MMBZ5221ELT1系列
首选设备
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
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3
阴极
1
阳极
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳电压范围 - 2.4 V至91 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8 ×20
女士）
无铅包可用
记号
图
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
1
BXX M
G
G
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
225
单位
W
BXX
xx
M
G
=器件代码
= （参见第2页）
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBZ52xxELT1
MMBZ52xxELT1G
MMBZ52xxELT3
MMBZ52xxELT3G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT23
10000 /磁带&卷轴
SOT- 23 10000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号：
MMBZ5221ELT1/D
MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注4 ）
设备
记号
BE2
BE7
BE9
BF1
BF2
BF3
BF4
BF6
BF7
BF8
BF9
BG2
BG3
BG5
BG6
BG7
BG8
BG9
BH2
BH4
V
Z
(V)
民
2.28
3.13
3.70
4.08
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.65
9.50
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
17.10
19.00
喃
2.4
3.3
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
13
14
15
16
18
20
最大
2.52
3.47
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.55
10.50
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
18.90
21.00
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7
6.2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
28
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
13
15
16
17
21
25
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1600
1900
2000
1900
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
25
10
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
2
2
3
4
5
6
6.5
7
8
9.1
9.9
10
11
12
14
15
设备
MMBZ5221ELT1 / T3 ，G
MMBZ5226ELT1 / T3 ，G
MMBZ5228ELT1 / T3 ，G
MMBZ5229ELT1 / T3 ，G
MMBZ5230ELT1 / T3 ，G
MMBZ5231ELT1/T3,G
MMBZ5232ELT1/T3,G
MMBZ5234ELT1/T3,G
MMBZ5235ELT1/T3,G
MMBZ5236ELT1 / T3 ，G
MMBZ5237ELT1 / T3 ，G
MMBZ5239ELT1 / T3 ，G
MMBZ5240ELT1/T3,G
MMBZ5242ELT1/T3,G
MMBZ5243ELT1 / T3 ，G
MMBZ5244ELT1 / T3 ，G
MMBZ5245ELT1/T3,G
MMBZ5246ELT1 ，G
MMBZ5248ELT1/T3,G
MMBZ5250ELT1/T3,G
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
MMBZ5246EL ， MMBZ5252EL和MMBZ5265EL不可用10,000 /磁带&卷轴。
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2
MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（续） （引脚： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注5 ）
设备
记号
BH6
BH7
BH8
BH9
BJ1
BJ2
BJ3
BJ7
BJ8
BK1
V
Z
(V)
民
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
48.45
53.20
58.90
喃
24
25
27
28
30
33
36
51
56
62
最大
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
53.55
58.80
65.10
@ I
ZT
mA
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
2.5
2.2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
33
35
41
44
49
58
70
125
150
185
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
600
600
600
700
700
1100
1300
1400
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
18
19
21
21
23
25
27
37
43
47
设备*
MMBZ5252ELT1 ，G
MMBZ5253ELT1/T3
MMBZ5254ELT1/T3,G
MMBZ5255ELT1 / T3 ，G
MMBZ5256ELT1 / T3 ，G
MMBZ5257ELT1/T3,G
MMBZ5258ELT1 / T3 ，G
MMBZ5262ELT1 / T3 ，G
MMBZ5263ELT1 / T3 ，G
MMBZ5265ELT1 ，G
5.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
MMBZ5246EL ， MMBZ5252EL和MMBZ5265EL不可用10,000 /磁带&卷轴。
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3
MMBZ5221ELT1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ5221BLT1系列
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ5221BLT1系列
V
Z
@ I
ZT
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
10
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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4
QQ：2880707522 复制
