MMBZ5221ELT1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点：
http://onsemi.com
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳电压范围 - 2.4 V至91 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8 ×20
女士）
无铅包可用
3
阴极
1
阳极
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热电阻 -
结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热电阻 -
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
pk
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
225
单位
W
XXX M
XXX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
MMBZ52xxELT1
MMBZ52xxELT3*
包
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
* MMBZ5246EL和MMBZ5252EL
不可用10000 /磁带&卷轴。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 第4版
出版订单号：
MMBZ5221ELT1/D
MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注4 ）
设备
记号
BE2
BE7
BE9
BF1
BF2
V
Z
(V)
民
2.28
3.13
3.70
4.08
4.46
喃
2.4
3.3
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
3.47
4.10
4.52
4.94
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
28
23
22
19
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1600
1900
2000
1900
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
25
10
5
5
V
1
1
1
1
2
设备
MMBZ5221ELT1G,T3G
MMBZ5226ELT1,T3
MMBZ5228ELT1,T3
MMBZ5229ELT1,T3
MMBZ5230ELT1,T3
MMBZ5231ELT1,T3
MMBZ5232ELT1,T3
MMBZ5234ELT1,T3
MMBZ5235ELT1,T3
MMBZ5236ELT1,T3
MMBZ5237ELT1,T3
MMBZ5239ELT1,T3
BF3
BF4
BF6
BF7
BF8
BF9
BG2
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.65
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.55
20
20
20
20
20
20
20
17
11
7
5
6
8
10
1600
1600
1000
750
500
500
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
3
3
3
3
2
3
4
5
6
6.5
7
MMBZ5240ELT1,T3
MMBZ5242ELT1,T3
MMBZ5243ELT1,T3
MMBZ5244ELT1,T3
BG3
BG5
BG6
BG7
9.50
11.40
12.35
13.30
10
12
13
14
10.50
12.60
13.65
14.70
20
20
9.5
9
17
30
13
15
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
3
1
0.5
0.1
8
9.1
9.9
10
MMBZ5245ELT1,T3
MMBZ5246ELT1*
BG8
BG9
14.25
15.20
15
16
15.75
16.80
8.5
7.8
16
17
600
600
0.25
0.25
0.1
0.1
11
12
MMBZ5248ELT1,T3
MMBZ5250ELT1,T3
BH2
BH4
17.10
19.00
18
20
18.90
21.00
7
6.2
21
25
600
600
0.25
0.25
0.1
0.1
14
15
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
的“G ”后缀表示无铅封装。
*不可在10,0000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
2
MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（续）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注5 ）
设备
记号
BH6
BH7
V
Z
(V)
民
22.80
23.75
喃
24
25
最大
25.20
26.25
@ I
ZT
mA
5.2
5
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
33
35
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
mA
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
V
18
19
设备
MMBZ5252ELT1*
MMBZ5253ELT1,T3
MMBZ5254ELT1,T3
MMBZ5255ELT1,T3
MMBZ5256ELT1,T3
BH8
BH9
BJ1
25.65
26.60
28.50
27
28
30
28.35
29.40
31.50
4.6
4.5
4.2
41
44
49
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
21
21
23
MMBZ5257ELT1,T3
MMBZ5258ELT1,T3
MMBZ5262ELT1,T3
MMBZ5263ELT1,T3
MMBZ5265ELT1
BJ2
BJ3
BJ7
BJ8
BK1
31.35
34.20
48.45
53.20
58.90
33
36
51
56
62
34.65
37.80
53.55
58.80
65.10
3.8
3.4
2.5
2.2
2
58
70
125
150
185
700
700
1100
1300
1400
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
25
27
37
43
47
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
5.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*不可在10,0000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
3
MMBZ5221ELT1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ5221BLT1系列
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ5221BLT1系列
V
Z
@ I
ZT
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
10
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
