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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2927页 > MMBZ18VAL
MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号：
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
（注4 ）
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
（注4 ）
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
http://onsemi.com
3
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
18
击穿电压（伏）
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
I
R
（ nA的）
10
1000
100
1
0
+ 100
+ 50
温度（℃）
+ 150
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线为每个电压为双向模式，
下面的曲线是单向的模式）
图2.典型漏电流
与温度的关系
320
280
C，电容（pF ）
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
图4.稳态功率降额曲线
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4
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
峰值脉冲降容％峰值
功率或电流@ T
A
= 25°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
200
t
r
≤
10
ms
100
值（％）
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
峰值 - 我
PP
半值 -
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图5.脉冲波形
MMBZ5V6ALT1
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
图6.脉冲降额曲线
MMBZ5V6ALT1
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图7.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
与PW
电源被定义为V
RSM
X我
Z
（峰），其中V
RSM
is
钳位电压在我
Z
（ PK） 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
（ NOM ）与PW
电源被定义为V
Z
（ NOM ） ×1
Z
（峰），其中
V
Z
（ NOM）是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
http://onsemi.com
5
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
在共阳极配置Dual TVS
24W / 40W峰值功率耗散额定值
@ 1.0ms的（单向）
225 mW的功耗
非常适合自动插入
低漏
E
SOT-23
A
暗淡
A
B
顶视图
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
C
B
C
D
E
G
M
L
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见图
标识：标识代码&日期代码，
见第2页
标识代码：见下表和第2页
重量： 0.008克（约）
订购信息：见第2页
D
G
H
K
J
H
J
K
L
M
a
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注1 ）
峰值功耗（注2 ） MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL
峰值功耗（注2 ） MMBZ15VAL - MMBZ33VAL
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
符号
P
d
P
pk
P
pk
R
qJA
T
j
,T
英镑
价值
225
24
40
556
-65到+150
单位
mW
W
W
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
24瓦（V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安）
TYPE
数
MMBZ5V6AL
记号
CODE
K9A
V
RWM
伏
3
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
民
5.32
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
喃
5.6
最大
5.88
@ I
T
mA
20
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
8.0
I
PP
A
3.0
典型
温度
系数
热电偶（mV / ° C）
1.8
24瓦（V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安）
TYPE
数
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
注意：
记号
CODE
K9C
K9D
K9E
V
RWM
伏
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
0.5
0.3
0.3
民
6.46
8.65
9.50
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
喃
6.8
9.1
10
最大
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
9.6
14
14.2
I
PP
A
2.5
1.7
1.7
典型
温度
系数
TC （ ％ / ° C）
+0.045
+0.065
+0.065
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
按照图2 2.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图1 。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DS30306启5 - 2
1 4
www.diodes.com
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
40瓦（V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安）
新产品
TYPE
数
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
记号
CODE
K9K/KDJ
K9L
K9N
K9Q
K9T
V
RWM
伏
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
50
50
50
50
50
民
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
喃
15
18
20
27
33
最大
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
21
25
28
40
46
I
PP
A
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
典型
温度
系数
TC （ ％ / ° C）
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
订购信息
设备
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
（类型号）-7 *
*例： 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 。
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
2001
M
2002
N
2003
P
2004
R
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
YM
五月
5
JUN
6
JUL
7
八月
8
SEP
9
十月
O
NOV
N
DEC
D
100
I
P
，峰值脉冲电流（ ％I
pp
)
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流
t
r
= 10m
s
100
75
高峰值I
pp
50
半值我
pp
/2
50
25
10× 1000波形
界定的R.E.A.
t
p
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1脉冲降额曲线
0
10× 1000波形
界定的R.E.A.
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
图。 2脉冲波形
DS30306启5 - 2
2 4
www.diodes.com
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
320
80
F = 1MHz的
新产品
280
70
F = 1MHz的
C，电容（pF ）
240
200
160
120
80
40
0
C，电容（pF ）
MMBZ5V6AL
60
50
40
30
20
10
0
MMBZ27VAL
MMBZ15VAL
0
1
2
3
0
1
2
3
BIAS （ V）
图。 3典型电容与偏置电压
（下面的曲线是双向的模式，
上面的曲线是单向模式）
300
BIAS （ V）
图。 4典型电容与偏置电压
（下面的曲线是双向的模式，
上面的曲线是单向模式）
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
FR- 5局
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度
图。 5稳态功率降额曲线
100
T
j
= 25°C
P
pk
，峰值脉冲功率（ W）
双向
10
单向
不重复
脉冲波形
（矩形）
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
脉冲宽度（ ms）的
图。 6脉冲额定值曲线，
P
pk
(W)
与脉冲宽度（毫秒）
功率为P
pk
= V
C
X我
pp
DS30306启5 - 2
3 4
www.diodes.com
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
100
P
PK （ NOM ）
，峰值脉冲功率（ W）
新产品
T
j
= 25°C
不重复
脉冲波形
（矩形）
双向
10
单向
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
脉冲宽度（ ms）的
图。 7脉冲额定值曲线，
P
PK （ NOM ）
(W)
与脉冲宽度（毫秒）
功率为P
PK （ NOM ）
= V
BR （ NOM ）
X我
pp
其中，V
BR （ NOM ）
是额定击穿电压
DS30306启5 - 2
4 4
www.diodes.com
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
MMBZxVAL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压
抑制
版本01 - 2008年9月1日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单向双静电放电（ ESD ）保护二极管在一个共同的
阳极CON连接配置中，封装在一个SOT23封装（ TO- 236AB ）小型表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。该设备被设计用于ESD和瞬态
过压保护最多两个信号线组成。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
[1]
各类可作为/ DG无卤版本。
类型编号
[1]
CON组fi guration
JEDEC
TO-236AB
双共阳极
SOT23
1.2产品特点
I
单向ESD保护
两行
I
一条线的双向ESD保护
I
低电容二极管：C
d
≤
140 pF的
I
额定峰值脉冲功率：P
PPM
≤
40 W
I
超低漏电流：I
RM
≤
5 nA的
I
ESD保护高达30千伏（接触
放）
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61643-321
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
汽车电子控制单元
I
便携式电子产品
恩智浦半导体
MMBZxVAL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
C
d
二极管电容
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
110
85
70
65
48
45
140
105
90
80
60
55
pF
pF
pF
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.5
12
14.5
17
22
26
V
V
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
1
2
3
3
简化的轮廓
图形符号
1
2
006aaa154
MMBZXVAL_SER_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月1日
2 15
恩智浦半导体
MMBZxVAL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
MMBZ12VAL/DG
MMBZ15VAL/DG
MMBZ18VAL/DG
MMBZ20VAL/DG
MMBZ27VAL/DG
MMBZ33VAL/DG
-
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
*H1
*H2
*H3
*H4
*H5
*H6
类型编号
MMBZ12VAL/DG
MMBZ15VAL/DG
MMBZ18VAL/DG
MMBZ20VAL/DG
MMBZ27VAL/DG
MMBZ33VAL/DG
标识代码
[1]
TH *
TK *
TM *
TP *
TR *
TT*
类型编号
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
MMBZXVAL_SER_1
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版本01 - 2008年9月1日
3 15
恩智浦半导体
MMBZxVAL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PPM
I
PPM
额定峰值脉冲功率
额定峰值脉冲电流
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
条件
t
p
= 10/1000
s
t
p
= 10/1000
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
2.35
1.9
1.6
1.4
1
0.87
单位
W
A
A
A
A
A
A
总功耗
结温
环境温度
储存温度
T
AMB
≤
25
°C
[3]
[4]
-
-
-
55
65
265
360
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
符合IEC 61643-321 （ 10/1000
s
电流波形） 。
从测量引脚1或2到3脚。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1或2到3脚。
[1][2]
参数
条件
民
最大
单位
-
-
30
2
kV
kV
MMBZXVAL_SER_1
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4 15
恩智浦半导体
MMBZxVAL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
> 8千伏
表8 。
标准
每二极管
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
150
I
PP
(%)
100
100 % I
PP
; 10
s
006aab319
I
PP
100 %
90 %
50 % I
PP
; 1000
s
50
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
1.0
2.0
3.0
t
p
（女士）
4.0
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
10/1000
s
根据脉冲波形
IEC 61643-321
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.热特性
表9 。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
460
340
50
单位
K / W
K / W
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
热阻结
焊锡点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
从测量引脚1或2到3脚。
MMBZXVAL_SER_1
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5 15
MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号：
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
（注4 ）
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
（注4 ）
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
http://onsemi.com
3
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
18
击穿电压（伏）
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
I
R
（ nA的）
10
1000
100
1
0
+ 100
+ 50
温度（℃）
+ 150
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线为每个电压为双向模式，
下面的曲线是单向的模式）
图2.典型漏电流
与温度的关系
320
280
C，电容（pF ）
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
图4.稳态功率降额曲线
http://onsemi.com
4
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
峰值脉冲降容％峰值
功率或电流@ T
A
= 25°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
200
t
r
≤
10
ms
100
值（％）
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
峰值 - 我
PP
半值 -
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图5.脉冲波形
MMBZ5V6ALT1
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
图6.脉冲降额曲线
MMBZ5V6ALT1
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图7.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
与PW
电源被定义为V
RSM
X我
Z
（峰），其中V
RSM
is
钳位电压在我
Z
（ PK） 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
（ NOM ）与PW
电源被定义为V
Z
（ NOM ） ×1
Z
（峰），其中
V
Z
（ NOM）是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
http://onsemi.com
5
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
24W和40W的峰值功率双路表面贴装TVS
特点
在共阳极配置Dual TVS
24W / 40W峰值功率耗散额定值@ 1.0ms的
（单向）
225 mW的功耗
非常适合于自动插入
低漏
铅，卤素和无锑/符合RoHS （注5 ）
"Green"设备（注6 ）
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料“绿色”模塑料。
UL可燃性分类94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
极性：见图
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
ESD额定值超过每人体模型16kV的（注4 ）
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
顶视图
设备原理图
最大额定值
峰值功耗
峰值功耗
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL
MMBZ15VAL - MMBZ33VAL
（注2 ）
（注2 ）
符号
P
pk
P
pk
价值
24
40
单位
W
W
热特性
特征
功耗
热阻，结到环境空气
工作和存储温度范围
（注1 ）
（注1 ）
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
225
556
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
24瓦（V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安）
TYPE
数
MMBZ5V6AL
记号
CODE
K9A
V
RWM
伏
3
I
R
@
V
RWM
（注3）
μA
5.0
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
民
5.32
喃
5.6
最大
5.88
@ I
T
mA
20
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
8.0
I
PP
A
3.0
典型
温度
系数
热电偶（mV / ° C）
1.8
24瓦（V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安）
TYPE
数
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
注意事项：
记号
CODE
K9B
K9C
K9D
K9E
V
RWM
伏
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
（注3）
μA
0.5
0.5
0.3
0.3
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
民
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
6.2
6.8
9.1
10
最大
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
2.76
2.5
1.7
1.7
典型
温度
系数
TC （ ％ / ° C）
+0.04
+0.045
+0.065
+0.065
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
按照图2 2.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图1 。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4. MMBZ5V6AL和MMBZ15VAL超过16kV的ESD额定值，其他所有电压超过8kV的ESD额定值。
5.没有故意添加铅。卤素和无锑。
6.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。产品制造
之前的日期代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
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电气特性
（续）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
40瓦（V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安）
TYPE
数
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
记号
CODE
K9K
K9L
K9N
K9Q
K9T
V
RWM
伏
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
（注3）
nA
50
50
50
50
50
击穿电压
V
BR
（注3） （V）的
民
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
15
18
20
27
33
最大
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注2 ）
V
C
V
21
25
28
40
46
I
PP
A
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
典型
温度
系数
TC （ ％ / ° C）
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
100
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流
75
50
25
10× 1000波形
界定的R.E.A.
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1脉冲降额曲线
I
PP
，峰值脉冲电流（ ％I
pp
)
吨，时间（ ms）的
图。 2脉冲波形
F = 1MHz的
F = 1MHz的
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
MMBZ5V6AL
MMBZ15VAL
MMBZ27VAL
BIAS （ V）
图。 3典型电容与偏置电压
（下面的曲线是双向的模式，
上面的曲线是单向模式）
BIAS （ V）
图。 4典型电容与偏置电压
（下面的曲线是双向的模式，
上面的曲线是单向模式）
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300
100
T
J
= 25
°
C
P
D
，功耗（毫瓦）
250
P
pk
，峰值脉冲功率（ W）
双向
不重复
脉冲波形
（矩形）
200
10
单向
150
FR- 5局
100
1.0
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度
图。 5稳态功率降额曲线
0.1
0.1
1.0
10
100
1,000
脉冲宽度（ ms）的
图。 6脉冲额定值曲线，
P
pk
（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的
10,000
功率为P
pk
= V
C
X我
pp
100
T
J
= 25
°
C
P
PK （ NOM ）
，峰值脉冲功率（ W）
双向
不重复
脉冲波形
（矩形）
10
单向
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1,000
脉冲宽度（ ms）的
图。 7脉冲额定值曲线，
P
PK （ NOM ）
（W ）相对于脉冲宽度（ ms）的
10,000
功率为P
PK （ NOM ）
= V
Z（ NOM ）
X我
pp
其中，V
Z（ NOM ）
是额定电压的齐纳
在所使用的低测试电流下测
电压分类
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订购信息
产品型号
（型号） -7 * -F
*例： 5.6V类型= MMBZ5V6AL - 7 -F 。
注意事项：
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
（注7 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
标识信息
XXX =产品型号标识代码，
请参阅电气特性表，页1 2 &
YM =日期代码标
Y =年（例如： T = 2006）
M =月（例如： 9 =九月）
xxx
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
2007
U
FEB
2
MAR
3
2008
V
APR
4
2009
W
五月
5
YM
2010
X
JUN
6
2011
Y
JUL
7
2012
Z
八月
8
SEP
9
2013
A
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
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生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
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承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
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信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
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MPC5534AVZ66
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SOT23
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电话：135-34090664
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DIODES/美台
22+
5888888
SOT23
ESD管TVS管-可提供样品
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电话：13480301972
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地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
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JXND/嘉兴南电
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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电话：15112667855
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电话：0755-88291559
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