065
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
按照图2 2.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图1 。
3.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
DS30306启5 - 2
1 4
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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
40瓦(V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安)
新产品
TYPE
数
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
记号
CODE
K9K/KDJ
K9L
K9N
K9Q
K9T
V
RWM
伏
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
50
50
50
50
50
民
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
击穿电压
V
BR
(注3) (V)的
喃
15
18
20
27
33
最大
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
21
25
28
40
46
I
PP
A
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
典型
温度
系数
TC ( % / ° C)
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
订购信息
设备
(注4 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
(类型号)-7 *
*例: 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 。
注意事项:
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
2001
M
2002
N
2003
P
2004
R
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
YM
五月
5
JUN
6
JUL
7
八月
8
SEP
9
十月
O
NOV
N
DEC
D
100
I
P
,峰值脉冲电流( %I
pp
)
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流
t
r
= 10m
s
100
75
高峰值I
pp
50
半值我
pp
/2
50
25
10× 1000波形
界定的R.E.A.
t
p
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1脉冲降额曲线
0
10× 1000波形
界定的R.E.A.
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
图。 2脉冲波形
DS30306启5 - 2
2 4
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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL