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MMBV609LT1
首选设备
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐,频率一般控制
和调整,或任何顶级的线的应用要求
备份到后端二极管配置为最小信号失真和
失谐。此设备在SOT -23塑料封装为供给
高容量,取放组装要求。
特点
http://onsemi.com
高品质因数 - Q = 450 (典型值) @ V
R
= 3.0伏, F = 50 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配
超突变结工艺提供高调谐比
无铅包装是否可用
双电压变
容二极管
1
2
3
最大额定值
(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
20
100
225
1.8
+125
-55到+125
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
9风格
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
5L M
G
G
1
5L =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBV609LT1
MMBV609LT1G
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号:
MMBV609LT1/D
MMBV609LT1
电气特性
(每个二极管) (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
反向电压漏电流
(V
R
= 15 VDC )
二极管电容
(V
R
= 3.0伏, F = 1.0兆赫)
电容比C3 / C8
中(f = 1.0 MHz)的
勋章图
(V
R
= 3.0伏, F = 50兆赫)
符号
V
( BR )R
I
R
C
T
C
R
Q
20
26
1.8
250
典型值
450
最大
10
32
2.4
单位
VDC
NADC
pF
典型特征
50
CT ,二极管电容(PF )
1000
Q,优异的图
40
30
20
F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
V
R
= 3伏直流
T
A
= 25°C
100
10
0
10
1
2
3
5
7
10
20
30
40
10
100
男,频率(MHz)
1000
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容
图2.图勋章
CT ,二极管电容(标准化)
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
75
50
25
0
+25
+50
+75
+100
+125
V
R
= 3.0伏
F = 1.0 MHz的
T
A
,环境温度( ° C)
图3.二极管电容
http://onsemi.com
2
MMBV609LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格9 :
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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免费电话800-282-9855
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P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
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有关更多信息,请联系您
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3
MMBV609LT1/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBV609LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MMBV609LT1G
ON
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:夏先生 朱小姐
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MMBV609LT1G
ON
25+
3200
SOT-23(TO-236)3
全新原装正品特价售销!
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联系人:朱先生
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MMBV609LT1G
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2025+
26820
TO-236-3
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MMBV609LT1G
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15+
99000
SOT23
产品优势可售样板
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMBV609LT1G
onsemi
24+
10000
SOT-23-3(TO-236)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
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MMBV609LT1G
ON/安森美
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营,原装现货,价格优势
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MMBV609LT1G
ON/安森美
24+
12300
SOT-23
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
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MMBV609LT1G
ON-SHORE TECHNOLOGY
23+
2986
原厂原封装
绝对进口原装,公司现货
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MMBV609LT1G
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-23
原装正品假一赔百!
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联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MMBV609LT1G
原装正品
24+
66300
原厂封装
一级代理/全新原装现货/长期供应!
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