MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压
抑制
版本01 - 2008年9月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单向双静电放电（ ESD ）保护二极管在一个共同的
阴极CON连接配置中，封装在一个SOT23封装（ TO- 236AB ）小型表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。该设备被设计用于ESD和瞬态
过压保护最多两个信号线组成。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
MMBZ12VDL
MMBZ15VDL
MMBZ18VCL
MMBZ20VCL
MMBZ27VCL
MMBZ33VCL
[1]
各类可作为/ DG无卤版本。
类型编号
[1]
CON组fi guration
JEDEC
TO-236AB
双共阴极
SOT23
1.2产品特点
I
单向ESD保护
两行
I
一条线的双向ESD保护
I
低电容二极管：C
d
≤
140 pF的
I
额定峰值脉冲功率：P
PPM
≤
40 W
I
超低漏电流：I
RM
≤
5 nA的
I
ESD保护高达30千伏（接触
放）
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61643-321
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
汽车电子控制单元
I
便携式电子产品
恩智浦半导体
MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PPM
I
PPM
额定峰值脉冲功率
额定峰值脉冲电流
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
条件
t
p
= 10/1000
s
t
p
= 10/1000
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
2.35
1.9
1.6
1.4
1
0.87
单位
W
A
A
A
A
A
A
总功耗
结温
环境温度
储存温度
T
AMB
≤
25
°C
[3]
[4]
-
-
-
55
65
350
440
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
符合IEC 61643-321 （ 10/1000
s
电流波形） 。
从测量引脚1或2到3脚。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1或2到3脚。
[1][2]
参数
条件
民
最大
单位
-
-
30
2
kV
kV
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
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恩智浦半导体
MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
> 8千伏
表8 。
标准
每二极管
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
150
I
PP
(%)
100
100 % I
PP
; 10
s
006aab319
I
PP
100 %
90 %
50 % I
PP
; 1000
s
50
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
1.0
2.0
3.0
t
p
（女士）
4.0
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
10/1000
s
根据脉冲波形
IEC 61643-321
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.热特性
表9 。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
350
280
60
单位
K / W
K / W
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
热阻结
焊锡点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点，引脚3 。
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
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