MMBZ52xxELT1G系列，
SZMMBZ52xxELT1G系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
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3
阴极
1
阳极
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳电压范围
2.4 V至91 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率
225 W（ 8 ×20
女士）
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
记号
图
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
1
BXX M
G
G
BXX
xx
M
G
=器件代码
= （参见第2页）
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
最大
225
单位
W
订购信息
设备
MMBZ52xxELT1G
SZMMBZ52xxELT1G
225
1.8
556
300
2.4
417
65
to
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
10000 /磁带&
REEL
MMBZ52xxELT3G
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
2011年12月，
启示录7
1
出版订单号：
MMBZ5221ELT1/D
MMBZ52xxELT1G系列， SZMMBZ52xxELT1G系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注4 ）
设备
记号
BE2
BE7
BE9
BF1
BF2
BF3
BF4
BF6
BF7
BF8
BF9
BG2
BG3
BG5
BG6
BG7
BG8
BG9
BH2
BH4
V
Z
(V)
民
2.28
3.13
3.70
4.08
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.65
9.50
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
17.10
19.00
喃
2.4
3.3
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
13
14
15
16
18
20
最大
2.52
3.47
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.55
10.50
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
18.90
21.00
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7
6.2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
28
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
13
15
16
17
21
25
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1600
1900
2000
1900
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
25
10
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
2
2
3
4
5
6
6.5
7
8
9.1
9.9
10
11
12
14
15
设备*
MMBZ5221ELT1/T3G
MMBZ5226ELT1/T3G
MMBZ5228ELT1/T3G
MMBZ5229ELT1/T3G
MMBZ5230ELT1/T3G
MMBZ5231ELT1/T3G
MMBZ5232ELT1/T3G
MMBZ5234ELT1/T3G
MMBZ5235ELT1/T3G
MMBZ5236ELT1/T3G
MMBZ5237ELT1/T3G
MMBZ5239ELT1/T3G
MMBZ5240ELT1/T3G
MMBZ5242ELT1/T3G
MMBZ5243ELT1/T3G
MMBZ5244ELT1/T3G
MMBZ5245ELT1/T3G
MMBZ5246ELT1G
MMBZ5248ELT1/T1G
MMBZ5250ELT1/T3G
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*包括SZ-前缀的设备适用。
MMBZ5246EL ， MMBZ5252EL和MMBZ5265EL不可用10,000 /磁带&卷轴。
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2
MMBZ52xxELT1G系列， SZMMBZ52xxELT1G系列
电气特性
（续） （引脚： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注5 ）
设备
记号
BH6
BH7
BH8
BH9
BJ1
BJ2
BJ3
BJ6
BJ7
BJ8
BK1
V
Z
(V)
民
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
49.35
48.45
53.20
58.90
喃
24
25
27
28
30
33
36
47
51
56
62
最大
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
44.65
53.55
58.80
65.10
@ I
ZT
mA
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
2.7
2.5
2.2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
33
35
41
44
49
58
70
105
125
150
185
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
600
600
600
700
700
1000
1100
1300
1400
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
18
19
21
21
23
25
27
36
37
43
47
设备*
MMBZ5252ELT1G
MMBZ5253ELT1/T3G
MMBZ5254ELT1/T3G
MMBZ5255ELT1/T3G
MMBZ5256ELT1/T3G
MMBZ5257ELT1/T3G
MMBZ5258ELT1/T3G
MMBZ5261ELT1G
MMBZ5262ELT1/T3G
MMBZ5263ELT1/T3G
MMBZ5265ELT1G
5.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*包括SZ-前缀的设备适用。
MMBZ5246EL ， MMBZ5252EL和MMBZ5265EL不可用10,000 /磁带&卷轴。
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3
MMBZ52xxELT1G系列， SZMMBZ52xxELT1G系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ52xxBLT1G系列，
SZMMBZ52xxBLT1G系列
V
Z
@ I
ZT
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
FOR MMBZ52xxBLT1G系列，
SZMMBZ52xxBLT1G系列
V
Z
@ I
ZT
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
10
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
图2.温度系数
（温度范围
55C至+ 150C ）
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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4
MMBZ52xxELT1G系列， SZMMBZ52xxELT1G系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
C，电容（pF ）
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
T
A
= 25°C
1000
I R ，漏电流（
m
A)
100
10
1
0.1
+150°C
0.01
+ 25°C
- 55°C
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
80
90
0.00
1
0.0001
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
0.00001
0
100
图5.典型电容
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
I Z ，齐纳电流（mA）
10
10
100
图6.典型漏电流
T
A
= 25°C
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图7.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
吨，时间（ ms）的
t
P
图8.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至91 V）
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
图9. 8
×
20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
