MMBZ15VDLT1,
MMBZ27VCLT1
首选设备
40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阴极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阴极保护设计两条线只用一个包。
这些器件非常适合的情况下电路板空间非常
溢价。
该MMBZ27VCLT1可以用来保护单个线
通信网络形式的EMI和ESD瞬态浪涌电压。
吨他MMBZ 2 7 VC LT 1 isrecommendedbythe
美国汽车工程师协会（SAE ） ， 2000年2月， J2411
“单线CAN网络的车用”规范的
瞬态电压问题的解决方案。
规格特点：
http://onsemi.com
1
3
2
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
3
1
2
SOT23
CASE 318
9风格
记号
图
XXX MG
G
1
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 12.8 V， 22 V
标准齐纳击穿电压范围 - 15 V ， 27 V
峰值功率 - 40瓦@ 1.0毫秒（双向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
低漏< 100 nA的
可燃性等级： UL 94 V-0
无铅包可用
XXX = 15D或27C
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MMBZ15VDLT1
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
MMBZ15VDLT1G SOT- 23
（无铅）
MMBZ15VDLT3
SOT23
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
MMBZ15VDLT3G SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
MMBZ27VCLT1
SOT23
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
MMBZ27VCLT1G SOT- 23
（无铅）
260℃ 10秒
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 启示录7
出版订单号：
MMBZ15VDLT1/D
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ） @ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5和减免上述牛逼1.非重复性电流脉冲
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
I
I
F
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
V
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
击穿电压
设备
记号
15D
V
RWM
伏
12.8
I
R
@ V
RWM
nA
100
V
BR
（注4 ）
(V)
民
14.3
喃
15
最大
15.8
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
V
21.2
I
PP
A
1.9
V
BR
mV/5C
12
设备
MMBZ15VDLT1 ， G *
(V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200 mA）的
击穿电压
设备
记号
27C
V
RWM
伏
22
I
R
@ V
RWM
nA
50
V
BR
（注4 ）
(V)
民
25.65
喃
27
最大
28.35
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
V
38
I
PP
A
1.0
V
BR
mV/5C
26
设备
MMBZ27VCLT1 ， G *
*在“G”后缀表示无铅封装。
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5.浪涌电流波形每图5和图每6减免
http://onsemi.com
2
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
典型特征
MMBZ15VDLT1
击穿电压（伏） （ VBR @ I T ）
击穿电压（伏） （ VBR @ I T ）
17
双向
29
双向
28
MMBZ27VCLT1
16
15
27
14
单向
13
40
+25
+85
温度（℃）
+125
26
25
55
+25
+85
温度（℃）
+125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
图2.典型击穿电压
与温度的关系
10000
100
10
1
0.1
0.01
40
300
250
200
150
100
50
0
PD ，功耗（毫瓦）
氧化铝基板
红外光谱（ nA的）
FR- 5局
+25
+85
温度（℃）
+125
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型漏电流
与温度的关系
图4.稳态功率降额曲线
t
r
≤
10
ms
100
值（％）
峰值
I
PP
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
峰值脉冲降容％的峰值功率
或电流@ TA = 25
°
C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
175
200
半值
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
3
图6.脉冲降额曲线
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
典型应用
V
BATT
单丝
CAN收发器
47
mH
公共汽车
损失
地
保护
电路
负载
GND
ECU连接器
R
负载
9.09千瓦1 ％
*
C
负载
220 pF的10 ％
* ESD保护 - MMBZ27VCLT1或同等学历。可能是
位于每个ECU （℃
负载
需要相应地降低）
或者在接近的DLC的中心点。
图7.单线CAN网络
图是短暂的EMI / ESD保护推荐的解决方案。该电路示于
美国汽车工程师2000年2月J2411 “单线CAN网络的车用”规范的社会
（图6 ，第11页） 。
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4
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AL
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.029
0.104
D
3
1
2
ê
E
e
A
b
A1
L
C
风格9 ：
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
MMBZ15VDLT1,
MMBZ27VCLT1
首选设备
40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阴极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阴极保护设计两条线只用一个包。
这些器件非常适合的情况下电路板空间非常
溢价。
规格特点：
http://onsemi.com
1
3
2
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
3
1
2
SOT–23
CASE 318
9风格
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 12.8 V， 22 V
标准齐纳击穿电压范围 - 15 V ， 27 V
峰值功率 - 40瓦@ 1.0毫秒（双向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 100 nA的
阻燃等级UL 94V -O
标记图
xxx
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
xxx
M
= 15D或27C
=日期代码
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
订购信息
设备
MMBZ15VDLT1
MMBZ15VDLT3
MMBZ27VCLT1
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 修订版5
出版订单号：
MMBZ15VDLT1/D
M
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ） @ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
每图5. 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
符号
P
pk
°P
D
°
R
θJA
°P
D
°
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
230
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
http://onsemi.com
2
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
击穿电压
设备
记号
15D
V
RWM
伏
12.8
I
R
@ V
RWM
nA
100
V
BR
（注4 ）
(V)
民
14.3
喃
15
最大
15.8
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
V
21.2
I
PP
A
1.9
QV
BR
mV/5C
12
设备
MMBZ15VDLT1
(V
F
= 1.1 V最大@我
F
= 200 mA）的
击穿电压
设备
记号
27C
V
RWM
伏
22
I
R
@ V
RWM
nA
50
V
BR
（注4 ）
(V)
民
25.65
喃
27
最大
28.35
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
V
38
I
PP
A
1.0
QV
BR
mV/5C
26
设备
MMBZ27VCLT1
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图5和减免按照图6 5.浪涌电流波形。
典型特征
MMBZ15VDLT1
击穿电压（伏） （ VBR @ I T ）
击穿电压（伏） （ VBR @ I T ）
17
双向
29
双向
28
MMBZ27VCLT1
16
15
27
14
单向
13
-40
+25
+85
温度（℃）
+125
26
25
-55
+25
+85
温度（℃）
+125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
图2.典型击穿电压
与温度的关系
http://onsemi.com
3
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
10000
100
10
1
0.1
0.01
-40
红外光谱（ nA的）
+25
+85
温度（℃）
+125
图3.典型漏电流
与温度的关系
300
250
200
值（％）
150
100
50
0
0
t
r
≤
10
ms
氧化铝基板
100
峰值
I
PP
PD ，功耗（毫瓦）
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
半值
50
t
P
I
PP
2
FR- 5局
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图4.稳态功率降额曲线
图5.脉冲波形
峰值脉冲降容％的峰值功率
或电流@ TA = 25
°
C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
175
200
图6.脉冲降额曲线
http://onsemi.com
4
MMBZ15VDLT1 ， MMBZ27VCLT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
被T确定
J（下最大）
时，最大额定结
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度T
A
。使用所提供的数据的值
片的SOT- 23封装，P
D
可以计算为
如下所示：
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程用于将环境温度T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
P
D
= 150 °C - 25 ° C = 225毫瓦
556°C/W
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现225的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
