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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1956页 > MMBZ4707-V
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面齐纳二极管。
标准齐纳电压容差为± 5 ％ 。
其它公差可根据
e3
请求。
这些二极管也是DO35情况下可用
类型名称1N4681 1N4717 ...和
SOD123情况与型号标识
MMSZ4681-V...MMSZ4717-V
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18078
机械数据
案例：
SOT23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
终端：
每MIL -STD- 750方法2026焊
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
T
A
= 25 °C
P
合计
350
1)
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
1)
在FR - 5板采用推荐焊盘布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
最高结温
存储温度范围
记
1)
在FR - 5板采用推荐焊盘布局。
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
420
1)
150
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
°C
文档编号85771
修订版1.5 ， 04军， 08
如需技术支持，请联系： Diodes-SSP@vishay.com
www.vishay.com
1
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
威世半导体
电气特性
最大V
F
= 0.9 V，在我
F
= 10毫安
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
1)
V
Z
在我
ZT
= 50 A
V
典型值。
MMBZ4681-V
MMBZ4682-V
MMBZ4683-V
MMBZ4684-V
MMBZ4685-V
MMBZ4686-V
MMBZ4687-V
MMBZ4688-V
MMBZ4689-V
MMBZ4690-V
MMBZ4691-V
MMBZ4692-V
MMBZ4693-V
MMBZ4694-V
MMBZ4695-V
MMBZ4696-V
MMBZ4697-V
MMBZ4698-V
MMBZ4699-V
MMBZ4700-V
MMBZ4701-V
MMBZ4702-V
MMBZ4703-V
MMBZ4704-V
MMBZ4705-V
MMBZ4706-V
MMBZ4707-V
MMBZ4708-V
MMBZ4709-V
MMBZ4710-V
MMBZ4711-V
MMBZ4712-V
MMBZ4713-V
MMBZ4714-V
MMBZ4715-V
MMBZ4716-V
MMBZ4717-V
1)
马克斯。反向
当前
I
R
A
马克斯。
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.6
12.6
13.7
14.7
15.8
16.8
17.9
18.9
20.0
21.0
23.1
25.2
26.3
28.4
29.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
反向
电压
V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
马克斯。电压
变化
ΔV
Z 2)
V
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.5
0.1
0.08
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.3
0.33
0.36
0.39
0.43
分钟。
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.50
11.40
12.40
13.30
14.30
15.20
16.20
17.10
18.10
19.00
20.90
22.80
23.80
25.70
26.60
28.50
31.40
34.20
37.10
40.90
CF
CH
CJ
CK
CM
CN
CP
CT
CU
CV
CA
CX
CY
CZ
DC
DD
DE
DF
DH
DJ
DK
DM
DN
DP
DT
DU
DV
DA
DZ
DY
EA
EC
ED
EE
EF
EH
EJ
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
笔记
经测试脉冲测试电流
2)
最大电压变化（V）。电压变化等于10 μA V在100 μA和V之间的差值。
Z
Z
Z
www.vishay.com
2
如需技术支持，请联系： Diodes-SSP@vishay.com
文档编号85771
修订版1.5 ， 04军， 08
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
TK
VZ
- 温度系数
V
Z
(10
-4
/K)
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
15
10
5
I
Z
= 5毫安
0
-5
0
95 9600
80
120
160 200
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
10
20
40
30
V
Z
- z - 电压（V）
50
图1.总功率耗散与环境温度
Ⅴ的图4.温度系数
Z
与Z-电压
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
200
T
j
= 25 °C
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
100
I
Z
= 5毫安
10
50
1
0
95 9598
0
5
10
15
20
25
0
95 9601
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
工作电压下运行图2.典型的变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图5.二极管电容与Z-电压
1.3
V
ZTN
- 相对
电压
变化
V
ZTN
=
V
Zt
/V
Z
(25 °C)
100
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
j
= 25 °C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
- 60
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8
×10 / K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
-4
1
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
0.1
0.01
0.001
0
95 9599
60
120
180
T
j
- 结温（ ° C）
0
240
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
95 9605
V
F
- 前进
电压
(V)
工作电压与图3.典型的变化
结温
图6.正向电流与正向电压
文档编号85771
修订版1.5 ， 04军， 08
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3
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
威世半导体
100
80
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
1000
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
60
40
20
0
0
4
10
10毫安
1
T
j
= 25 °C
95 9604
12
6
8
V
Z
- z - 电压（V）
20
95 9606
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
图7. Z-电流与Z-电压
图9.差分Z-电阻与Z-电压
50
40
I
Z
- Z-电流（mA ）
30
20
10
0
15
95 9607
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
20
25
30
35
V
Z
- z - 电压（V）
图8. Z-电流与Z-电压
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （ KW ）
1000
t
P
/T = 0.5
100
t
P
/T = 0.2
单脉冲
10
t
P
/T = 0.1
t
P
/T = 0.02
i
ZM
= (- V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
P
- 脉冲宽度（毫秒）
10
2
95 9603
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
JMAX
- T
AMB
t
P
/T = 0.01
t
P
/T = 0.05
1
10
-1
图10.热响应
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4
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文档编号85771
修订版1.5 ， 04军， 08
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOT23
17418
文档编号85771
修订版1.5 ， 04军， 08
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5
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
3
标准齐纳电压容差为± 5 ％ 。其他
公差可根据要求提供
这些二极管也可在DO- 35的情况下
同类型指定1N4681 1N4717来和
SOD- 123案件的类型名称
MMSZ4681 -V以MMSZ4717 -V
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
单位
V
mA
1
2
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 43
0.05
脉冲电流
单身
订购信息
设备名称
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
订购代码
MMBZ4681 -V以
MMBZ4717-V-series-GS18
MMBZ4817 -V以
MMBZ4717-V-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
3000 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000 /盒
15 000 /盒
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温，最大
存储温度范围
测试条件
在FR - 5板采用推荐的焊盘
布局
请参阅表“特色”
在FR - 5板采用推荐的焊盘
布局
R
thJA
T
j
T
英镑
420
150
- 55至+ 150
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
350
单位
mW
修订版1.7 ， 29 -NOV- 11
文档编号： 85771
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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MMBZ4681 -V以MMBZ4717 -V
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威世半导体
TEST
当前
I
ZT1
mA
马克斯。
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.6
12.6
13.7
14.7
15.8
16.8
17.9
18.9
20
21
23.1
25.2
26.3
28.4
29.4
31.5
34.7
3.7.8
41
45.2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
μA
马克斯。
2
1
0.8
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.4
21.2
22.8
25
27.3
29.6
32.6
电压
变化
(2)
V
Z
V
V
马克斯。
0.8
0.85
0.9
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.9
0.75
0.5
0.1
0.08
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.3
0.33
0.36
0.39
0.43
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
(1)
产品型号
记号
CODE
分钟。
MMBZ4681-V
MMBZ4682-V
MMBZ4683-V
MMBZ4684-V
MMBZ4685-V
MMBZ4686-V
MMBZ4687-V
MMBZ4688-V
MMBZ4689-V
MMBZ4690-V
MMBZ4691-V
MMBZ4692-V
MMBZ4693-V
MMBZ4694-V
MMBZ4695-V
MMBZ4696-V
MMBZ4697-V
MMBZ4698-V
MMBZ4699-V
MMBZ4700-V
MMBZ4701-V
MMBZ4702-V
MMBZ4703-V
MMBZ4704-V
MMBZ4705-V
MMBZ4706-V
MMBZ4707-V
MMBZ4708-V
MMBZ4709-V
MMBZ4710-V
MMBZ4711-V
MMBZ4712-V
MMBZ4713-V
MMBZ4714-V
MMBZ4715-V
MMBZ4716-V
MMBZ4717-V
CF
CH
CJ
CK
CM
CN
CP
CT
CU
CV
CA
CX
CY
CZ
DC
DD
DE
DF
DH
DJ
DK
DM
DN
DP
DT
DU
DV
DA
DZ
DY
EA
EC
ED
EE
EF
EH
EJ
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
13.3
14.3
15.2
16.2
17.1
18.1
19
20.9
22.8
23.8
25.7
26.6
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
反向电流
I
R
在V
R
笔记
最大V
F
= 0.9 V，在我
F
= 10毫安
(1)
经测试脉冲测试电流
(2)
最大电压变化（V）。电压变化等于10 μA V在100 μA和V之间的差值。
Z
Z
Z
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
15
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
600
500
400
300
200
100
0
0
80
120
160
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
200
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
10
5
I
Z
= 5毫安
0
-5
0
95 9600
10
20
30
40
50
95 9602
V
Z
- z - 电压（V）
图。 1 -
总功率耗散与环境温度
图。 4 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
1000
100
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
j
= 25 °C
100
10
T
j
= 25 °C
1
I
Z
= 5毫安
10
0.1
0.01
1
0
95 9598
0.001
5
10
15
20
25
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
Z
- z - 电压（V）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 2 - 工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 5 -
正向电流与正向电压
1.3
100
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
V
ZTN
- 相对电压变化
1.2
1.1
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
I
Z
- Z-电流（mA ）
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
80
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
1.0
0.9
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
40
20
0.8
- 60
95 9599
0
0
60
120
180
240
95 9604
0
4
6
8
12
20
T
j
- 结温（ ° C）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
图。 6 -
Z-电流与Z-电压
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威世半导体
1000
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
50
40
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
Z
- Z-电流（mA ）
I
Z
= 1毫安
100
30
5毫安
10
10毫安
20
10
0
15
95 9607
1
20
25
30
35
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 7 -
Z-电流与Z-电压
图。 8 -
差分Z-电阻与Z-电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOT-23
1.15 (0.045)
2.6 (0.102)
2.35 (0.093)
0.45 (0.018)
1.43 (0.056)
1.20 (0.047)
0.35 (0.014)
0.7 (0.028)
0.95 (0.037)
3.1 (0.122)
2.8 (0.110)
0.550参考。 （ 0.022参考。 ）
0.1 （ 0.004 ）最大。
0.175 (0.007)
0.098 (0.004)
0.2 (0.008)
0.5 (0.020)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.3 (0.012)
足迹推荐：
2 (0.079)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
文件编号： 6.541-5014.01-4
启8 - 日期： 23.Sept.2009
17418
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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
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材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
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MM3034B
MI-P2YT-MXY
MAX5021EPA
MI-P2L0-IXV
MCL101B-TR3
MTA350SEV
MI-PC6TM-IX
MI-QC6R2-IYY
MAX5068FAUE
MIC922BC5
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