【齐纳二极管MMBZ5221B - MMBZ5257B齐纳二极管MMBZ5221B-MMBZ5257B】,IC型号MMBZ5223B,MMBZ5223B PDF资料,MMBZ5223B经销商,ic,电子元器件-51电子网

齐纳二极管MMBZ5221B - MMBZ5257B

齐纳二极管

MMBZ5221B-MMBZ5257B

容差±5 ％

绝对最大额定值*

符号

P

D

T

英镑

T

J

参数

功耗

存储温度范围

工作结温

T

A

= 25 ° C除非另有说明

3

价值

350

-55到+150

+150

单位

mW

°C

1

2

*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比应用进行咨询

操作。

SOT-23

连接

图

3

1

2 NC

电气特性

设备

MMBZ5221B

MMBZ5223B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5238B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5244B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5247B

标志

18A

18C

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

8Q

8R

8S

8T

8U

8V

8W

8X

V

Z

(V)

2.4

2.7

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

T

A

= 25 ° C除非另有说明

Z

() @ I

Z

（MA ）

30

20

30

20

28

20

24

20

23

20

22

20

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

15

16

17

19

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.4

Z

ZK

() @ I

ZK

（MA ）

1,200

0.25

1,300

0.25

1,600

0.25

1,700

0.25

1,900

0.25

1,000

0.25

1,900

1,600

1,000

750

500

600

0.25

I

R

（ μA ） @ V

R

(V)

100

1.0

75

1.0

25

1.0

15

1.0

10

1.0

5.0

1.0

5.0

3.0

2.0

1.0

500

100

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

8.1

9.9

10

11

12

13

V

F

正向电压= 0.9V最大@ I

F

= 10毫安所有MMBZ5200系列

2004仙童半导体公司

MMBZ5221B - MMBZ5257B修订版A1

齐纳二极管MMBZ5221B - MMBZ5257B

电气特性

设备

MMBZ5248B

MMBZ5249B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5253B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

标志

8Y

8Z

81A

81B

81C

81D

81E

81F

81G

81H

V

Z

(V)

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

T

A

= 25 ° C除非另有说明

Z

() @ I

Z

（MA ）

21

7.0

23

6.6

25

6.2

29

5.6

33

5.2

35

41

44

49

58

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

Z

ZK

() @ I

ZK

（MA ）

600

0.25

600

0.25

600

0.25

600

0.25

600

0.25

600

0.25

I

R

（ μA ） @ V

R

(V)

100

14

100

14

100

15

100

17

100

18

100

19

21

23

25

V

F

正向电压= 0.9V最大@ I

F

= 10毫安所有MMBZ5200系列

2004仙童半导体公司

MMBZ5221B - MMBZ5257B修订版A1

齐纳二极管MMBZ5221B - MMBZ5257B

典型特征

35

5000

V

Z

= 33.0V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

25

20

15

10

5

1

V

Z

= 5.1V

V

Z

= 3.3V

T

A

= 25

C

Z

- 阻抗（欧姆）

30

2000

1000

500

V

Z

= 3.3V

200

100

50

V

Z

= 5.1V

T

A

= 25

C

V

Z

= 33.0V

V

Z

= 12.0V

20

10

V

Z

= 12.0V

5

2

1

0.1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

0.2

0.5

1

2

5

I

Z

- 齐纳电流（mA）

10

20

齐纳电流与齐纳电压

齐纳电流与齐纳阻抗

5

V

Z

= 3.3V

6

V

Z

= 5.1V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

4

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

V

Z

- 齐纳电压（ V）

5.5

T

A

= 125

C

3

T

A

= 85

C

5

T

A

= 100

C

T

A

= 25

C

T

A

= -25

C

T

A

= 85

C

2

T

A

= 100

C

T

A

= 125

C

4.5

1

4

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

3.3齐纳电压与温度的关系

5.1齐纳电压与温度的关系

15

V

Z

= 12.0V

40

T

A

= 125

C

V

Z

= 33.0V

T

A

= 100

C

T

A

= 125

C

V

Z

- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

35

10

T = -25

C

A

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

T

A

= 100

C

30

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

5

25

0

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

20

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

12齐纳电压与稳压温度

33齐纳电压与稳压温度

2004仙童半导体公司

MMBZ5221B - MMBZ5257B修订版A1

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

FACT静音系列

ActiveArray

快

深不见底

FASTr

CoolFET

FPS

CROSSVOLT

FRFET

DOME

GlobalOptoisolator

EcoSPARK GTO

E

2

CMOS

TM

HiSeC

EnSigna

TM

I

2

C

FACT

ImpliedDisconnect

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任

所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不

在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

I7版本

MMBZ5221B - MMBZ5259B

350mW的表面贴装稳压二极管

特点

平面模具结构

350mW的功耗在FR- 4 PCB

通用，中等电流

非常适合于自动装配程序

铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"

装置（注2和3）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类

等级94V -0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀）。每MIL -STD- 202方法208

标识信息：请参阅第4页

订购信息：见第4页

重量： 0.008克（近似值）

顶视图

设备原理图

最大额定值

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

正向电压

特征

@ I

F

= 10毫安

符号

V

F

价值

0.9

单位

V

热特性

特征

功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

P

D

R

θ

JA

T

J,

T

英镑

价值

350

357

-65到+150

单位

mW

° C / W

°C

1.安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf

2.没有故意添加铅。卤素和无锑。

3.产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造

V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑

2

O

3

阻燃剂。

MMBZ5221B - MMBZ5259B

文件编号： DS18011牧师21 - 2

1 5

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2010年8月

Diodes公司

MMBZ5221B - MMBZ5259B

电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

齐纳电压范围（注4 ）

TYPE

数

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5238B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5244B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5248B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

注意事项：

TYPE

CODE

KC1

KC2

KC3

KC5

KG1

KG2

KG3

KG4

KG5/8E

KE1

KE2

KE3

KE4

KE5

KF1/8L

KF2

KF3

KF4

KF5

KH1

KH2/8S

KH3

KH4

KH5

KJ1

KJ3

KJ5

KK1

KK2

KK4

KK5

KM1

KM2

KM3

KM4

喃（ V）

2.4

2.5

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

18

20

22

24

27

28

30

33

36

39

V

Z

@ I

ZT

敏（ V）

2.28

2.38

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

MAX（ V）

2.52

2.63

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

I

ZT

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

最大齐纳

阻抗（注5 ）

Z

ZK

@ I

ZK

Z

ZT

@ I

ZT

= 0.25毫安

Ω

30

1200

30

1200

30

1300

30

1600

28

1600

24

1700

23

1900

22

2000

19

1900

17

1600

11

1600

7

1600

7

1000

5

750

6

500

8

500

8

600

10

600

17

600

22

600

30

600

13

600

15

600

16

600

17

600

21

600

25

600

29

600

33

600

41

600

44

600

49

600

58

700

70

700

80

800

最大反向

泄漏电流（注4）

I

R

μA

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@ V

R

V

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

14

15

17

18

21

23

25

27

30

4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

5， F = 1KHz的。

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MMBZ5221B - MMBZ5259B

0.4

50

P

D

，功耗（ W）

注1

I

Z

，齐纳电流（毫安）

150

0.3

40

30

0.2

20

0.1

10

0

75

25

50

100

125

T

A

，环境温度（

°

C)

图。 1功率降额曲线

0

3

4

5

6

8

9 10

7

V

Z

齐纳电压（V）

图。 2典型的齐纳击穿特性

T

J

= 25 °C

F = 1MHz的

1

2

30

T

j

= 25°C

10

12

1,000

I

Z

，齐纳电流（毫安）

20

测试电流I

Z

15

额定齐纳电压

C

T

，总电容（PF ）

18

100

V

R

= 1V

10

22

27

33

36

39

V

R

= 2V

0

10

0

10

20

30

40

V

Z

齐纳电压（V）

图。 3典型的齐纳击穿特性

10

100

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图。 4典型的总电容量与标称齐纳电压

1

1,000

Z

，齐纳阻抗（

Ω

)

100

10

1

10

100

V

Z

齐纳电压（V）

图。 5典型的齐纳阻抗特性

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订购信息

（注6 ）

设备

（类型号）-7 -F *

注意事项：

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

*从第2页例如添加“ -7 - F”到相应型号的电气特性表： 6.2V稳压= MMBZ5234B - 7 -F 。

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

XXX =产品型号标识代码

（请参阅电气特性表）

YM =日期代码标

Y =年（例如： N = 2002）

M =月（例如： 9 =九月）

xxx

日期代码的关键

YEAR

1998

CODE

J

MONTH

CODE

JAN

1

1999

K

2000

L

FEB

2

2001

M

MAR

3

2002

N

2003

P

APR

4

2004 2005

R

S

五月

5

YM

2006

T

JUN

6

2007

U

JUL

7

2008

V

2009

W

八月

8

2010

X

SEP

9

2011

Y

2012

Z

十月

O

2013

A

NOV

N

2014

B

2015

C

DEC

D

包装外形尺寸

A

B C

H

K

D

J

F

G

L

M

K1

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

A

0.37

0.51

0.40

B

1.20

1.40

1.30

C

2.30

2.50

2.40

D

0.89

1.03 0.915

F

0.45

0.60 0.535

G

1.78

2.05

1.83

H

2.80

3.00

2.90

J

0.013 0.10

0.05

K

0.903 1.10

1.00

K1

-

0.400

L

0.45

0.61

0.55

M

0.085 0.18

0.11

0°

8°

-

α

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

Y

Z

C

尺寸值（单位：mm）

Z

2.9

X

0.8

Y

0.9

C

2.0

E

1.35

X

E

MMBZ5221B - MMBZ5259B

文件编号： DS18011牧师21 - 2

4 5

www.diodes.com

2010年8月

Diodes公司

MMBZ5221B - MMBZ5259B

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

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网站上，反对一切损害无害。

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如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

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本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

2010 ， Diodes公司

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MMBZ5221B - MMBZ5259B

文件编号： DS18011牧师21 - 2

5

www.diodes.com

2010年8月

Diodes公司

MMBZ5221B~MMBZ5262B

表面贴装硅稳压二极管

电压

2.4 51伏特

动力

410毫瓦

特点

410mW功耗

齐纳电压从2.4V 51V

非常适合于自动装配程序

在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令

.120(3.04)

.006(0.15)MIN.

平面模施工

机械数据

案例： SOT -23 ，塑料

终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性

极性：参见下图

Apporx 。重量：0.0003盎司， 0.0084克

·安装位置：任意

.079(2.00)

.070(1.80)

.008(0.20)

.003(0.08)

0.004 （ 0.10 ）最大。

最大额定值和电气特性

参数

25最大功率耗散（注一）

O

C

工作结storagetemperature范围

符号

P

D

T

J

价值

410

-55到+150

单位

mW

O

C

注意事项：

A.安装在百毫米

2

（ 1mm厚）铜区域。

六月11.2010 ， REV.00

PAGE 。 1

MMBZ5221B~MMBZ5262B

额定齐纳电压

产品型号

无米。 V

410毫瓦齐纳二极管

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5224B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5238B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5244B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5247B

MMBZ5248B

MMBZ5249B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5253B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

MMBZ5260B

MMBZ5261B

MMBZ5262B

2.4

2.5

2.7

2.8

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

2.28

2.38

2.57

2.66

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

30

28

24

23

22

19

17

11

7.0

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.5

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

0.25

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.1

0.5

0.1

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10.5

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

C1

C2

C3

C4

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E3

E4

E5

F1

F2

F3

F4

F5

H1

H2

H3

H4

H5

J1

J2

J3

J4

J5

K1

K2

K3

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

V

Z

@ I

ZT

MI N 。 V

马X 。 V

Ω

马克斯。齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

mA

Ω

Z

ZK

@ I

ZK

mA

μA

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

V

记号

CODE

六月11.2010 ， REV.00

PAGE 。 2

MMBZ5221B~MMBZ5262B

温度系数（MV /

O

C)

0.6

100

功耗瓦

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

T

A

=25

O

C

10

0

25

50

75

100

125

150

1

10

100

温度（

O

C)

额定齐纳电压，伏

图1稳态功率降额

图2温度系数

1000

正向电流毫安

漏电流，

m

A

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

70

100

+150 C

O

+25 C

-55 C

80

90

O

10

150 C

75 C

O

25

O

C

5

O

C

1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

作者齐纳电压，电压

正向电压，伏

图3典型漏电流

图4典型正向电压为

六月11.2010 ， REV.00

PAGE 。 3

MMBZ5221B~MMBZ5262B

贴装焊盘布局

订购信息

包装信息

T / R - 12K每13"塑料卷

T / R - 每7 “的塑料卷盘3K

法律声明

本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息

如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其

产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新

不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。

六月11.2010 ， REV.00

PAGE 。

4

WEITRON

表面贴装稳压二极管

P B

铅（Pb ） - 免费

产品特点：

* 225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

* ZenerVoltage范围 - 2.4 V至91 V

*小尺寸封装的高密度应用

* ESD 3级（ >16千伏）每人体模型的评分

MMBZ5221B系列

小信号

齐纳二极管

225米WATTS

3

1

2

SOT-23

3

2

1

SOT- 23外形尺寸

单位： M M

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

米

0.35

1.19

2.10

0.85

0.46

1.70

2.70

0.01

0.89

0.30

0.076

米斧

0.51

1.40

3.00

1.05

1.00

2.10

3.10

0.13

1.10

0.61

0.25

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/3

Rev.A的19 -NOV- 09

MMBZ5221B系列

最大额定值@ TA = 25 ℃除非另有规定

WEITRON

符号

V

F

Pd

R

θJA

T

j

, T

英镑

特征

正向电压@ I

F

= 10毫安

功耗

热阻，结到环境空气

工作和存储温度范围

价值

0.9

225

556

-65到+150

单位

V

mW

℃/W

℃

漏电流

I

R

@ V

R

A

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

伏

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

电气特性

（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极）（V

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA，对于所有类型）。

齐纳电压

（注3）

设备

记号

18A

18B

18C

18D

18E

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

8Q

8R

8S

8T

8U

8V

8W

8X

8Y

8Z

81A

81B

81C

81D

81E

81F

81G

81H

81J

81K

81L

81M

81N

81P

81Q

81R

81S

81T

81U

81V

81W

V

Z

（伏）

民

2.28

2.37

2.56

2.66

2.85

3.13

3.42

3.70

4.08

4.46

4.84

5.32

5.70

5.89

6.46

7.12

7.79

8.26

8.64

9.50

10.4

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

@ I

ZT

mA

20

9.5

9

8.5

7.8

7.4

7

6.6

6.2

5.6

5.2

5

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3

2.7

2.5

2.2

2.1

2

1.8

1.7

1.5

1.4

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

Z

ZK

@ I

ZK

mA

0.25

设备

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5224B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5238B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5244B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5247B

MMBZ5248B

MMBZ5249B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5253B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

MMBZ5260B

MMBZ5261B

MMBZ5262B

MMBZ5263B

MMBZ5264B

MMBZ5265B

MMBZ5266B

MMBZ5267B

MMBZ5268B

MMBZ5269B

MMBZ5270B

3.Zener电压测量用脉冲测试电流I

Z

在25 ℃的环境温度

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

2/3

Rev.A的19 -NOV- 09

MMBZ5221B系列

典型特征

8

100

典型的牛逼

C

值

FOR LMBZ5221BLT1系列

WEITRON

°

典型的牛逼

C

值

FOR LMBZ5221BLT1系列

°

7

6

5

4

3

10

2

1

0

–1

θ

–2

–3

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

θ

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图1.温度系数

（温度范围-55 ° C至+ 150 ° C）

1000

T

J

= 25 C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

图2.温度系数

（温度范围-55 ° C至+ 150 ° C）

75 V （ LMBZ5267BLT1 ）

91 V（ LMBZ5270BLT1 ）

?

100

10

150 C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

1

0.4

°

0.6

°

0.7

°

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

0.5

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图3.影响

齐纳阻抗

1000

图4.典型正向电压

°

100

10

1

+150 C

0.1

偏压

Ⅴ的50％的

Z

喃

0.01

10

0.001

+25 C

0.0001

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

–55 C

70

80

90

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图5.典型电容

100

图6.典型漏电流

°

10

°

1

0.1

0.01

0

2

4

6

V

Z

齐纳电压（V）

8

10

12

0.01

10

30

50

V

Z

齐纳电压（V）

70

90

图7.齐纳电压与稳压电流

(V

Z

高达12 V ）

图8.齐纳电压与稳压电流

（ 12 V至91 V）

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

3/3

Rev.A的19 -NOV- 09

MMBZ5221B~MMBZ5261B

硅平面齐纳二极管

3

1

2

SOT- 23塑料包装

绝对最大额定值（T

a

= 25

O

C)

参数

功耗

热阻，结到环境

结温

存储温度范围

符号

P

D

R

θJA

T

j

T

英镑

价值

350

357

150

- 55至+ 150

单位

mW

O

C / W

O

C

O

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MMBZ5221B~MMBZ5261B

特性T

a

= 25

O

C

(V

F

= 0.9 V最大的我

F

= 10 mA）的

TYPE

MMBZ5221B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5247B

MMBZ5248B

MMBZ5249B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5253B

MMBZ5254B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

MMBZ5260B

MMBZ5261B

1)

记号

CODE

Y0

Z0

AA

AB

AC

AD

AE

AF

AH

AJ

AK

AM

AN

AP

AR

AY

AZ

BA

BB

BC

BE

BF

BH

BJ

BK

BM

BN

BP

BR

BX

BZ

CA

CB

CC

CD

CE

齐纳电压范围

1)

V

ZNOM

V

2.4

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

30

33

36

39

43

47

V

ZT

V

2.28…2.52

2.57…2.84

2.85…3.15

3.14…3.47

3.42…3.78

3.71…4.1

4.09…4.52

4.47…4.94

4.85…5.36

5.32…5.88

5.7...6.3

5.89…6.51

6.46…7.14

7.13…7.88

7.79…8.61

8.65…9.56

9.5…10.5

10.45…11.55

11.4…12.6

12.35…13.65

14.25…15.75

15.2…16.8

16.15...17.85

17.1…18.9

18.05…19.95

19…21

20.9…23.1

22.8…25.2

23.75…26.25

25.65…28.35

28.5…31.5

31.35…34.65

34.2…37.8

37.05…40.95

40.85…45.15

44.65…49.35

在我

ZT

mA

20

9.5

8.5

7.8

7.4

7

6.6

6.2

5.6

5.2

5

4.6

4.2

3.8

3.4

3.2

3

2.7

马克斯。动态电阻

Z

ZT

30

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

49

58

70

80

93

105

在我

ZT

mA

20

9.5

8.5

7.8

7.4

7

6.6

6.2

5.6

5.2

5

4.6

4.2

3.8

3.4

3.2

3

2.7

Z

ZK

1200

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

1000

在我

ZK

mA

0.25

马克斯。反向电流

I

R

A

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

在V

R

V

1

2

3

3.5

4

5

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

测试了脉冲TP = 20毫秒。

２

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MMBZ5221B~MMBZ5261B

３

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MMBZ5221B通MMBZ5259B

表面贴装硅稳压二极管

电压

特点

平面模施工

500mW的功率耗散

齐纳电压从2.4V - 39V

非常适合于自动装配程序

2.4 - 39伏

动力

500毫瓦

包

SOT-23

机械数据

案例： SOT -23 ，塑料

码头：每MIL -STD- 202方法208

约。重量： 0.008克

单身

最大额定值和电气特性

参数

功率耗散（注一），在75

O

C

峰值正向浪涌电流8.3ms单半

正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）（注二）

工作结storagetemperature范围

符号

价值

500

4.0

-55到+150

单位

mW

安培

O

P

D

I

FSM

T

J

C

注意事项：

A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。

B.在8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大测量。

产品型号： MMBZ5221B通MMBZ5259B

第1页

MMBZ5221B通MMBZ5259B

电气特性（T

A

=25

O

C除非另有说明）V

F

= 1.2V最大值，我

F

= 100mA的电流的所有类型。

额定齐纳电压

产品型号

无米。 V

马克斯。齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

Z

ZK

@ I

ZK

mA

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

nA

V

典型的温度。

系数

T

C

马克斯。齐纳

当前

I

ZM

@ T一

mA

V

Z

@ I

ZT

M | N 。 V

M A X 。 V

mA

500毫瓦齐纳二极管

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5248B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

2.4

2.5

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

28

30

33

36

39

2.28

2.38

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.5

10.45

11.4

12.35

14.25

15.2

17.1

19

20.9

22.8

25.65

26.6

28.5

31.35

34.2

37.05

2.52

2.63

2.84

3.15

3.47

3.78

4.1

4.52

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.5

11.55

12.6

13.65

15.75

16.8

18.9

21

23.1

25.2

28.35

29.4

31.5

34.65

37.8

40.95

30

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

16

17

21

25

29

33

41

44

49

58

70

80

20

9.5

8.5

7.8

7

6.2

5.6

5.2

5

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

1200

1250

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

0.25

100

75

50

25

15

10

5

3

2

1

0.5

0.1

1

2

3

4

5

6

6.5

8

8.4

9.1

9.9

11

12

14

15

17

18

21

23

25

27

30

-0.070

-0.065

-0.060

-0.055

0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.065

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.084

+0.085

+0.086

+0.087

+0.089

+0.090

+0.091

+0.092

188

180

167

150

138

126

115

106

97

89

81

73

67

61

55

50

45

41

38

35

30

28

25

23

21

19.1

16.8

16.2

15.1

13.8

12.6

11.6

注意：

1.Tolerance和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。

可用2.Specials包括：

所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。

B.匹配套。

3.Zener电压（V

Z

）测量。当以90秒为单位，同时保持了领先的温度，保证齐纳电压（T

L

） 30

O

C，自二极管体。

4.Zener阻抗（Z

Z

）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自

电流（I

ZT

还是我

ZK

）被叠加在我

ZT

还是我

ZK

.

5.Surge电流（I

R

）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或正弦波等效电流

1/120秒的持续时间的脉冲波叠加在测试电流，我

ZT

，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。

产品型号： MMBZ5221B通MMBZ5259B

第2页

额定值和特性曲线

8

7

100

温度系数，毫伏/

o

C)

6

5

4

3

2

1

0

-1

-2

-3

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

温度系数，毫伏/

o

C)

10

1

10

100

额定齐纳电压，电压

典型的反向电流

稳态功率降额

1000

动态阻抗，

W

IZ = 1毫安

正向电流毫安

T

J

=25 C

I

Z(AC)=0.1

I

Z（ DC ）

F = 1千赫

O

1000

100

5毫安

20毫安

100

10

150

O

C

75 C

O

25

O

C

5

O

C

1

10

作者齐纳电压，电压

100

1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

正向电压，伏

齐纳电压的齐纳阻抗效应

典型正向电压

1000

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

电容，PF

0 V BIAS

1 V BIAS

100

偏压

VZ NOM的50 ％

10

T

A

=25

o

C

功耗瓦

P

D V

.

S

. T

A

1

25

50

75

100

125

150

155

1

10

100

温度（

o

C)

额定齐纳电压，电压

稳态功率降额

典型电容

产品型号： MMBZ5221B通MMBZ5259B

第3页

额定值和特性曲线

100

T

A

=25 C

齐纳电流，马

o

100

T

A

=25 C

o

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

10

12

0.01

10

30

50

70

90

齐纳电压，电压

齐纳电压V.S.齐纳电流

1000

漏电流（

m

A)

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

70

+150

O

C

+25

O

C

-55

O

C

80

90

额定齐纳电压， Vlots

典型LEAKGE CURRENT

产品型号： MMBZ5221B通MMBZ5259B

第4页

外形绘图

SOT-23

.119(3.00)

.110(2.80)

0.007 （ 0.20 ）最低。

.006(.15)

.002(.05)

电子邮件： sales@panjit.com.tw

.083(2.10)

.066(1.70)

0.006 （ 0.15 ）最大。

.020(.50)

.013(.35)

本文件中不构成任何报价或合同的一部分的信息，被认为是准确和可靠，恕不另行通知可能会发生变化。我公司概不

由发布者对其使用的任何后果接受。

发布本文件并不表示（或暗示）专利或其它工业或知识产权的任何许可。

强茂新国际有限公司

电话： 886-7-6213121

传真： 886-7-6213129

互联网： http://www.panjit.com.tw

产品型号： MMBZ5221B通MMBZ5259B

.044(1.10)

.035(.90)

.103(2.60)

.086(2.20)

.056(1.40)

.047(1.20)

第5页

MCC

微商业公司

21201 Itasca的圣

查茨沃斯， CA 91311

电话：（ 818 ） 701-4933

传真：（ 818 ） 701-4939

MMBZ5221B

THRU

MMBZ5259B

410

mW

稳压二极管

2.4

39

伏

SOT-23

A

D

特点

宽电压范围可

小外形封装节省空间

高温焊接： 250 ℃，10秒码头

表面贴装封装

最大额定值

操作

连接点

温度： -55 ° C至+ 150°C

存储温度： -55°C至+ 150°C

500

mWatt DC功耗

最大额定值@ 25

o

C除非另有说明

齐纳电流

I

F

100

mA

最大正向

V

F

1.2

V

电压

功耗

P

（AV）

410

mWatt

（无释A）

PE AK向S督促我

FSM

4.0

安培

电流（不是电子S B ）

注意事项：

A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。

B.在8.3ms经单半正弦波或同等测量

方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高

.

C

B

E

F

J

G

H

K

尺寸

英寸

民

.110

.086

.047

.033

.066

---

.035

.002

.013

.007

MM

民

2.80

2.20

1.20

.85

1.70

---

.90

.05

.35

.20

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

最大

.119

.103

.056

.041

.083

.006

.044

.006

.020

---

最大

3.00

2.60

1.40

1.05

2.10

.15

1.10

.15

.50

---

记

建议焊料

焊盘布局

.035

.900

*引脚配置 - 顶视图

.055

1.40

.102

2.60

英寸

mm

.035

.880

.035

.880

www.mccsemi.com

MCC

MMBZ5221B通MMBZ5259B

电气特性@ 25

o

C除非另有说明

正常

齐纳

电压

VZ @ IZT

TEST

当前IZT

最大齐纳

阻抗

“B”后缀ONLY

ZZT @ IZT ZZK @ Izk = 0.25毫安

最大反向

漏电流

IR @ VR

最大齐纳

电压温度

系数' B'

后缀ONLY

MCC部分

数

记号

伏

mA

欧

uA

伏

%/

o

C

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5248B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

C1

C2

C3

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E4

E5

F1

F2

F4

F5

H1

H2

H3

H5

J1

J3

J5

K1

K2

K4

K5

M1

M2

M3

M4

2.4

2.5

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

28

30

33

36

39

20

9.5

8.5

7.8

7.0

6.2

5.6

5.2

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

16

17

21

25

29

33

41

44

49

58

70

80

1200

1250

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

11

12

14

15

17

18

21

23

25

27

30

-0.085

-0.080

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

±0.055

±0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

注意：

1.Tolerance和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。

可用2.Specials包括：

所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。

B.匹配套。

3.齐纳电压（V

Z

）测量。当以90秒为单位，同时保持了领先的温度，保证齐纳电压（T

L

） 30

O

C，自二极管体。

4.齐纳阻抗（Z

Z

）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自

电流（I

ZT

还是我

ZK

）被叠加在我

ZT

还是我

ZK

.

5.Surge电流（I

R

）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或正弦波等效电流

1/120秒的持续时间的脉冲波叠加在测试电流，我

ZT

，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。

www.mccsBemi.com

MCC

MMBZ5221B通MMBZ5259B

8

7

100

温度系数，毫伏/

o

C)

6

5

4

3

2

1

0

-1

-2

-3

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

温度系数，毫伏/

o

C)

10

1

10

100

额定齐纳电压，电压

典型的反向电流

稳态功率降额

1000

动态阻抗，

W

IZ = 1毫安

正向电流毫安

T

J

=25 C

I

Z(AC)=0.1

I

Z（ DC ）

F = 1千赫

O

1000

100

5毫安

20毫安

100

10

150

O

C

75 C

O

25 C

O

5

O

C

1

10

作者齐纳电压，电压

100

1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

正向电压，伏

齐纳电压的齐纳阻抗效应

典型正向电压

1000

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

电容，PF

0 V BIAS

1 V BIAS

T

A

=25

o

C

功耗瓦

100

偏压

VZ NOM的50 ％

P

D V

.

S

. T

A

10

1

25

50

75

100

125

150

155

1

10

100

温度（

o

C)

额定齐纳电压，电压

稳态功率降额

典型电容

www.mccsemi.com

MMBZ5221B通MMBZ5259B

MCC

100

T

A

=25 C

齐纳电流，马

o

100

T

A

=25 C

o

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

10

12

0.01

10

30

50

70

90

齐纳电压，电压

齐纳电压V.S.齐纳电流

1000

漏电流（

m

A)

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

70

+150

O

C

+25

O

C

-55

O

C

80

90

额定齐纳电压， Vlots

典型LEAKGE CURRENT

www.mccsemi.com

WTE

功率半导体

MMBZ5221B - MMBZ5262B

Pb

350mW的表面贴装稳压二极管

特点

平面模具结构

350mW的功耗

2.4 - 51V额定齐纳电压

5％的标准Vz的公差

专为表面贴装应用

塑料材料 - UL认证防火

分类94V -O

A

L

B

C

M

E

H

D

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

SOT-23

民

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

最大

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

机械数据

案例： SOT -23 ，模压塑料

K

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：见图

重量： 0.008克（约）

安装位置：任意

标识：设备代码，请参阅第2页

无铅：对于符合RoHS /无铅版本，

新增“ -LF ”后缀型号，见第4页

J

G

顶视图

尺寸：mm

最大额定值

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

特征

在T峰值脉冲功率耗散

A

= 25 ° C（注1 ）

正向电压@ I

F

= 10毫安

热阻结到环境（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

P

d

V

F

R

θJA

T

j

, T

英镑

价值

350

0.9

357

-65到+150

单位

mW

V

° C / W

°C

注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。

MMBZ5221B - MMBZ5262B

1 4

2006韩元鼎好电子

电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

TYPE

数

（注1 ）

设备

记号

CODE

齐纳电压范围

（注2 ）

V

Z

@ I

ZT

喃（ V）

敏（ V）

2.28

2.38

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

MAX（ V）

2.52

2.63

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

最大齐纳阻抗

（注3）

Z

ZT

@ I

ZT

(Ω)

Ω

30

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

22

30

13

16

17

21

25

29

33

41

44

49

58

70

80

93

105

125

（MA ）

20

9.5

8.5

7.8

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3.0

2.7

2.5

Z

ZK

@ I

ZK

(Ω)

Ω

1200

1250

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

（MA ）

0.25

最大反向

漏电流

I

R

(A)

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@ V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

6.5

8.0

8.4

9.1

9.9

11

12

14

15

17

18

21

23

25

27

30

33

36

39

典型的温度。

对COEF网络cient

齐纳电压

(%/K)

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

-0.055

±0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.085

+0.086

+0.087

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

+0.095

+0.096

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5248B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

MMBZ5260B

MMBZ5261B

MMBZ5262B

C1

C2

C3

C5

D1

D2

D3

D4

D5

E1

E2

E4

E5

F1

F2

F4

F5

H1

H2

H3

H5

J1

J3

J5

K1

K2

K4

K5

M1

M2

M3

M4

M5

N1

N2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

28

30

33

36

39

43

47

51

注： 1所列类型的数字对的±5％的额定齐纳电压标准公差。

2.测得脉冲吨

p

为1ms 。

3， F = 1KHz的

MMBZ5221B - MMBZ5262B

2 4

2006韩元鼎好电子

标识信息

推荐足迹

0.035

(0.90)

xx

=设备代码，请参阅第2页

0.035

(0.90)

0.079

(2.0)

0.031

(0.8)

0.037

(0.95)

英寸（毫米）

包装信息

磁带&卷轴

检查孔

退绕方向

4mm

178mm

8mm

4mm

8mm

产品ID标签

1.6mm

卷筒直径

(mm)

178

QUANTITY

（ PCS）的

3,000

内箱尺寸

长x宽x高（mm ）

187 x 187 x 65

QUANTITY

（ PCS）的

15,000

外箱尺寸

长x宽x高（mm ）

390 x 240 x 420

QUANTITY

（ PCS）的

150,000

约。总重量

（公斤）

10.0

注意：

1.防静电塑料卷盘，白色，清澈的水或蓝色。检查孔可能会在不同的取向而改变。

2.组件是按照包装符合EIA标准481-1和481-2 。

MMBZ5221B - MMBZ5262B

3 4

2006韩元鼎好电子

订购信息

产品编号

MMBZ52xxB-T1

1.

2.

套餐类型

SOT-23

送货数量

3000 /磁带&卷轴

鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低

订货量，请咨询售楼部。

订购RoHS /无铅版本（与无铅完成），加上“ -LF ”

后缀上面的零件编号。例如， MMBZ5221B -T1 -LF 。

韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何

责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可

制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。

警告：

不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件

支持设备或系统未经明确的书面批准。

韩元鼎好电子有限公司

44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。，高雄，台湾

电话：

886-7-822-5408或886-7-822-5410

传真：

886-7-822-5417

电子邮件：

sales@wontop.com

互联网：

http://www.wontop.com

我们日常供电。

MMBZ5221B - MMBZ5262B

4 4

2006韩元鼎好电子

MMBZ5221B - MMBZ5259B

LEAD -FREE

350mW的表面贴装稳压二极管

SPICE模型： MMBZ5221B MMBZ5223B MMBZ5225B MMBZ5226B MMBZ5227B MMBZ5228B MMBZ5229B MMBZ5230B MMBZ5231B

MMBZ5232B MMBZ5233B MMBZ5234B MMBZ5235B MMBZ5236B MMBZ5237B MMBZ5238B MMBZ5239B MMBZ5240B MMBZ5241B

MMBZ5242B MMBZ5243B MMBZ5244B MMBZ5245B MMBZ5246B MMBZ5248B MMBZ5250B MMBZ5251B MMBZ5252B MMBZ5254B

MMBZ5255B MMBZ5256B MMBZ5257B MMBZ5258B MMBZ5259B

特点

·

平面模具结构

350mW的功耗在FR- 4 PCB

通用，中等电流

非常适合于自动装配程序

无铅/符合RoHS （注3 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

E

D

G

H

B

C

A

SOT-23

暗淡

A

B

C

D

E

G

K

J

L

M

民

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

最大

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

机械数据

·

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料

.

UL阻燃

分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

终端连接：见图

码头：每MIL -STD- 202方法208

无铅电镀（雾锡完成了退火合金42

引线框架）。

标识&类型代码信息：参见电气

规格表

重量： 0.008克（近似值）

H

J

K

L

M

a

尺寸：mm

最大额定值

正向电压

功率耗散（注1 ）

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

@ I

F

= 10毫安

V

F

P

d

R

qJA

T

j,

T

英镑

价值

0.9

350

357

-65到+150

单位

V

mW

° C / W

°C

特征

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

订购信息

（注2 ）

设备

（类型号）-7 -F

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

*添加“ -7 - F”在表中相应的型号，表2例如： 6.2V稳压= MMBZ5234B - 7 -F 。

注意事项：

1.安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到

在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。

2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

3.没有故意添加铅。

DS18011牧师16 - 2

1 4

www.diodes.com

MMBZ5221B - MMBZ5259B

Diodes公司

电气特性

TYPE

数

TYPE

CODE

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

齐纳电压范围（注4 ）

V

Z

@ I

ZT

I

ZT

MAX（ V）

2.52

2.63

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

mA

20

9.5

9.0

8.5

7.8

7.0

6.2

5.6

5.2

5.0

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

30

28

24

23

22

19

17

11

7

5

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

21

25

29

33

41

44

49

58

70

80

最大齐纳

阻抗（注5 ）

Z

ZT

@ I

ZT

W

1200

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

Z

ZK

@ I

ZK

= 0.25毫安

最大反向

泄漏电流（注4）

I

R

mA

100

75

50

25

15

10

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

@ V

R

V

1.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

7.0

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

14

15

17

18

21

23

25

27

30

喃（ V）

MMBZ5221B

MMBZ5222B

MMBZ5223B

MMBZ5225B

MMBZ5226B

MMBZ5227B

MMBZ5228B

MMBZ5229B

MMBZ5230B

MMBZ5231B

MMBZ5232B

MMBZ5233B

MMBZ5234B

MMBZ5235B

MMBZ5236B

MMBZ5237B

MMBZ5238B

MMBZ5239B

MMBZ5240B

MMBZ5241B

MMBZ5242B

MMBZ5243B

MMBZ5244B

MMBZ5245B

MMBZ5246B

MMBZ5248B

MMBZ5250B

MMBZ5251B

MMBZ5252B

MMBZ5254B

MMBZ5255B

MMBZ5256B

MMBZ5257B

MMBZ5258B

MMBZ5259B

注意事项：

敏（ V）

2.28

2.38

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.4 7

4.85

5.32

5.70

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

KC1

KC2

KC3

KC5

KG1

KG2

KG3

KG4

KG5/8E

KE1

KE2

KE3

KE4

KE5

KF1/8L

KF2

KF3

KF4

KF5

KH1

KH2/8S

KH3

KH4

KH5

KJ1

KJ3

KJ5

KK1

KK2

KK4

KK5

KM1

KM2

KM3

KM4

2.4

2.5

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.0

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

18

20

22

24

27

28

30

33

36

39

4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。

5， F = 1KHz的。

标识信息

XXX =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

XXX

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

1998

J

JAN

1

1999

K

FEB

2

2000

L

三月

3

YM

2001

M

APR

4

2002

N

五月

5

2003

P

JUN

6

2004

R

JUL

7

2005

S

八月

8

2006

T

SEP

9

2007

U

十月

O

2008

V

NOV

N

2009

W

DEC

D

DS18011牧师16 - 2

2 4

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1000

0.4

T

j

= 25 °C

P

D

，功耗（ W）

0.3

C

T

，总电容（PF ）

100

V

R

= 1V

0.2

0.1

V

R

= 2V

10

0

25

50

75

100

125

1

150

T

A

，环境温度（ ° C）

图。 1功耗与环境温度

10

100

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图。 2总电容VS额定齐纳电压

1000

50

T

j

= 25°C

5V6

6V8

40

I

Z

，齐纳电流（毫安）

I

Z

= 1.0毫安

100

8V2

30

20

10

测试电流I

Z

20mA

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图。 3齐纳电压 - 齐纳阻抗

100

0

1

3

4

5

6

8

9

7

V

Z

齐纳电压（V）

图。 4齐纳击穿特性

2

10

30

T

j

= 25°C

10

12

I

Z

，齐纳电流（毫安）

20

测试电流I

Z

15

额定齐纳电压

18

10

22

27

33

36

39

0

10

20

30

V

Z

齐纳电压（V）

图。 5齐纳击穿特性

40

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重要通知

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利

注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不

它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会

同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。

生命支持

未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的总裁。

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4 4

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MMBZ5221B系列

表面贴装齐纳二极管

产品特点：

* 225MW功率耗散

*适用于地表Mountted应用

*齐纳击穿电压范围2.4V至91V

小信号

齐纳二极管

225米WATTS

机械数据：

*案例： SOT -23模压塑料

*终端：每MIL -STD- 202方法208

*极性：负极由带极性指示

*标识：标识代码（请参阅表第3页）

*称： 0.008克（约）

1

2

3

SOT-23

SOT- 23外形尺寸

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

民

0.35

1.19

2.10

0.85

0.46

1.70

2.70

0.01

0.89

0.30

0.076

最大

0.51

1.40

3.00

1.05

1.00

2.10

3.10

0.13

1.10

0.61

0.25

单位：mm

WEITRON

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MMBZ5221B系列

在FR - 5局总功耗

@T

A

=25 C

热阻结到环境空气

正向电压@ IF = 10毫安

结温和存储温度范围

注： 1.FR - 5 = 1.0 * 0.75 * 0.62in

(1)

WEITRON

最大额定值和电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）

符号

特征

单位

价值

PD

RJ-A

VF

TJ ， TSTG

225

556

0.9

-65到+ 150

mW

C / W

V

C

电动

特征

I

F

（P INOUT ： 1 ，阳极， 2 -没有C onnection ， 3 -C athode ）（T

A

= 25 C

unles s otherwis ê指出，V

F

= 0.9V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

R

V

R

I

F

V

F

I

ZK

Z

ZK

埃弗斯式C光凭目前

参数

埃弗斯ê齐纳电压@ I

ZT

最大齐纳阻抗@ I

ZT

埃弗斯ê泄漏光凭目前 @ V

R

埃弗斯ê电压

F orward光凭目前

F orward电压@ I

F

埃弗斯式C光凭目前

最大齐纳阻抗@

I

ZK

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

齐纳V

电压调整器

器件标识

项

MMBZ5221B

系列

记号

XX =具体设备守则

（请参阅表上的第3页）

等效电路图

3

1

阴极

阳极

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WEITRON

MMBZ5221B系列

L E （C T） - [R IC中的L C HA R A T E R为叔IC S

（P inout的： 1-阳极， 2 -NC ， 3-C athode ）（Ⅴ

F

= 0.9 V最大@我

F

= 10 mA，对于所有类型）。

齐纳电压（注）

DEVIC ê

记号

18A

18B

18C

18D

18E

8A

8B

8C

8D

8E

8F

8G

8H

8J

8K

我们将其R ON

齐纳Impedanc ê

@ I

ZT

最大

2.52

2.63

2.84

2.94

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.30

6.51

7.14

L eakage光凭目前

I

R

@ V

R

uA

100

75

50

25

15

10

5

3

V

Z

（伏）

民

2.28

2.37

2.56

2.66

2.85

3.13

3.42

3.70

4.08

4.46

4.84

5.32

5.70

5.89

6.46

Z

ZT

@ I

ZT

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

5

Z

ZK

@ I

ZK

1200

1250

1300

1400

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

DEVIC ê

MMB Z5221B

MMB Z5222B

MMB Z5223B

MMB Z5224B

MMB Z5225B

MMB Z5226B

MMB Z5227B

MMB Z5228B

MMB Z5229B

MMB Z5230B

MMB Z5231B

MMB Z5232B

MMB Z5233B

MMB Z5234B

MMB Z5235B

喃

2.4

2.5

2.7

2.8

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6

6.2

6.8

mA

20

mA

0.25

伏

1

2

3

3.5

4

5

MMB Z5236B

MMB Z5237B

MMB Z5238B

MMB Z5239B

MMB Z5240B

MMB Z5241B

MMB Z5242B

MMB Z5243B

MMB Z5244B

MMB Z5245B

MMB Z5246B

MMB Z5247B

MMB Z5248B

MMB Z5249B

MMB Z5250B

MMB Z5251B

MMB Z5252B

MMB Z5253B

MMB Z5254B

MMB Z5255B

MMB Z5256B

MMB Z5257B

MMB Z5258B

MMB Z5259B

MMB Z5260B

MMB Z5261B

MMB Z5262B

MMB Z5263B

MMB Z5264B

MMB Z5265B

MMB Z5266B

MMB Z5267B

MMB Z5268B

MMB Z5269B

MMB Z5270B

8L

8M

8N

8P

8Q

8R

8S

8T

8U

8V

8W

8X

8Y

8Z

81A

81B

81C

81D

81E

81F

81G

81H

81J

81K

81L

81M

81N

81P

81Q

81R

81S

81T

81U

81V

81W

7.12

7.79

8.26

8.64

9.50

10.4

11.40

12.35

13.30

14.25

15.20

16.15

17.10

18.05

19.00

20.90

22.80

23.75

25.65

26.60

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

53.20

57.00

58.90

64.60

71.25

77.90

82.65

86.45

7.5

8.2

8.7

9.1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

22

24

25

27

28

30

33

36

39

43

47

51

56

60

62

68

75

82

87

91

7.88

8.61

9.14

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

14.70

15.75

16.80

17.85

18.90

19.95

21.00

23.10

25.20

26.25

28.35

29.40

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

58.80

63.00

65.10

71.40

78.75

86.10

91.35

95.55

20

9.5

9

8.5

7.8

7.4

7

6.6

6.2

5.6

5.2

5

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

3.2

3

2.7

2.5

2.2

2.1

2

1.8

1.7

1.5

1.4

6

8

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

80

93

105

125

150

170

185

230

270

330

370

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

2000

2200

2300

0.25

3

2

1

0.5

0.1

6

6.5

7

8

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

15

17

18

19

21

23

25

27

30

33

36

39

43

46

47

52

56

62

68

69

不是电子。齐纳电压为MEAS为带有一个PULS é TES吨电流I

Z

在25℃的环境温度下

WEITRON

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MMBZ5221B系列

牛逼 P IC中的L C HA R A T E R为叔IC S

1000

我们将其R ON

I R ，漏电流（

A)

0 V BIAS

1 V BIAS

C，电容（pF ）

100

T

A

= 25C

100

10

1

+150 C

B IA S T一

Ⅴ的50％的

Z

喃

10

0.1

0.01

0.001

+25 C

±55 C

0.0001

1

10

V

Z

， NOMINA L ZE NE R诉OLTA摹E（ V）

100

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

V

Z

， NOMINA L ZE NE R诉OL摹E（ V）

TA

F igure 5. Typic人亚太itanc ê

F igure 6. Typic人L eakage光凭目前

100

T

A

= 25C

I Z ，齐纳电流（mA）

10

T

A

= 25C

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

10

12

0.01

10

30

50

70

90

V

Z

泽NE R诉OLTA摹E（ V）

V

Z

泽NE R诉OLTA摹E（ V）

F igure 7.齐纳电压Vers我们齐纳光凭目前

(V

Z

高达12 V ）

F igure 8.齐纳电压Vers我们齐纳光凭目前

（ 12 V至91 V）

WEITRON

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MMBZ5221B系列

牛逼 P IC中的L C HA R A T E R为叔IC S

θ

VZ ，温度系数（毫伏/ C）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

±1

±2

±3

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

V

Z

， NOMINA L ZE NE R诉OL摹E（ V）

TA

牛逼 P IC中的L T

C

VA L UE S

F或MMB Z5221B L 1个S é IE S

T

100

我们将其R ON

θ

VZ ，温度系数（毫伏/ C）

牛逼 P IC中的L T

C

VA L UE S

F或MMB Z5221B L 1个S é IE S

T

V

Z

@ I

ZT

V

Z

@ I

ZT

10

1

10

V

Z

， NOMINA L ZE NE R诉OLTA摹E（ V）

100

F igure 1.温度℃ oeffic客户作

（温度法兰± 5 ℃至+ 150℃ ）

F igure 2.温度℃ oeffic客户作

（温度法兰± 5℃至+ 150℃ ）

5

1000

T

J

= 25 C

I

Z（ A C ）

= 0.1

Z(

I

DC）

F = 1千赫

1000

75 V （ MMB Z5267BT 1 ）

L

91 V（ MMB Z5270BT 1 ）

L

ZT ，动态阻抗

)

(

I

Z

= 1毫安

100

IF ，正向电流（mA ）

100

5毫安

20毫安

10

150 C

1

10

V

Z

， NOMINA L ZE NE R诉OLTA摹ê

100

1

0.4

75 C 25 C

0.6

0.7

0C

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

0.5

V

F

，男或R D V OL摹E（ V）

WA

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齐纳V F的igure 3.该FFEC吨

OLTAGE ON

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F igure 4 Typic人F orward电压

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