MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
40W峰值功率双表面贴装TVS
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
在共阴极配置Dual TVS的ESD
保护
40瓦峰值功率耗散@ 1.0ms的(单向)
225 mW的功耗
非常适合于自动插入
低漏
铅,卤素及锑,符合RoHS标准
"Green"设备(注4和5)
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。 UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
极性:见图
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
顶视图
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
P
PK
价值
40
单位
W
峰值功耗(注2 )
热特性
特征
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
225
556
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安(注3)
击穿电压
TYPE
数
MMBZ15VDL
记号
CODE
KVJ
V
RWM
伏
12.8
I
R
@
V
RWM
nA
100
V
BR
(注3) (V)的
民
14.3
喃
15
最大
15.8
@ I
T
mA
1.0
V
C @
I
PP
(注2 )
V
C
V
21.2
I
PP
A
1.9
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.080
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.090
V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安(注3)
击穿电压
TYPE
数
MMBZ27VCL
注意事项:
V
C @
I
PP
(注2 )
@ I
T
V
C
V
38
I
PP
A
1.0
记号
CODE
KVP
V
RWM
伏
22
I
R
@
V
RWM
nA
50
V
BR
(注3) (V)的
民
25.65
喃
27
最大
28.35
mA
1.0
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
按照图2 2.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图1 。
3.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
4.没有故意添加铅。卤素和无锑。
5.产品使用数据代码V9制造( 33周, 2008年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料,可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
100
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流
75
50
25
10× 1000波形
通过REA定义
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 1脉冲降额曲线
200
吨,时间( ms)的
图。 2脉冲波形
300
F = 1MHz的
P
D
,功耗(毫瓦)
250
C,电容(pF )
200
I
PP
,峰值脉冲电流( %I
pp
)
MMBZ15VDL
150
FR- 5局
100
MMBZ27VCL
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度
图。 3稳态功率降额曲线
30
100
BIAS ( V)
图。 4典型电容与偏置电压
(下面的曲线是双向的模式,
上面的曲线是单向模式)
V
BR
,击穿电压(V )
29
I
R
漏电流( NA)
10
28
27
单向
26
145
-15
25
65
105
T
A
,环境温度( ° C)
图。 5典型击穿电压与温度的关系( MMBZ27VCL )
-55
25
0.1
-55
-15
25
65
105
145
T
A
,环境温度( ° C)
图。 6典型的漏电流与温度的关系( MMBZ27VCL )
MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
100
P
PK ( NOM )
,峰值脉冲功率( W)
T
j
= 25
°
C
100
T
j
= 25
°
C
P
pk
,峰值脉冲功率( W)
双向
不重复
脉冲波形
(矩形)
双向
不重复
脉冲波形
(矩形)
10
单向
10
单向
1.0
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1,000
10,000
0.1
0.1
1.0
脉冲宽度( ms)的
图。 7脉冲额定值曲线,
P
pk
(W )相对于脉冲宽度( ms)的
功率为P
pk
= V
C
X我
pp
10
100
1,000
10,000
脉冲宽度( ms)的
图。 8脉冲额定值曲线,
P
PK ( NOM )
(W )相对于脉冲宽度( ms)的
功率为P
PK ( NOM )
= V
BR ( NOM )
X我
pp
其中,V
BR ( NOM )
是额定击穿电压
订购信息
产品型号
MMBZ15VDL-7-F
MMBZ27VCL-7-F
注意事项:
(注6 )
例
SOT-23
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX =产品型号标识代码,
KVJ = MMBZ15VDL
KVP = MMBZ27VCL
YM =日期代码标
Y =年(例如: T = 2006)
M =月(例如: 9 =九月)
2010
X
JUN
6
2011
Y
JUL
7
2012
Z
八月
8
SEP
9
2013
A
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
xxx
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
2007
U
FEB
2
MAR
3
2008
V
APR
4
2009
W
五月
5
包装外形尺寸
A
YM
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
1.20
1.40
1.30
B
2.30
2.50
2.40
C
0.89
1.03 0.915
D
0.45
0.60 0.535
F
1.78
2.05
1.83
G
H
2.80
3.00
2.90
0.013 0.10
0.05
J
K
0.903 1.10
1.00
-
-
0.400
K1
L
0.45
0.61
0.55
0.085 0.18
0.11
M
0°
8°
-
α
尺寸:mm
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
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拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值(单位:mm)
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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40W峰值功率双表面贴装TVS
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
在共阴极配置Dual TVS
对于ESD保护
40瓦的峰值功耗@ 1.0ms的
(单向)
225 mW的功耗
非常适合自动插入
低漏
E
SOT-23
A
暗淡
B
顶视图
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
C
A
B
C
D
E
D
G
H
K
J
L
M
机械数据
案例: SOT -23 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:见图
标识:标识代码&日期代码,
见第2页
标识代码:见下表
重量: 0.008克(约)
订购信息:见第2页
G
H
J
K
L
M
a
尺寸:mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注1 )
峰值功耗(注2 )
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
P
d
P
PK
R
qJA
T
j
,T
英镑
价值
225
40
420
-65到+150
单位
mW
W
° C / W
°C
电气特性
V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安(注3)
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
击穿电压
TYPE
数
记号
CODE
V
RWM
伏
MMBZ15VDL
KVJ
12.8
I
R
@
V
RWM
nA
100
民
14.3
V
BR
(注3) (V)的
喃
15
最大
15.8
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
21.2
I
PP
A
1.9
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.080
V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安(注3)
击穿电压
TYPE
数
记号
CODE
V
RWM
伏
MMBZ27VCL
注意:
KVP
22
I
R
@
V
RWM
nA
50
民
25.65
V
BR
(注3) (V)的
喃
27
最大
28.35
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
38
I
PP
A
1.0
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.090
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得
超标。
按照图2 2.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图1 。
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30352修订版3 - 2
1第3
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
订购信息
(注4 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
新产品
设备
MMBZ15VDL-7
MMBZ27VCL-7
注意事项:
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
三月
3
2002
N
APR
4
XXX =产品型号标识代码,例如: KVP = MMBZ27VCL
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
YM
2003
P
五月
5
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
SEP
9
2006
T
十月
O
2007
U
NOV
N
2008
V
DEC
D
100
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流
I
P
,峰值脉冲电流( %I
pp
)
100
75
50
半值我
pp
/2
50
25
10× 1000波形
通过REA定义
t
p
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1脉冲降额曲线
300
0
10× 1000波形
界定的R.E.A.
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
图。 2脉冲波形
80
70
F = 1MHz的
P
D
,功耗(毫瓦)
C,电容(pF )
250
60
50
40
30
20
10
MMBZ27VCL
MMBZ15VDL
200
150
FR- 5局
100
50
0
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度
图。 3稳态功率降额曲线
1
2
3
BIAS ( V)
图。 4典型电容与偏置电压
(下面的曲线是双向的模式,
上面的曲线是单向模式)
DS30352修订版3 - 2
2 3
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
40W峰值功率双表面贴装TVS
特点
·
·
·
·
·
·
·
在共阴极配置Dual TVS的ESD保护
40瓦峰值功率耗散@ 1.0ms的(单向)
225 mW的功耗
非常适合自动插入
低漏
无铅/符合RoHS (注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
顶视图
SOT-23
A
暗淡
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料
.
UL FL可燃性等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成退火
在合金引线框架42 ) 。
极性:见图
日期代码:见第3页
标识代码:见下表
重量: 0.008克(近似值)
E
D
G
H
K
J
L
M
G
H
J
K
L
M
a
尺寸:mm
最大额定值
功率耗散(注1 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
P
d
P
PK
R
qJA
T
j
,T
英镑
价值
225
40
556
-65到+150
单位
mW
W
° C / W
°C
峰值功耗(注2 )
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安(注3)
击穿电压
TYPE
数
记号
CODE
V
RWM
伏
MMBZ15VDL
KVJ
12.8
I
R
@
V
RWM
nA
100
民
14.3
V
BR
(注3) (V)的
喃
15
最大
15.8
@ I
T
mA
1.0
V
C
@ I
PP
(注2 )
V
C
V
21.2
I
PP
A
1.9
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.080
V
F
= 1.1V最大@ I
F
= 200毫安(注3)
击穿电压
TYPE
数
记号
CODE
V
RWM
伏
MMBZ27VCL
注意:
I
R
@
V
RWM
nA
50
民
25.65
V
C
@ I
PP
(注2 )
@ I
T
V
C
V
38
I
PP
A
1.0
V
BR
(注3) (V)的
喃
27
最大
28.35
典型
温度
系数
T
C
(%/°C)
+0.090
mA
1.0
KVP
22
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得
超标。
按照图2 2.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图1 。
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4.没有故意添加铅。
DS30352牧师9 - 2
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
Diodes公司
100
T
j
= 25°C
P
pk
,峰值脉冲功率( W)
双向
10
单向
不重复
脉冲波形
(矩形)
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
脉冲宽度( ms)的
图。 7脉冲额定值曲线,
P
pk
(W)
与脉冲宽度(毫秒)
功率为P
pk
= V
C
X我
pp
100
P
PK ( NOM )
,峰值脉冲功率( W)
T
j
= 25°C
不重复
脉冲波形
(矩形)
双向
10
单向
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
10000
脉冲宽度( ms)的
图。 8脉冲额定值曲线,
P
PK ( NOM )
(W)
与脉冲宽度(毫秒)
功率为P
PK ( NOM )
= V
BR ( NOM )
X我
pp
其中,V
BR ( NOM )
是额定击穿电压
订购信息
设备
(注5 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
MMBZ15VDL-7-F
MMBZ27VCL-7-F
注意事项:
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX =产品型号标识代码,例如: KVP = MMBZ27VCL
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2003
P
APR
4
五月
5
JUN
6
2004
R
JUL
7
八月
8
2005
S
SEP
9
2006
T
十月
O
2007
U
NOV
N
2008
V
DEC
D
XXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
三月
3
2002
N
DS30352牧师9 - 2
3 4
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YM
MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
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DS30352牧师9 - 2
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MMBZ15VDL , MMBZ27VCL
MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压
抑制
版本01 - 2008年9月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单向双静电放电( ESD )保护二极管在一个共同的
阴极CON连接配置中,封装在一个SOT23封装( TO- 236AB )小型表面贴装
器件(SMD )塑料封装。该设备被设计用于ESD和瞬态
过压保护最多两个信号线组成。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
MMBZ12VDL
MMBZ15VDL
MMBZ18VCL
MMBZ20VCL
MMBZ27VCL
MMBZ33VCL
[1]
各类可作为/ DG无卤版本。
类型编号
[1]
CON组fi guration
JEDEC
TO-236AB
双共阴极
SOT23
1.2产品特点
I
单向ESD保护
两行
I
一条线的双向ESD保护
I
低电容二极管:C
d
≤
140 pF的
I
额定峰值脉冲功率:P
PPM
≤
40 W
I
超低漏电流:I
RM
≤
5 nA的
I
ESD保护高达30千伏(接触
放)
I
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
I
IEC 61643-321
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
汽车电子控制单元
I
便携式电子产品
恩智浦半导体
MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
P
PPM
I
PPM
额定峰值脉冲功率
额定峰值脉冲电流
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
条件
t
p
= 10/1000
s
t
p
= 10/1000
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
2.35
1.9
1.6
1.4
1
0.87
单位
W
A
A
A
A
A
A
总功耗
结温
环境温度
储存温度
T
AMB
≤
25
°C
[3]
[4]
-
-
-
55
65
350
440
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
符合IEC 61643-321 ( 10/1000
s
电流波形) 。
从测量引脚1或2到3脚。
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
(接触放电)
机器型号
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1或2到3脚。
[1][2]
参数
条件
民
最大
单位
-
-
30
2
kV
kV
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
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恩智浦半导体
MMBZxVCL ; MMBZxVDL系列
双重ESD保护二极管瞬态过电压抑制
ESD标准符合性
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
> 8千伏
表8 。
标准
每二极管
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
MIL -STD- 883 ;第3类(人体模型)
001aaa631
150
I
PP
(%)
100
100 % I
PP
; 10
s
006aab319
I
PP
100 %
90 %
50 % I
PP
; 1000
s
50
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
1.0
2.0
3.0
t
p
(女士)
4.0
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
10/1000
s
根据脉冲波形
IEC 61643-321
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.热特性
表9 。
符号
每个器件
R
号(j -a)的
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
350
280
60
单位
K / W
K / W
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
热阻结
焊锡点
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点,引脚3 。
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
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