MMBZ4617 THRU MMBZ4627
新产品
威世半导体
原通用半导体
V
Z
范围
2.4到6.2V
功耗
350mW
齐纳二极管
SOT-23
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
顶视图
顶视图
贴装焊盘布局
0.031 (0.8)
1
2
最大。 0.004 （0.1）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
0.035 (0.9)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
0.079 (2.0)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
终端：
每MIL -STD- 750方法2026焊
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 30K /盒E8 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒E9 / 3K
特点
硅平面低噪声稳压二极管。
350mW的高品质稳压器设计
低泄漏，低电流和低噪声的应用
在V 5 ％的容差
Z
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端。
最大额定值和热特性
参数
功耗
在我正向电压
F
= 200毫安
最高结温
存储温度范围
热阻结到环境空气
注意：
（ 1 ）在FR - 5板采用推荐的焊盘布局
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
P
合计
最大
典型
V
F
T
j
T
S
R
θJA
价值
350
(1)
1.1
0.97
150
-55到+150
420
(1)
单位
mW
V
°C
°C
° C / W
文档编号88359
01-May-02
www.vishay.com
1
MMBZ4617 THRU MMBZ4627
威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
(1)
电压
V
Z
@ I
ZT
部分
数
记号
CODE
(V)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试电流
I
ZT
(A)
马克斯。齐纳阻抗最大。反向漏电流最大。齐纳二极管电流最大。噪声密度
Z
ZT
@ I
ZT
电流I
R
@ V
R
I
ZM
N
D
@ I
ZT
= 250A
V
(
)
(A)
(V)
（MA ）
Hz
MMBZ4617
MMBZ4618
MMBZ4619
MMBZ4620
MMBZ4621
MMBZ4622
MMBZ4623
MMBZ4624
MMBZ4625
MMBZ4626
MMBZ4627
G17
G18
G19
G20
G21
G22
G23
G24
G25
G26
G27
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
5.0
记
:
(1) V
Z
具备5ms的脉冲测试
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2
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01-May-02
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威世半导体
原通用半导体
V
Z
范围
2.4到6.2V
功耗
350mW
齐纳二极管
SOT-23
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
顶视图
顶视图
贴装焊盘布局
0.031 (0.8)
1
2
最大。 0.004 （0.1）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
0.035 (0.9)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
0.079 (2.0)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
终端：
每MIL -STD- 750方法2026焊
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 30K /盒E8 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒E9 / 3K
特点
硅平面低噪声稳压二极管。
350mW的高品质稳压器设计
低泄漏，低电流和低噪声的应用
在V 5 ％的容差
Z
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端。
最大额定值和热特性
参数
功耗
在我正向电压
F
= 200毫安
最高结温
存储温度范围
热阻结到环境空气
注意：
（ 1 ）在FR - 5板采用推荐的焊盘布局
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
P
合计
最大
典型
V
F
T
j
T
S
R
θJA
价值
350
(1)
1.1
0.97
150
-55到+150
420
(1)
单位
mW
V
°C
°C
° C / W
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威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
(1)
电压
V
Z
@ I
ZT
部分
数
记号
CODE
(V)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试电流
I
ZT
(A)
马克斯。齐纳阻抗最大。反向漏电流最大。齐纳二极管电流最大。噪声密度
Z
ZT
@ I
ZT
电流I
R
@ V
R
I
ZM
N
D
@ I
ZT
= 250A
V
(
)
(A)
(V)
（MA ）
Hz
MMBZ4617
MMBZ4618
MMBZ4619
MMBZ4620
MMBZ4621
MMBZ4622
MMBZ4623
MMBZ4624
MMBZ4625
MMBZ4626
MMBZ4627
G17
G18
G19
G20
G21
G22
G23
G24
G25
G26
G27
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
5.0
记
:
(1) V
Z
具备5ms的脉冲测试
www.vishay.com
2
文档编号88359
01-May-02
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