日前，Vishay
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
双硅平面稳压二极管与普通
阴极或共阳极配置。
双包为双向或另行
评分单向配置。
双配置保护两条线
只用一个装置。
峰值功率： 40瓦@ 1毫秒（双向） 。
适用于ESD保护。
对于双向操作，电路连接
引脚1和2对单向操作，电路
连接到引脚1和3引脚2和3 。
MMBZ15VDC
MMBZ27VDC
MMBZ15VDA
MMBZ27VDA
3
3
1
18654
2
1
2
共阴极
共阳极
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
终端：
每MIL -STD- 750 ，方法
2026
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
标记：
MMBZ15VDC = TC5
MMBZ27VDC = TC7
MMBZ15VDA = TA5
MMBZ27VDA = TA7
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值功耗
功耗
在FR - 5板
2)
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
3)
符号
P
PK
P
合计
P
合计
价值
40
4)
单位
W
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
225
1.8
300
2.4
功耗
在氧化铝基板
1)
2)
3)
4)
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
按照图2和减免上述牛逼非重复性电流脉冲
AMB
= 25 ℃，按照图3 。
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
该MMBZ6V8DC / A的额定电压为24 V.
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到Ambiant航
工作和存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
j
, T
英镑
价值
556
- 55至+ 150
单位
° C / W
°C
文档编号85808
修订版1.4 ， 08 -JUL- 04
www.vishay.com
1
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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修订版1.4 ， 08 -JUL- 04
日前，Vishay
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
双硅平面稳压二极管与普通
阴极或共阳极配置。
双包为双向或另行
评分单向配置。
双配置保护两条线
只用一个装置。
峰值功率： 40瓦@ 1毫秒（双向） 。
适用于ESD保护。
对于双向操作，电路连接
引脚1和2对单向操作，电路
连接到引脚1和3引脚2和3 。
MMBZ15VDC
MMBZ27VDC
MMBZ15VDA
MMBZ27VDA
3
3
1
18654
2
1
2
共阴极
共阳极
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
终端：
每MIL -STD- 750 ，方法
2026
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
标记：
MMBZ15VDC = TC5
MMBZ27VDC = TC7
MMBZ15VDA = TA5
MMBZ27VDA = TA7
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值功耗
功耗
在FR - 5板
2)
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
3)
符号
P
PK
P
合计
P
合计
价值
40
4)
单位
W
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
225
1.8
300
2.4
功耗
在氧化铝基板
1)
2)
3)
4)
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
按照图2和减免上述牛逼非重复性电流脉冲
AMB
= 25 ℃，按照图3 。
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
该MMBZ6V8DC / A的额定电压为24 V.
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到Ambiant航
工作和存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
j
, T
英镑
价值
556
- 55至+ 150
单位
° C / W
°C
文档编号85808
修订版1.4 ， 08 -JUL- 04
www.vishay.com
1
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号85808
修订版1.4 ， 08 -JUL- 04
MMBZ6V8DC / A至MMBZ27VDC / A
新产品
威世半导体
原通用半导体
双齐纳瞬态电压抑制器
二极管的ESD保护
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
TO- 236AB （ SOT -23 ）
贴装焊盘布局
顶视图
0.031 (0.8)
0.035 (0.9)
0.079 (2.0)
1
2
最大。 0.004 （0.1）
尺寸以英寸
（毫米）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
0.037 (0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
0.037 (0.95)
标记：
MMBZ15VDC = TC5
MMBZ27VDC = TC7
MMBZ6V8DC = ？
MMBZ15VDA = TA5
MMBZ27VDA = TA7
MMBZ6V8DA = ？
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
MMBZ15VDC
MMBZ27VDC
MMBZ15VDA
MMBZ27VDA
特点
双硅平面稳压二极管与普通
阴极或共阳极配置。
双包为双向或
单独的单向配置。
双配置保护两条线
只用一个装置。
峰值功率： 40瓦特@ 1毫秒（双向） 。
高温焊接保证：
230℃下进行10秒。
适用于ESD保护。
对于双向操作，电路连接
引脚1和2对单向操作，电路
连接到引脚1和3引脚2和3 。
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
顶部
意见
共阴极
共阳极
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
终端：
每MIL -STD- 750方法2026焊
包装代码/选项：
13元“卷E8 / 10K （8毫米磁带）
每7 “卷轴E9 / 3K （ 8mm带）
最大额定值和热特性
参数
峰值功耗
(1)
@ T
A
≤
25C
总功耗
在FR - 5板
(2
)
总功耗
在氧化铝基板
(3)
在T
A
= 25°C
减免上述25℃
在T
A
= 25°C
减免上述25℃
符号
P
pk
P
D
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
40
(4)
225
1.8
300
2.4
556
-55到+150
单位
W
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
热阻结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）非重复性按照图2和减免上述TA = 25 ℃，按照图3的电流脉冲。
（2）的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
（3）氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
（ 4） MMBZ6V8DC / A的额定电压为24V
文档编号88358
21-May-02
www.vishay.com
1
MMBZ6V8DC / A至MMBZ27VDC / A
威世半导体
原通用半导体
电气特性
击穿电压
V
BR
（伏）
(1)
TYPE
MMBZ6V8D
MMBZ15VD
MMBZ27VD
民
6.48
14.30
25.65
喃
6.8
15.00
27.00
最大
7.14
15.80
28.35
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
@I
T
mA
1.0
1.0
1.0
最大正向
最大反向
工作
电压
电压
PEAK
最大
最大
@ I
RSM
(2)
最大
反向
反向
反向
（钳位电压）温度
电压
泄漏
浪涌
V
C
@I
F
第五COEF网络cient
F
V
RWM
电流I
R
电流I
PP
（伏）
V
BR
（毫伏/ ° C） （伏特） （MA ）
（伏）
（ nA的）
（安培）
4.5
12.8
22.0
500
100
80
2.5
1.9
1.0
9.6
21.2
38.0
3.4
16
30
1.1
0.9
1.1
200
200
200
注意事项：
(1) V
BR
在脉冲测试电流IT测量为25° C的环境温度
（ 2 ）浪涌电流波形每图2和图每3减免
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 稳态功率降额曲线
布局的R
θJA
TEST
厚度：玻璃纤维在0.059 （ 1.5 mm）的
铜导线0.012英寸（ 0.3毫米）
0.30 (7.5)
0.12 (3)
300
250
P
D
，功耗（毫瓦）
氧化铝基板
200
150
FR- 5局
.04 (1)
.08 (2)
.04 (1)
.08 (2)
100
0.59 (15)
0.47 (12)
0.03 (0.8)
50
0.2 (5)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T，温度（ ° C）
尺寸英寸（毫米）
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
图。 2 - 脉冲波形
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步PEAK
电流将衰减至50 ％
I
RSM
tr≤10s
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T
A
=25Z(
°C)
图。 3 - 脉冲降额曲线
100
t
r
峰值 - 我
RSM
75
100
值（％）
半值 - 我
RSM
2
50
50
tp
25
0
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
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2
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21-May-02
MMBZ6V8DC / A至MMBZ27VDC / A
新产品
威世半导体
原通用半导体
双齐纳瞬态电压抑制器
二极管的ESD保护
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
TO- 236AB （ SOT -23 ）
贴装焊盘布局
顶视图
0.031 (0.8)
0.035 (0.9)
0.079 (2.0)
1
2
最大。 0.004 （0.1）
尺寸以英寸
（毫米）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
0.037 (0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
0.037 (0.95)
标记：
MMBZ15VDC = TC5
MMBZ27VDC = TC7
MMBZ6V8DC = ？
MMBZ15VDA = TA5
MMBZ27VDA = TA7
MMBZ6V8DA = ？
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
MMBZ15VDC
MMBZ27VDC
MMBZ15VDA
MMBZ27VDA
特点
双硅平面稳压二极管与普通
阴极或共阳极配置。
双包为双向或
单独的单向配置。
双配置保护两条线
只用一个装置。
峰值功率： 40瓦特@ 1毫秒（双向） 。
高温焊接保证：
230℃下进行10秒。
适用于ESD保护。
对于双向操作，电路连接
引脚1和2对单向操作，电路
连接到引脚1和3引脚2和3 。
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
顶部
意见
共阴极
共阳极
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
终端：
每MIL -STD- 750方法2026焊
包装代码/选项：
13元“卷E8 / 10K （8毫米磁带）
每7 “卷轴E9 / 3K （ 8mm带）
最大额定值和热特性
参数
峰值功耗
(1)
@ T
A
≤
25C
总功耗
在FR - 5板
(2
)
总功耗
在氧化铝基板
(3)
在T
A
= 25°C
减免上述25℃
在T
A
= 25°C
减免上述25℃
符号
P
pk
P
D
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
40
(4)
225
1.8
300
2.4
556
-55到+150
单位
W
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
热阻结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）非重复性按照图2和减免上述TA = 25 ℃，按照图3的电流脉冲。
（2）的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
（3）氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
（ 4） MMBZ6V8DC / A的额定电压为24V
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1
MMBZ6V8DC / A至MMBZ27VDC / A
威世半导体
原通用半导体
电气特性
击穿电压
V
BR
（伏）
(1)
TYPE
MMBZ6V8D
MMBZ15VD
MMBZ27VD
民
6.48
14.30
25.65
喃
6.8
15.00
27.00
最大
7.14
15.80
28.35
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
@I
T
mA
1.0
1.0
1.0
最大正向
最大反向
工作
电压
电压
PEAK
最大
最大
@ I
RSM
(2)
最大
反向
反向
反向
（钳位电压）温度
电压
泄漏
浪涌
V
C
@I
F
第五COEF网络cient
F
V
RWM
电流I
R
电流I
PP
（伏）
V
BR
（毫伏/ ° C） （伏特） （MA ）
（伏）
（ nA的）
（安培）
4.5
12.8
22.0
500
100
80
2.5
1.9
1.0
9.6
21.2
38.0
3.4
16
30
1.1
0.9
1.1
200
200
200
注意事项：
(1) V
BR
在脉冲测试电流IT测量为25° C的环境温度
（ 2 ）浪涌电流波形每图2和图每3减免
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 稳态功率降额曲线
布局的R
θJA
TEST
厚度：玻璃纤维在0.059 （ 1.5 mm）的
铜导线0.012英寸（ 0.3毫米）
0.30 (7.5)
0.12 (3)
300
250
P
D
，功耗（毫瓦）
氧化铝基板
200
150
FR- 5局
.04 (1)
.08 (2)
.04 (1)
.08 (2)
100
0.59 (15)
0.47 (12)
0.03 (0.8)
50
0.2 (5)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T，温度（ ° C）
尺寸英寸（毫米）
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
图。 2 - 脉冲波形
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步PEAK
电流将衰减至50 ％
I
RSM
tr≤10s
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T
A
=25Z(
°C)
图。 3 - 脉冲降额曲线
100
t
r
峰值 - 我
RSM
75
100
值（％）
半值 - 我
RSM
2
50
50
tp
25
0
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
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2
文档编号88358
21-May-02
日前，Vishay
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
双硅平面稳压二极管与普通
阴极或共阳极配置。
双包为双向或另行
评分单向配置。
双配置保护两条线
只用一个装置。
峰值功率： 40瓦@ 1毫秒（双向） 。
适用于ESD保护。
对于双向操作，电路连接
引脚1和2对单向操作，电路
连接到引脚1和3引脚2和3 。
MMBZ15VDC
MMBZ27VDC
MMBZ15VDA
MMBZ27VDA
3
3
1
18654
2
1
2
共阴极
共阳极
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
终端：
每MIL -STD- 750 ，方法
2026
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
标记：
MMBZ15VDC = TC5
MMBZ27VDC = TC7
MMBZ15VDA = TA5
MMBZ27VDA = TA7
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值功耗
功耗
在FR - 5板
2)
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
3)
符号
P
PK
P
合计
P
合计
价值
40
4)
单位
W
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
225
1.8
300
2.4
功耗
在氧化铝基板
1)
2)
3)
4)
T
AMB
= 25 °C
减免上述25℃
按照图2和减免上述牛逼非重复性电流脉冲
AMB
= 25 ℃，按照图3 。
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
该MMBZ6V8DC / A的额定电压为24 V.
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到Ambiant航
工作和存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
j
, T
英镑
价值
556
- 55至+ 150
单位
° C / W
°C
文档编号85808
修订版1.4 ， 08 -JUL- 04
www.vishay.com
1
MMBZ ... VDA和C系列
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号85808
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